• 대한기계학회논문집
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• 제13권6호
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• pp.1183-1192
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• 1989

본 논문에서는 평면변형률 상태하에서 안정하게 성장하는 균열선단에 집중 되어있는 강소성역의 해석에 역점을 두어 재결정법과 탄.소성유한요소법을 도입하여 안정 성장균열 선단에 형성되는 균열 성장저항에 직접적인 영향을 미치고 있는 소성 역의 크기나 형태에 대한 실험 및 해석을 하였다.

• 융합정보논문지
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• 제8권2호
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• pp.149-155
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• 2018

본 연구는 어릴 때 형성된 성격이 현실의 생활과 성장에 도움이 되지 않을 때, 이성과 감성을 통합하는 대화훈련을 통하여 자율적인 인간으로 재탄생하게 하는 프로그램을 만드는데 연구의 목적을 두었다. 연구방법은 현재 자신의 성격을 5가지 자아 상태로 분석하고, 그 결과를 수정 보완하는 방법을 찾는 것이다. 연구결과는 외적으로 나타난 자아 상태를 자아 상태 활성화기법으로 보완하는 방법을 알게 하고, 내적인 부분은 교류분석(TA)변화의 궁극적 목표인 삼위일체의 변화 즉, 자각성, 자발성, 친화성의 3가지 능력의 변화를 통해 자율성을 달성하게 하는 것이다. 이는 개인의 모든 자원을 사용하여 문제점을 해결하는 능력으로 해방시키거나, 회복을 실제 행해보이게 하는 것이다.

• 사회복지연구
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• 제48권4호
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• pp.121-156
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• 2017

본 연구의 목적은 회복을 어렵게 만드는 단도박자의 생활고 극복과정을 탐구하는 것이다. 연구의 목적 달성을 위해 단도박 후 생활고를 극복한 총 10명의 연구참여자들과 1:1 심층면담을 수행했다. 면담을 통해 수집한 자료는 Strauss와 Corbin(1990; 1998)이 제안한 근거이론(grounded theory) 절차에 따라 분석했다. 분석 결과 131개의 개념을 구성했으며, 구성된 개념을 다시 32개의 하위범주와 14개의 범주로 분류하였다. 연구자들은 각 범주를 관통하는 핵심범주를 '현실 수용과 재결단을 통한 생활고 극복'으로 제시했다. 연구결과를 바탕으로 연구자들은 경제적 자활 프로그램 제공, 사회보장 서비스 제공, 상담사-가족-동료 단도박자가 공조할 수 있는 '삼각 지지체계'구축 등을 실천 및 정책적 개입 방안들로 제안했다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2000년도 제18회 학술발표회 논문개요집
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• pp.72-72
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• 2000

ITO(Indium-Tin-Oxide)는 n-type 전도 특성을 갖는 산화물 반도체로서 가시광 영역에서의 높은 광투과율 및 낮은 전기 비저항을 나타내기 때문에 태양전지, 액정디스플레이(liquid crystal display), 터치스크린(touch screen) 등의 투명전극 재료, 전계 발광(electroluminescent) 소자, 표면발열체, 열반사 재료 등 다양한 분야에 응용되고 있다. 본 연구에서는 타겟 제작에 드는 비용을 줄이고, 타겟 이용의 효율성을 높이기 위해 기존의 세라믹 타겟 대신 분말 타겟을 사용하여 유리 기판 상에 ITO 박막을 DC magnetron sputtering법에 의해 제조하고, 열처리 온도 및 열처리 분위기에 따른 ITO 박막의 전기적 광학적 특성을 조사하였다. 열처리 온도가 10$0^{\circ}C$이하인 경우 열처리하지 않은 시편과 동일하게 In2O3의 (411)면에 해당하는 peak가 관찰되었다. 그러나 20$0^{\circ}C$의 온도로 열처리 할 경우 (411)면 peak의 세기는 상대적으로 감소하고 대신 이전에 나타나지 않았던 (222)면에 대응하는 peak 세기가 현저하게 증가함을 알 수 잇다. 이것은 ITO 박막의 경정성장이 열처리 전 (411)면 방향으로 이루어지나 20$0^{\circ}C$의 온도로 열처리 후 재결정화에 의해 (222)면 방향으로의 우선방위를 갖고 성장함을 의미한다. 또한 주로 높은 기판온도에서 관찰되었던 (211), (400), (411), (440), (622)면 등에 해당하는 peak가 나타남을 볼 수 있었다. 열처리 온도를 더욱 증가시킴에 따라 결정구조에는 큰 변화 없이 (222)면 peak 세기가 증가하였다. 한편 열처리 온도를 더욱 증가시킴에 따라 (222)면 peak 세기가 상대적으로 조금 감소할뿐 XRD회절 결과에는 큰 변화를 관찰할 수 없었다. 이러한 결과로부터 기판을 가열하지 않고 증착한 ITO 박막의 재결정화에 필요한 최소의 열처리 온도는 20$0^{\circ}C$이며, 그 이상의 열처리 온도는 ITO박막의 결정구조에 큰 영향을 미치지 않음을 알 수 있었다. 열처리 전 비저항은 1.1$\times$10-1 $\Omega$-cm 의 값을 가지거나 10$0^{\circ}C$의 온도로 열처리함에 따라 9.8$\times$102$\Omega$-cm 로 약간 감소하였다. 열처리 온도를 20$0^{\circ}C$로 높임에 따라 비저항은 급격히 감소하여 1.7$\times$10-3$\Omega$-cm의 최소값을 나타내었다. 열처리 온도가 10$0^{\circ}C$인 경우 가시광 영역에서의 광투과율은 열처리하지 않은 시편과 비교해 볼 때 약간 증가하였다. 열처리 온도는 20$0^{\circ}C$로 증가시킴에 따라 투과율은 크게 향상되어 흡수단 이상의 파장영역에서 90% 이상의 투과율을 나타내었다. 이러한 광투과율의 향상은 앞서 증착된 ITO 박막이 열처리 중 재결합에 의해 우선 성장 방위가 (411)면 방향에서 (222)면 방향으로 변화되었기 때문으로 생각된다. 그러나 열처리 온도를 20$0^{\circ}C$이상으로 증가시켜도 광투과율은 큰 변화를 나타내지 않았다.