현재 인터넷을 통한 상대방의 신뢰성을 보장해 주는 인증서 사용이 빈번해지고 있다. 그러나 오프라인상의 전자문서는 상대방의 신뢰성 보장과 전자문서의 위변조의 위험성이 많다. 또한 전자문서는 오프라인상의 이동성에 제악을 받게 된다. 본 논문에서는 이러한 문제를 해결하고, 사용자가 온라인과 오프라인에서도 사용하게 편리하도록 문서내용, 문서작성자의 인증서 그리고 전자서명값을 이차원 바코드로 변환하여 출력된 전자문서에서 상대방의 신뢰성과 문서의 무결성을 보장하도록 제안한다. 제안된 시스템에서는 문서내용, 문서작성자의 인증서, 전자서명값을 변환해 출력문서에 이차원 바코드를 첨부하게 된다. 출력된 문서에서 첨부된 이차원 바코드를 스케닝 하고 문서내용, 문서작성자의 인증서 그리고 전자서명값을 얻어오고 검증을 통해 위변조 여부 판단하여 상대방의 신뢰성과 문서의 무결성을 확인 하도록 한다.
Extended X-ray Absorption Fine Structure (EXAFS)는 일반적으로 널리 사용하는 X선 회절분광기로 분석하기 힘든 chemical 또는 biological system의 structural analyses에 매우 유용한 분석방법이다. 특히 세라믹이나 유전체 비정질 재료의 미세 원자 구조에 관한 정보를 얻는데는 가장 강력한 분석방법중의 하나로 알려져 있다. 현재까지 대부분의 EXAFS 실험은 방사광 가속기를 이용하여 수행하였다. 그런데 신제품 개발의 순환주기가 급속하게 단축되는 현실적인 문제에 부응하기 위하여 실험실에서 EXAFS 실험을 수행할 수 있는 system을 개발하게 되었다. 개발한 XIEES 장비는 rotating anode 형의 18kW X-ray source, Optical system, Detection system, Stepping motor control system, vacuum system, Utility 등으로 구성하였다. Optical system에서의 6개의 Johanson type monochromator를 사용하여 분석가능한 x-ray energy range를 480eV에서 41keV까지 구현하였다. 이는 산소에서 우라늄까지 분석이 가능함을 의미하는 것으로, 산화물 연구에 많이 활용할 것으로 기대한다. XIEES는 투과 및 형광 X-ray를 검출할 수 있는 기능과 X-ray에 의해 여기 되는 모든(광전자, Aiger 전자, 이차전자)들을 검출할 수 있는 기능을 갖추고 있는데 이를 Total Electron Yield 측정이라고 한다. Total Electron Yield 측정은 박막 시료와 같이 투과가 되지 않는 시료를 분석할 뿐만 아니라, 경원소 분석, 낮은 에너지에서 흡수 edge가 나타나는 L-edge 측정을 통한 전자 구조 분석 등에 유용한다. 실험실용 XIEES 장비는 방사광가속기에 비해 x-ray flux가 크게 뒤지는 문제와 Total Electron Yield를 측정하는 데 있어서 source에서 나오는 x-ray beam이 진공용기 안에서 산란되어 이차전자를 여기하고 이 이차전자들이 전자검출기에 유입되어 측정에 영향을 미치는 background 문제 등이 있다. 이 두 가지 문제를 해결하기 위하여 Capillary tube를 사용하였다. 본 연구에서는 실험실용 XIEES 장비를 소개하고 이를 이용하여 Cu standard 시료에서 측정한 EXAFS 결과와 Capillary tube를 사용하여 얻은 x-ray flux 증진 및 background 제거 효과에 대해서 발표한다.
