• 박물관보존과학
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• 제12권
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• pp.9-17
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• 2011

본고는 적색계 염재인 소목, 꼭두서니, 홍화, 자초로 염색한 직물편에 대한 비파괴 자외 가시광 분광분석 및 3차원 형광 분광 분석 내용으로 고대 직물에 염색된 염료 규명을 위한 기초 자료 구축을 위함이다. 직물이나 매염제의 종류에 따라 각 분석 결과에 영향을 주는지 여부를 확인하기 위하여 직물 2 종류(면과 견)와 매염 방법 3 가지(무매염, 백반, 철)로 염색한 직물시편을 제작하였다. 염색 직물편에 대한 자외-가시 분광반사 스펙트럼 결과 소목, 꼭두서니, 자초로 염색한 경우 직물의 종류에 관계없이 매염제에 따른 차이를 보였다. 또한 홍화는 직물 및 매염제에 따른 차이가 없었다. 3차원 형광 스펙트럼 측정결과 소목은 매염제에 따른 차이를 보이며 꼭두서니의 경우 직물에 따른 차이를 보였고, 홍화의 경우 직물과 매염제 관계없이 고유한 형광스펙트럼으로 나타났으며, 자초의 경우 형광스펙트럼이 나타나지 않았다.

• 한국조명전기설비학회지:조명전기설비
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• 제10권5호
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• pp.94-100
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• 1996

자외- 가시선 흡수분광광도법을 적용하여 주상변압기 절연유의 판정기준을 제시하였다. 절연유가 열화하면 절연유의 전기적 특성치가 저하할 뿐만 아니라 흡광도값도 변하게 된다. tan$\delta$와 절연파괴전압과 같은 전기적 특성치를 흡광도값과 비교하여 흡광도값에 의한 절연유의 판정기분을 설정하였다. 흡광도값이 0.580 이하는 양호, 요주의는 0.580~0.900, 불량은 0.900이상이다. 자외-가시건 흡수분광광도법은 절연유의 열화분석에 적용할 수 있으며, 기존의 육안에 의한 절연유 검사 방법을 대체할 수 있을 것으로 기대된다. 그러나 분광광도법을 현장에 적용하려면 저렴하고 경량화된 휴대용 분광광도계의 개발이 필요하다.

• 박물관보존과학
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• 제11권
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• pp.61-72
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• 2010

본 고는 우리나라 황색계 염재인 울금, 황벽, 황련, 치자, 괴화로 염색한 직물편에 대한 비파괴 자외-가시광 분광 분석 및 3차원 형광 분광 분석 내용이다. 직물이나 매염제 종류에 따라서 각 염재의 분석결과에 영향을 주는지 여부를 확인하기 위하여 직물 2종류(견과 면)와 매염방법 3가지(무매염, 백반, 철)로 염색한 직물시편을 제작하였다. 이 염색 직물편에 대한 자외-가시 분광반사 스펙트럼 측정 결과, 울금, 황벽, 황련으로 염색한 경우 직물의 종류에 관계없이 무매염과 백반매염한 시편의 결과가 유사한 반면 철매염한 시편에서는 차이를 보였다. 또한 치자로 염색한 경우 직물의 종류에 따라 다른 결과를 보였으나 매염제에는 영향을 받지 않았다. 반면에 괴화로 염색한 경우 직물의 종류에 관계없이 매염제에 따른 차이를 보였다. 3차원 형광 스펙트럼 측정 결과 울금, 황벽, 황련으로 염색한 직물편은 직물과 매염제에 관계없이 고유한 형광 스펙트럼으로 나타났으나 치자의 경우 직물의 종류에 따라 차이를 보인 반면 괴화의 경우는 직물의 종류에는 관계가 없었으나 매염제에 따른 차이를 보였다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2011년도 제40회 동계학술대회 초록집
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• pp.427-427
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• 2011

그래핀은 탄소원자가 육각형의 벌집형태로 배열되어 있는 원자단위 두께의 가장 얇은 재료중의 하나이다. 이는 우수한 기계적, 전기적, 광학적 특성을 지니고 있어 다양한 분야로의 응용이 가능할 것으로 예측되고 있다. 그래핀의 산업적 응용을 위해서는 대면적으로 두께 균일도가 높은 그래핀을 저렴한 방법으로 합성하는 것이 무엇보다도 우선적으로 요구된다. 그래핀을 얻는 방법으로는 물리 화학적 박리, 탄화규소의 흑연화, 열화학기상증착법(thermal chemical vapor deposition; TCVD) 등의 다양한 방법이 있으며, 현재로선 그 중 TCVD법이 대면적으로 두께균일도가 높은 그래핀을 합성할 수 있는 가장 적합한 방법으로 인식되고 있다. 그러나 이 방법은 탄소가 포함된 원료가스를 분해하기 위하여 고온의 공정이 요구되는 단점이 있다. 이러한 이유로 최근 그래핀은 저온에서 합성하기 위한 많은 연구들이 진행 중에 있으며 그 결과가 속속 보고 되고 있다. 본 연구에서는 고주파 플라즈마가 결합된 TCVD장치를 이용하여 원료가스를 효율적으로 분해함으로서 그래핀의 저온합성을 도모하였다. 기판은 300 nm 두께의 니켈박막이 증착된 산화막 실리콘 기판을 사용하였으며, 원료가스로는 메탄을 사용하였다. 실험결과, 350 W의 파워로 플라즈마를 방전하여 30분간 합성을 수행하였을 때 약 $450^{\circ}C$ 근처의 저온에서 수 겹의 그래핀이 합성 가능한 것을 확인하였다. 합성된 그래핀은 분석의 용이함 및 향후 다양한 응용을 위하여 산화막 실리콘 기판 및 투명 고분자 기판 등으로 전사하였다. 그래핀의 특성분석을 위해서는 광학현미경, 라만 분광기, 투과전자현미경, 자외 및 가시선 분광광도계, 4탐침측정기 등을 이용하였다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 1999년도 제17회 학술발표회 논문개요집
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• pp.150-150
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• 1999

