• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2011.07a
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• pp.1483-1484
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• 2011

상용 뮤-메탈, 방향성 및 무방향성 규소강판을 출발 재료로 하여 두께 0.1 mm의 차폐재 3 종류를 제조하여 전력 케이블 인근자계 차폐 효과를 조사하였다. 3상 전류일 때, 차폐재 위치의 자기장이 100 ${\mu}T$ 정도이면 뮤-메탈이(SF < 0.1) 가장 효과적이었고, 500 ${\mu}T$ 이상이면 규소강판이(SF 0.3~0.4) 더 효과적이었다. 또한, 안쪽에 방향성 규소강판, 바깥쪽에 뮤-메탈을 함께 둘러쌀 경우 500 ${\mu}T$까지도 SF를 0.1 이하로 할 수 있었다. 한편, 단상 전류에서는 고투자율 소재의 적용은 오히려 자기장을 증가시키는 결과를 보였다. 이상의 결과는 자기장 강도 H의 크기에 따라 각 소재의 투자율 우열이 서로 다른 점과 이로 인해 차폐재 내에 유도되는 자기장 벡터와 원래의 자기장 벡터의 상호 상쇄 및 중첩 작용으로 설명할 수 있었다.

• NEWSLETTER 전기공업
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• no.97-13 s.182
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• pp.12-29
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• 1997

• The Journal of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science
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• v.20 no.7
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• pp.639-647
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• 2009

In this work, wrapping conductors with thin magnetic materials is proposed as a magnetic shielding method. The 0.1 mm thick metal sheets of mu-metal, grain-oriented electrical steel, and non-oriented electrical steel were produced from commercial alloy sheets through cold rolling and followed high temperature annealing. In case of 3-phase electric currents, mu-metal was the best in shielding performance at a B-field magnitude of about 100 ${\mu}T$, whereas silicon steels were better than mu-metal at a B-magnitude over 500 ${\mu}T$. In addition, wrapping with silicon steel(inner) together with mu-metal(outer) resulted in a shielding factor less than 0.1 even at 500 ${\mu}T$. These results are due to changes in hierarchy of magnetic permeabilities of the materials with increasing magnetic field strength. In case of single-phase electric current, B-magnitude outside the magnetic shell was rather increased compared to the unshielded case. This result is explained by vector composition of B-fields near magnetic shielding materials.

• Proceedings of the Korean Magnestics Society Conference
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• 2016.05a
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• pp.173-173
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• 2016

• Asia-pacific Journal of Multimedia Services Convergent with Art, Humanities, and Sociology
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• v.9 no.6
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• pp.711-718
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• 2019

Spectrum analyzer and electromagnetic field meter were used to investigate the EM generation behaviour in different types of home electrical appliances. During microwave oven operation, the EM power measured at a point 30cm apart was measured in the range of 8~11mW/㎡, the strength of the low frequency magnetic field was 60~80mG and the electric field strength was measured at 150~160V/m. For smart phone wireless charging pad, it was measured at an electromagnetic power of 0.4mW/㎡, an electric field of 160 V/m and a magnetic field of 1mG at a point 10cm away. For microwave oven and wireless charging pad, if used within 10cm, the size of the electric field has been measured at a large value that exceeds the human body protection standard and may be hazardous to humans. On the other hand, home appliances such as TVs, hairdryers and refrigerators all showed very low levels of electromagnetic waves, electric fields and magnetic fields, with no harmful effects seen. For electromagnetic shielding, the metal Cu fabric and metal foil had a high level of EM shielding, while polymer films had a low EM shielding characteristic.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2011.02a
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• pp.460-460
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• 2011

