• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2010.02a
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• pp.411-411
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• 2010

Cavity mode Whistler wave를 사용하는 자화유도결합플라즈마 (Magnetized Inductively Coupled Plasma, MICP)의 제반 특성을 비등방성 수송계수를 가지는 Drift-Diffusion 근사, 에너지 보존 방정식 및 유도전자계를 self-consistent 하게 고려하여 계산하였다. 이러한 접근법은 비충돌성 전자가열현상을 고려하지 못하는 단점에도 불구하고, 반도체 장비설계에 필수적인 전자온도, 밀도, 플라즈마 전위, 시스템의 임피던스 특성에 대한 경향성 파악에 매우 유용하다. 뿐만 아니라 전자밀도분포가 공간내에 형성되는 R-wave mode에 미치는 영향을 분석할 수 있다. 직경 320 mm를 가지는 작은 반응기에서 시뮬레이션과 실험결과를 비교하여 본 모델링 방법의 타당성을 검증한 후, 450 mm wafer가공에 적합한 대면적 플라즈마 반응기에서 플라즈마 특성을 연구하였다. 수 mTorr의 공정압력에서 약 10 Gauss전후의 약한 자장이 인가됨으로서 반경방향의 전자밀도 균일성이 대폭 향상되었다. 플라즈마 및 안테나의 대면적화에 수반되는 높은 Q값이 자장의 인가로 큰 폭으로 감소함으로서 임피던스메칭의 안정성이 비약적으로 개선되었고 전력전달 효율 또한 크게 증가함을 알 수 있었다. 본 연구 결과는 차세대 450 mm 반도체 공정장비의 개발에 있어 자화유도결합플라즈마가 매우 유용하게 사용될 수 있음을 보여준다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2012.02a
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• pp.455-456
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• 2012

최근 반도체 소자의 Design rule의 지속적인 축소로 물리적 한계에 다가서고 있는 상황이다. 이에 대한 대책으로 여러가지 방안이 대두되고 있으며 그 중 하나로 TSV (Through Silicon Via)를 적용한 3D 혹은 stack scheme이 개발되고 있다. TSV 공정은 throughput의 향상을 위해 high etch rate를 기본 필요 조건으로 한다. 본 연구에서는 자화된 유도결합 식각 장치하에서 $SF_6/O_2$ 플라즈마의 특성을 Langmuir Probe와 Actinometry를 이용하여 측정하고 자화여부에 따른 특성 차이와 이의 Silicon Via에 대한 특성에 대해 살펴보았다.

• Journal of the Korean Vacuum Society
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• v.9 no.3
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• pp.285-289
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• 2000

It has been well known that weak axial magnetic field on the process plasma enhances plasma density. As the magnetic field helps a specific polarized EM wave mode to penetrate into the plasma, the energy transfer to the plasma enhances and the ion density increases. We have analyzed systematic change of the dispersion relation caused by the cyclotron resonance condition. This resonance occurs at near 5 gauss to provide minimum penetration depth, as known before. RF penetration depth increases abruptly beyond the magnetic field of 5 gauss, and this phenomena lessen as the collision frequency increases.

• Journal of the Korean Vacuum Society
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• v.10 no.1
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• pp.112-118
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• 2001

Magnetic field is commonly used in low temperature processing plasmas to enhance the performance of the plasma reactors. E$\times$B magnetron or surface multipole configuration is the most popular. However, the properties of capacitively coupled rf plasma confined by axial static magnetic field have rarely been studied. With these background, the effect of magnetic field on the characteristics of capacitively coupled 13.56 MHz/40 KHz argon plasma was studied, Ion saturation current, electron temperature and plasma potential were measured by Langmuir probe and emissive probe. At low pressure region (~10 mTorr), ion current increases by a factor of 3-4 due to reduction of diffusion loss of charged particles to the wall. Electron temperature slightly increases with magnetic field for 13.56 MHz discharge. However, for 40 KHz discharge, electron temperature decreased from 1.8 eV to 0.8 eV with magnetic field. It was observed that the magnetic field induces large temporal variation of the plasma potential. Particle in cell simulation was performed to examine the behaviors of the space potential. Experimental and simulation results agreed qualitatively.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2012.08a
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• pp.264-264
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• 2012

자화된 플라즈마 매질 내부에 진행하는 전자기파중에서 ${\omega}_{ci}$ ${\ll}({\omega}_{ci}{\omega}_{ce})_{1/2}{\ll}{\omega}{\ll}{\omega}_{ce}{\ll}{\omega}_{pe}$의 주파수 대역을 사용하여 헬리콘 방전을 발생시킨다. 수 kW의 RF 출력을 사용하는 헬리콘 플라즈마원은 자기장, 중성가스 압력 및 RF 주파수 등을 포함한 방전 조건에 따라 급격하게 플라즈마 밀도가 증가하고, 유사한 플라즈마 발생원에 비하여 높은 효율을 가진다. 이러한 헬리콘 플라즈마가 높은 이온화 효율을 갖는 원인을 알아보기 위해 반사계로 플라즈마 밀도를 측정하였다. 본 연구에서는 helical 타입의 안텐를 이용하여 직경 15 cm pyrex관 내부에 플라즈마를 발생시켰고, 플라즈마 진단을 위해 33~40 GHz의 주파수로 FMCW방식을 이용한 반사계로 플라즈마 밀도를 측정하였다.

