• 한국노년학
• /
• v.34 no.2
• /
• pp.277-297
• /
• 2014

This study investigates the predictors of the relationship quality between grandparents and grandchildren in emerging adulthood. Participants were 501 grandchildren with at least one living maternal/paternal grandparents. According to the t-test, the frequency of contact with maternal grandparents, the similarity of value to paternal grandparents, and the affective solidarity with paternal grandparents were significantly different depending on the grandchildren's sex. Results of multiple regression analyses indicated that the relationships of father-grandparents and mother-grandparents, the frequency of contact, and the similarities of value significantly predicted the affective solidarity between grandparents and grandchildren. However, the relative predictive power of these variables was different by the lineage and the grandchildren's sex.

• The Journal of the Petrological Society of Korea
• /
• v.23 no.2
• /
• pp.75-103
• /
• 2014

The Quaternary faults are extensively observed along major inherited fault zones (i.e. Yangsan Fault System, Ulsan Fault, Yeonil Tectonic Line, Ocheon Fault System) in SE Korea. Their geometry and kinematics provide a very useful piece of information about the Quaternary crustal deformation and stress field in and around Korean Peninsula. Using magnetic fabrics (AMS), we attempted to determine the slip senses of Jinti, Mohwa, Suseongji2, and Wangsan faults and then interpreted the fabric development process of fault gouge and the characteristics of stress field during the Quaternary. All the magnetic fabrics of the faults, except the Wangsan Fault, consistently indicate a dominant reverse-slip sense with weak strike-slip component. Most of the oblate fabrics are nearly parallel to the fault surface and the anisotropy degrees generally increase in proportion to the oblatenesses. These results suggest that the fabrics of the fault gouges resulted from a progressive deformation due to continuous simple shear during the last reactivation stage as reverse faulting. It is also interpreted that the pre-existing fabrics were overwhelmed and obliterated by the re-activated faulting. Paleostress field calculated from the fault slip data indicates an ENE-WNW compressive stress, which is in accord with those determined from previous fault tectonic analysis, focal mechanism solution, and hydraulic fracturing test in and around Korean Peninsula.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
• /
• 2009.06a
• /
• pp.29-29
• /
• 2009

현재 고집적 비휘발성 메모리 소자로는 MRAM (Magnetic Random Access Memory)과 PRAM (Phase Magnetic Random Access Memory)이 활발하게 미국과 일본, 한국 등에서 다양한 연구가 진행되어 오고 있다. 이 중에서 MRAM은 DRAM과 비슷한 10 ns의 빠른 읽기/쓰기 속도와 비휘발성 특성을 가지고 있으며, 전하를 저장할 커패시터가 필요 없고, 두 개의 자성충에 약 10 mA 정도의 전류를 가하면 그때 발생하는 약 10 Oe의 자장을 개개의 비트를 write하고, read 시에는 각 비트의 자기저항을 측정함으로써 데이터를 저장하고 읽을 있으므로, 고집적화가 가능성하다 [1]. 현재 우수한 박막 재료가 개발 되었으나, 고집적 MRAM 소자의 양산에는 해결 하여야 하는 문제점이 있다. 특히 다층 박막으로 구성되어 있으므로 식각 공정의 개발이 필수적이다. 지금까지 MRAM 재료의 식각은 주로 Ion milling, ICP, ECR등의 플라즈마 장치를 되었고, 식각 가스로는 할로겐 기체와 금속카보닐 형성을 위한 Co/$NH_3$와 $Ch_3OH$ 기체가 이용되고 있다. 그러나 할로겐 계열의 기체를 사용할 경우, 식각 부산물들의 높은 끓는점 때문에 식각 부산물이 박막의 표면에서 열적 탈착에 의하여 제거되지 않기 때문에 높은 에너지를 가지는 이온의 도움에 의한 식각이 필요하다. 또한 Cl 계열의 기체를 사용할 경우, 식각 공정 후, 시료가 대기에 노출되면 대기 중의 수분과 식각 부산물이 결합하여 부식 현상이 발생하게 된다. 그러므로 이를 방지하기 위한 추가 공정이 요구된다. 최근에는 부식 현상이 없고, MTJ 상부에 사용되는 Ta 또는 Ti Hard mask와의 높은 선택비를 가지는 $CH_3OH$ 또는 CO/$NH_3$가 사용되고 있다. 하부 박막에 따른 식각 특성에 연구와 다층의 박막의 식각 공정에 발생에 관한 발표는 거의 없다. MRAM을 양산에 적용하기 위하여서는 Main etch 공정에서 빠른 식각 공정이 필요하고, Over etch 공정에서 하부박막에 대한 높은 선택비가 요구된다. 그러므로 본 논문에서는 식각 변수에 따른 플라즈마 측정과 표면 반응을 비교하여 각 공정의 식각 메커니즘을 규명하고, Main Etch 공정에서는 $Cl_2$/Ar 또는 $BCl_3$/Ar 가스를 이용하여 식각 실험을 수행하고, Over etch 공정에는 낮은 Ta 박막 식각 속도를 가지는 $Ch_4/O_2$/Ar 또는 $Ch_3OH$/Ar 가스를 이용하고자 한다. 플라즈마 내의 식각종과 Ta 박막과의 반응을 XPS와 AES를 이용하여 분석하고, 식각 공정 변수에 따른 식각 속도, 식각 선택비와 식각 프로파일 변화를 SEM을 이용하여 관찰한다.

• Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea TC
• /
• v.41 no.9
• /
• pp.73-80
• /
• 2004

In this paper, we present the cell resequencing buffer to solve the cell sequence integrity problem of the Cyclic banyan network that is a high-performance fault-tolerant cell switch. By offering multiple paths between input ports and output ports, using the deflection self-routing, the Cyclic banyan switch offer high reliability, and it also solves congestion problem for the internal links of the switch. By the way, these multiple paths can be different lengths for each other. Therefore, the cells departing from an identical source port and arriving at an identical destination port can reach to the output port as the order that is different from the order arriving at input port. The proposed cell resequencing buffer is a hardware sliding window mechanism. to solve such cell sequence integrity problem. To calculate the size of sliding window that cause the prime cost of the presented device, we analyzed the distribution of the cell delay through the simulation analyses under traffic load that have a nonuniform address distribution that express tile Property of traffic of the Internet. Through these analyses, we found out that we can make a cell resequencing buffer by which the cell sequence integrity is to be secured, by using a, few of ordinary memory and control logic. The cell resequencing buffer presented in this paper can be used for other multiple paths switching networks.