그래핀은 탄소원자로 구성된 2차원의 나노재료로서 우수한 기계적, 전기적, 광학적 특성을 지닌다. 이러한 특성들을 기반으로 그래핀은 디스플레이, 터치스크린, 전 자기 차폐재 등의 다양한 분야로의 응용이 가능하다고 예측되고 있다. 한편 이러한 특성은 그래핀의 구조 및 결함, 불순물 등에 의하여 변화한다고 알려져 있으며, 이러한 특성의 변화를 통해 전자소자로의 응용도 가능 하다고 예측되고 있다. 따라서 그래핀의 구조를 제어하고 적절한 결함 및 불순물을 부여하는 것은 그래핀의 기초물성 연구 뿐 아니라 응용연구 에 있어서도 매우 중요하다고 할 수 있다. 본 연구에서는 공기 플라즈마를 이용하여 그래핀의 구조변형을 도모하였다. 그래핀은 열화학 기상증착법 (thermal chemical vapor deposition; TCVD)을 이용하여 300 nm 두께의 니켈박막이 증착된 기판위에 합성하였다. 합성된 그래핀은 산화처리 시 기판의 영향을 배제하고자 트렌치(trench) 구조의 산화막 실리콘 기판위로 전사함으로서 공중에 떠 있는 (air suspended) 구조를 구현하였다. 산화처리를 위한 장치는 직류 플라즈마 장치를 이용하였으며 0.1 Torr의 압력에서 0.4W의 파워로 공기 플라즈마를 방전하여 5분간의 산화처리와 특성평가를 매회 반복함으로서 처리시간에 따른 산화처리의 영향을 관찰하였다. 그 결과 공기 플라즈마 산화처리를 통해 그래핀에 결함을 부여하고 그래핀의 구조변형이 가능함을 확인하였다. 그래핀의 특성분석을 위해서는 광학현미경, 라만 분광기, 원자간힘현미경 등을 이용하였다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2011.02a
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• pp.462-462
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• 2011

그래핀은 탄소원자로 구성된 원자단위 두께의 매우 얇은 2차원의 나노재료로서 높은 투광도 뿐만 아니라 우수한 기계적, 전기적 특성을 지니며 구조적 화학적 으로도 매우 안정한 것으로 알려져 있다. 이러한 그래핀을 얻는 방법에는 물리·화학적 박리법, 탄화규소의 흑연화, 열화학기 상증착법(thermal chemical vapor deposition; TCVD)등 많은 방법들이 존재한다. 이중 TCVD방법이 대면적으로 두께균일도가 높은 그래핀을 얻는데 가장 적합한 방법으로 알려져 있다. 한편 그래핀은 우수한 특성들을 기반으로 센서나 메모리와 같은 기능성 소자로 응용이 가능할 뿐 아니라 투명고분자 기판으로 전사함으로서 유연성 투명전극을 제작 가능하여 기존의 인듐산화물(indium tin oxide; ITO) 투명전극을 대체하여 디스플레이, 터치스크린, 전·자기 차폐재 등의 다양한 분야로의 응용이 가능하다고 예측되고 있다. 본 연구에서는 TCVD법을 이용하여 대면적으로 두께균일도가 높은 그래핀을 합성하여 투명 고분자 기판(polyethylene terephthalate; PET) 위에 전사하여 투명전도막을 제작한 후, 압축변형률(compressive strain)의 변화에 따른 전기적 특성 변화를 측정하였다. 그래핀은 300 nm 두께의 니켈박막이 증착된 산화물 실리콘 기판위에 원료가스로 메탄(CH4)을 사용하여 합성하였다. 합성 결과 단층 그래핀의 면적은 약 80% 이상이었으며, 합성된 그래핀은 분석의 용이함 및 향후 다양한 응용을 위하여 식각공정을 통해 산화막 실리콘 기판과 PET기판으로 전사하였다. PET기판 위로 전사하여 제작한 그래핀 투명전도막의 strain 인가에 따른 전기적 특성을 관찰한 결과, 약 20%의 비교적 높은 strain하에서도 전기적특성이 크게 변화하지 않는 것을 확인하였다. 그래핀의 특성분석을 위해서는 광학현미경, 라만 분광기, 투과전자현미경, 자외 및 가시선 분광광도계, 4탐침측정기 등을 이용하였다.