수 원자층 두께의 전이금속 칼코겐화물 이차원 반도체 소재는 스위칭 소자 등에 활용하기에 적합한 밴드갭 에너지를 가지며, 높은 이동도와 우수한 광반응성으로 인해 최근 큰 관심을 끌고 있다. 특히 이차원 소재이므로 dangling bond가 없다는 점, 구조적 안정성, 실리콘에 뒤지지 않는 고이동도, 직접천이 특성 등으로 인해 차세대 전자소자용, 더 나아가 실리콘 반도체 대체 소재로써의 가능성도 점쳐지고 있다. 본고에서는 전이금속 칼코겐화물 이차원 반도체의 소재 특성과 제조방법, 소자 응용면에서의 기술개발 동향, 시장전망 등에 대해 소개하고, 이 소재가 현재 기대하는 만큼 중요하게 활용되고 기술이 발전하기 위해서 반드시 해결해야 할 숙제 등에 대해 논의하고자 한다.
AC-PDP(Plasma display Panel)는 기체 방전을 이용한 디스플레이로서 기체에 직접 노출되는 MgO 보호막의 이차전자 방출계수(${\gamma}$)는 AC-PDP의 방전특성을 결정짓는 중요한 요소이다. MgO 보호막의 이차전자 방출계수는 AC-PDP에 주입하는 기체의 종류, 결정 방향성과 표면오염상태등에 영향을 받는다. 본 연구에서는 MgO 보호막을 열처리한 상태와 열처리 하지 않은 상태를 ${\gamma}$-FIB 장치를 이용하여 2차전자방출 계수를 측정하여 비교하였다. 또한 24시간 MgO 보호막을 대기중에 방치하여 두었을 때 MgO 보호막의 표면오염상태에 대한 2차전자방출계수값을 측정하여 MgO 보호막의 표면오염에 대한 방전 전압특성저하가 어느정도인지를 알아보았다. 실험에 사용한 혼합기체는 Ne+Xe, He+Ne+Xe 혼합기체를 사용하였고, MgO 보호막은 21inch 규격의 실제 PDP Panel의 MgO 보호막을 사용하였다.
Secondary electron detectors used in scanning electron microscope accept secondary electrons emitted from the specimen and convert them to an electrical signal that, after amplification, is used to modulate the gray-level intensities on a cathode ray tube, producing an image of the specimen. In order to acquire images with good qualities, as many secondary electrons as possible should be reached to the detector. To realize this it is very important to select an appropriate mounting position and angle of the detector inside the chamber of scanning electron microscope. In this paper, a number of numerical simulations are performed to explore the relationships between detection rates of secondary electrons and the values of some parameters, such as distances between the detector and sample, relative mounting positions of scintillator positioned inside the detector with respect to detector cover, two types of mounting angles of the detector. The relationships between detection rates and applied voltages to corona ring and faraday cage, and energies of secondary electrons are investigated as well.
The nature of the signals collected by an SEM(Scanning Electron Microscope) in order to form images are all dependent on the detector used to collect them, and the quality of an acquired image is strongly influenced by detector performance. Therefore, the development of detector with high performance is very important in pulling up the resolution of SEM This study presents the secondary electron detector for use in scanning electron microscope, electric circuit and I/V conversion circuit for driving that detector.
플라즈마 화상표시기 (PDP)의 보호막 물질로 사용 중인 다결정 MgO의 특성을 개선하기 위하여 본 연구에서는 MgO에 희토류계 원소를 치환하여 제조하였으며, 치환량에 따른 MgO 보호막의 광학적 특성과 전기적 특성을 고찰하였다. MgO + 100 ppm $Gd_2O_3$조성으로 제작한 MgO 박막의 이차전자 방출계수 값이 순수 MgO 보다 35% 높게 나타났다. $Gd_2O_3$ dopant가 100 ppm 첨가시까지 밀도가 증가하였으나, 그 이상 첨가시 감소하는 경향을 나타냈다. 가속전압 200 V에서 이차전자 방출계수는 0.138 이었고 표면거칠기는 5.77 nm 이었으며 투과율은 550 nm 에서 95.76% 이었다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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