• Journal of the Semiconductor & Display Technology
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• v.1 no.1
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• pp.35-40
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• 2002

Understanding of charging properties of a small particle is necessary to control the particle contamination and to improve productivity of the electronic device in the plasma aided semiconductor manufacturing processes. In this study, the effects of both magnetic field and particle size on the charging properties are experimentally investigated in collisional dusty plasmas. The experiments carried out in the system consisted of a monodisperse particle generation system, a DC magnetized plasma generation system and a charge measurement system. The plasma chamber is made of cross-shape Pyrex surrounded by magnetic bucket (composed of 12 permanent magnetic bar) to confine the plasma. DC magnetic field up to 250G are applied to the plasma zone by external magnetic coil. Previous work shows the charging effect clearly increase with increasing the size of the particle and plasma density, as it was expected.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2011.08a
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• pp.319-319
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• 2011

KSTAR ICRF 안테나 장치에서 외곽 플라즈마 밀도분포는 고주파 출력이 내부로 전달되는 효율을 위해 중요하게 다루어 진다. 따라서 1.5T의 자기장에서 플라즈마에 간섭없이 0~$10^{14}/cm^3$의 외곽 플라즈마 밀도분포를 측정할 수 있는 Q-band 대역의 x-mode 반사계가 필요 하였다. 헬리콘 플라즈마는 $10^{13}/cm^3$ 이상의 높은 플라즈마 밀도를 수 kW 이내의 rf power와, 수 MHz 대역의 고주파원을 사용하여 높은 에너지 효율로 얻을 수 있다. 이때 높은 플라즈마 밀도는 외곽 플라즈마 밀도 와 비슷하여 제작한 반사계를 테스트 할 수 있다. 본 연구에서는 x-mode microwave 반사계를 제작하고, 1kW rf power와 10MHz 고주파원으로 헬리콘 플라즈마를 생성하여 정전 탐침으로 진단하였고, 반사계의 Q-band대역의 주파수를 가변 하여 반사되어 나오는 마이크로파의 beat 주파수를 통해 밀도 분포를 얻어서 정전탐침과 비교 분석하였다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 1999.07a
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• pp.246-246
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• 1999

TFT-LCD 제조공정의 발전에 따라, 박막층(a-Si, SiNx, gate 전극, ITO 등)에 대한 습식공정을 대치하는 건식식각이 선호되고 있다. scan signal의 전파지연시간을 단축시키는 장점을 갖는 Al gate 전극의 건식식각의 경우, 높은 식각속도와 slope angle의 조절, 그리고 식각균일도가 요구된다. 이러한 Al gate 전극물질로는 Al에 Ti이나 Nd와 같은 금속을 첨가하여 post annealing 동안에 발생하는 hillock을 방지하고 더불어 낮은 resistivity(<10$\mu$$\Omega$cm)와 열과 부식에 대한 높은 저항성을 얻을 수 있다. 그러나 Al-Nd alloy 박막은 식각속도와 photoresist에 대한 식각선택도가 낮아 문제로 지적되고 있다. 본 실험에서는 고밀도 플라즈마원의 일종인 자화된 고밀도 유도결합형 플라즈마를 이용하여 식각가스 조합, inductive power, bias voltage 그리고 공정압력 등의 다양한 공정변수에 따른 Al-Nd film의 기본적인 식각특성 변화를 관찰하였다. 식각시 chloring gas를 주요 식각가스로 사용하고 BCl, HBr 등을 10mTorr의 일정한 압력을 유지하는 조건하에서 첨가하였으며 inductive power는 5100W~800W, bias voltage는 -50V~-200V까지 변화를 주었다. 식각공정의 전후를 통하여 Al-Nd 박막표면의 조성변화를 관찰하기 위하여 X-ray photoelectron spectroscopy(XPS)를 이용하였으며 공정변수에 따른 식각후 profile 관찰은 scanning electron microscopy(SEM)을 통하여 관찰하였다. Al-Nd 식각속도는 100% Cl2 플라즈마에 비해 BCl3의 양이 증가할수록 증가하였으며 75%의 BCl3 gas를 첨가하였을 때 가장 높은 식각속도를 얻을 수 있었다. 또한 SEM을 이용한 표면분석으로 roughness가 감소된 공정조건을 찾을 수 있었다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 1999.02a
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• pp.165-165
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• 1999

• 한국전기화학회:학술대회논문집
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• 1999.04a
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• pp.52-52
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• 1999