재료의 광학적 특성을 변화시키기 위한 표면 코팅의 사용을 잘 알려져 있다. 그리고 이러한 광학 코팅은 우리가 주위에서 볼 수 있는 렌즈에서부터 레이저반사경 다 나아가 다양한 광학 필터에 이르기까지 빛의 간섭을 이용한 광학 박막의 코팅은 폭넓게 이용되고 있다. 그러한 응용가운데 불필요한 표면 반사를 방지함으로써 전체 투과율을 강화시키기 위한 무반사(Anti-Reflection) 코팅은 오늘날 광대역 무반사 특성 등 다양한 광학적 요구에 따라 하나 또는 그 이상의 층을 형성함으로써 극적으로 성취할 수 있다. 본 실험은 기존 많이 활용되는 증발법 그리고 스퍼터링 방법과는 달리 고진공하에서 증착 변수를 효과적으로 제어, 박막을 형성할 수 있는 자체 제작된 단일 IBS(Ion Beam Sputtering) 시스템을 이용하여 우수한 광학적 특성을 갖는 광학 재료로써 무반사용 다층박막 형성하기 앞서 MgF2, ZrO2 (yttria stabilized zirconia) 단층 박막을 제조하였으며, 각 증착 변수에 따른 결정학적 및 광학적 특성을 관찰하였다. 본 실험에 사용된 제조 장비로 Kaufman type 2.5inch의 이온 건이 장착된 Ion Beam sputtering 시스템으로 초기 진공도는 5$\times$10-6orr이며, 이온 빔의 전류 밀도는 Fareday cup을 이용했다. 6inch 크기의 ZrO2(yttria stabilized zirconia), MgF2 타겟트를 이용하여 Si(100), glass 기판위에 박막을 성장시켰다. 각 타겟트에 대한 증착변수로 이온 에너지, 기판온도, Ar 가스량을 변화시키면서 박막을 제조하였다. 제조된 박막의 광학적 특성으로 가시 영역에서 투과율의 변화는 자외/가시광선 분광 분석기 (UV/VIS specrophotometer)를 이용하여 측정했다. 그리고 박막의 조성 및 결정학적 구조는 AES EDS와 XRD로 확인하였다. 이온 빔 전압 500V, 빔 저류 55mA일 때 온도는 상온에서 30$0^{\circ}C$까지 승온 후 MgF2 박막의 XRD분석결과 우세한 결정성을 관찰할 수 없었으며, 이 때의 광 투과도는 가시영역에서 80~90%의 값으로 측정되었다. 추후 증착된 막의 결정성을 위해 열처리를 실시하고, 각 증착조건에 대한 결과는 학회 발표시 보고한다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2011년도 제40회 동계학술대회 초록집
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• pp.462-462
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• 2011

그래핀은 탄소원자로 구성된 원자단위 두께의 매우 얇은 2차원의 나노재료로서 높은 투광도 뿐만 아니라 우수한 기계적, 전기적 특성을 지니며 구조적 화학적 으로도 매우 안정한 것으로 알려져 있다. 이러한 그래핀을 얻는 방법에는 물리·화학적 박리법, 탄화규소의 흑연화, 열화학기 상증착법(thermal chemical vapor deposition; TCVD)등 많은 방법들이 존재한다. 이중 TCVD방법이 대면적으로 두께균일도가 높은 그래핀을 얻는데 가장 적합한 방법으로 알려져 있다. 한편 그래핀은 우수한 특성들을 기반으로 센서나 메모리와 같은 기능성 소자로 응용이 가능할 뿐 아니라 투명고분자 기판으로 전사함으로서 유연성 투명전극을 제작 가능하여 기존의 인듐산화물(indium tin oxide; ITO) 투명전극을 대체하여 디스플레이, 터치스크린, 전·자기 차폐재 등의 다양한 분야로의 응용이 가능하다고 예측되고 있다. 본 연구에서는 TCVD법을 이용하여 대면적으로 두께균일도가 높은 그래핀을 합성하여 투명 고분자 기판(polyethylene terephthalate; PET) 위에 전사하여 투명전도막을 제작한 후, 압축변형률(compressive strain)의 변화에 따른 전기적 특성 변화를 측정하였다. 그래핀은 300 nm 두께의 니켈박막이 증착된 산화물 실리콘 기판위에 원료가스로 메탄(CH4)을 사용하여 합성하였다. 합성 결과 단층 그래핀의 면적은 약 80% 이상이었으며, 합성된 그래핀은 분석의 용이함 및 향후 다양한 응용을 위하여 식각공정을 통해 산화막 실리콘 기판과 PET기판으로 전사하였다. PET기판 위로 전사하여 제작한 그래핀 투명전도막의 strain 인가에 따른 전기적 특성을 관찰한 결과, 약 20%의 비교적 높은 strain하에서도 전기적특성이 크게 변화하지 않는 것을 확인하였다. 그래핀의 특성분석을 위해서는 광학현미경, 라만 분광기, 투과전자현미경, 자외 및 가시선 분광광도계, 4탐침측정기 등을 이용하였다.