• 대한전자공학회논문지
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• 제11권2호
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• pp.5-11
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• 1974

IMPATT다이오드의 자기혼합효과(self mixing effect)를 이론으로 해석하고 실험으로 확인하였다. 이론은 증배과정에서 외부의 마이크로도 신호에 의하여 공간전하가 변조를 받는 것에 근거하였다. 비이트출력은 신호전력과 IMPATT다이오드발진전력에 직선적으로 비례하였고 IMPATT다이오드의 부성저항이 클수록 비이트출력이 증대하였다. 실험은 GaAs의 EPi층과 금속사이의 Schottky접합을 갖는 IMPATT다이고드를 사용하였다. 전자계산기의 계산결과 10(GHz)에서 변환이득은 -0.4[db]였으며 실험치는 비이트주파수 20(MHz)에서 -6.6[db]였다. 이 차이는 Read모델의 단순한 가정과 공진기의 구조에 의한 것이었다. 1개의 다이오드가 국부발진 및 R합작용을 동시에 수행할 수 있었으며, 또 변환이득은 일반다이오드보다 높았고 IMPATT다이오드의 발진출력에 따란 증대시킬 수 있었다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2002년도 하계학술대회 논문집 C
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• pp.1524-1526
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• 2002

본 논문에서는 $1.62{\times}1.0{\times}0.88mm^3$ 크기의 C-type과 $1.58{\times}0.82{\times}0.94mm^3$ 크기의 H-type RF 칩 인덕터를 제작하고 그들의 고주파 특성을 비교하였다. 본 연구에서는 저손실 $Al_2O_3$ 코아 물질과 직경 $40{\mu}m$의 구리(Cu) 코일을 사용하였다. 권선수를 $2{\sim}14$회로 하여 인덕턴스(L), 품질계수(Q), 임피던스의 크기와 위상, 커패시턴스(C)를 HP4291B Impedance/Material Analyzer로 측정하였다. 10회 권선시 C-type은 55nH, H-type은 67nH, 14회 권선시 C-type은 100nH, H-type은 122nH 정도로 측정되었다. 실험 결과 H-type이 C-type보다 동일 권선수에 대하여 높은 인덕턴스와 높은 자기공진주파수(SRF)를 나타냄을 확인하였다. 또한 최대 품질계수는 두 형태가 거의 비슷한 값($55{\sim}87$)을 가짐을 관찰하였다. 따라서 H-type이 C-type보다 우수한 성질을 나타냄을 알 수 있다.

• 한국산학기술학회논문지
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• 제9권3호
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• pp.638-644
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• 2008

슬립램프의 응용은 소형으로 디자인되는 원리를 이행하므로 작은 사이즈의 전자식 안정기가 요구된다 하지만 기존의 $50{\sim}60Hz$에서 동작되는 자기석 안정기들은 현저한 플리커(깜빡거림) 현상, 높은 손실, 큰 파고율 그리고 무거운 단점을 가지고 있다. 본 연구에서는 이러한 문제들을 해결하기 위해서 35W급(T5급) 형광등을 동작시키기 위한 제안된 새로운 타입으로 구성된 전자식 안정기로 정류기, 역률개선, 직렬 공진 하프 브리지 인버터 그리고 압전 변압기를 구성한 시스템을 제안하였다. 이 같은 압전 변압기를 이용한 전자식 안정기 구성으로 35급(T5급) 형광등을 성공적으로 동작시킬 수 있었다. 제안된 전자식 안정기를 약 $75{\sim}79kHz$의 주파수로 구동 시켜서 실험한 결과 25분 구동 후에 형광램프는 시스템 전체 안정기의 역률과 효율은 각각 0.95, 0.86%의 양호한 결과를 얻을 수 있었다.