Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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v.19
no.6
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pp.1485-1492
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2015
This paper proposes a double frequency method using FTP(Fourier Transform Profilometry) in fringe projection techniques for 3D measurement systems. In fringe projection techniques, fringe pattern images are projected and captured, and then object is measured by analysing phase. PMP(Phase Measuring Profilometry) for analysing phase provides high-resolution and is robust to object's reflection and background intensities. However, the measurement range is narrow due to 2π ambiguity. In order to overcome this problem, a double frequency method is often used. This method can widen the range of measurement while maintaining the high-resolution, but the measurement time is taken about twice due to grab 2 times number of images. The proposed double frequency method using FTP requires an additional image for resolving 2π ambiguity. The proposed method effectively reduces the measurement time while maintaining the same accuracy.
The size of a reconstructed image depends on the reconstruction distance and wavelength. The double fourier transform method is proposed to eliminate the dependence on the reconstruction distance and wavelength. We can get a fixed reconstructed image size by using the double fourier transform method. Two wavelength digital holography is proposed to measure the step height, which is larger than a single wavelength. The two image size of different wavelength holograms should be the same in order to apply two wavelength digital holography. We use two wavelength digital holography and double fourier transforms to measure the step height. The measured data were reasonable and we found that the double fourier transform is useful in two wavelength digital holography.
Proceedings of the Optical Society of Korea Conference
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2009.02a
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pp.297-298
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2009
파장 분할 방식의 광섬유 격자 센서의 멀티플렉싱 능력을 향상시키기 위하여 이중 격자의 파장 간격 변조로 구분되는 다중 광섬유 격자 센서 시스템을 제안하였으며, 서로 다른 파장 간격을 가지는 센서의 상태와 위치를 정확히 구별할 수 있는 방법을 연구하고 씨뮬레이션을 통하여 확인하였다. 또한 변형력 하에서 광섬유격자 센서들간의 스펙트럼 중첩으로 불명확한 브래그 피크를 최급 강하법(steepest descent method) 알고리즘을 사용하여 약 3 pm이내의 표준편차로 결정할 수 있었다.
The optimum conditions of second harmonic generation (SHG) can be successfully achieved experimentally using single pass and double pass methods of a pumping beam. The beam has a power of several Watts radiated by a DOFA (Diode Laser Oscillator & Fiber Amplifier) system, which is a high power CW wavelength tunable infrared laser system, in a PPLN (Periodically Poled MgO doped Lithium Niobate) nonlinear crystal. In the case of a single pass method, the parameters are the wavelength of 535 nm for SHG and the output power of 245 mW generated from the pumping input beam with wavelength of 1070 nm and the power of 2.45 W at phase matching temperature of $108.9^{\circ}C$. The conversion efficiency of SHG was 10%. In order to enhance the output of SHG, the double pass method of the SHG system of a PPLN using a concave mirror for the retroreflection and a pair of wedged flat windows for phase compensation was also presented. In this double pass system, we obtained the SHG output beam with the wavelength of 535 nm and the maximum power of 383 mW at optimum phase matching temperature of $108.5^{\circ}C$ by using an incident pumping beam with wavelength of 1070 nm and the power of 2.45 W. The maximum conversion efficiency is 15.6%, which is more than that of the single pass method.
평면 레이저 유도 형광법을 사용하여, 가시와 엔진내부에서 연소 과정이 진행되느 동안 OH라디칼 분포에 대한 2차원 영상을 계측하였다. Rayleigh 산란광을 차단하기 위해서 광대역 필터인 UG11을 사용하였으며, OH 형광 영상은 ICCD카메라로 수집하였다. OH라디칼 은 Q1(11)과 P2(8) 파장으로 여기하였다. 엔진 연료로는 iso-octane을 사용하였으며, 이 연료에서는 자체 형광이 발생하지 않았다. 난류를 암시하는 주름진 화염 경계면을 명확하게 관측하였으며, 어떤 영상에서는 화염 섬(flame island)이 나타나기도 한다.
광전자 기술의 발전 및 광 응용 분야의 확대에 따라 광전송치의 개발이 필수적이다. 이에 본 연구에서는 보다 넓은 영역의 광을 투과시키고, UV/VIS/NIR의 파장 영역에서 낮은 광 손실을 갖는 fiber를 제조하기 위하여 SiO₂,PbO를 주성분으로 하고 K₂O, Na₂O, B₂O₃등의 산화물을 적량 배합함으로써 core/clad유리의 제조 및 제조된 유리의 물성을 측정하였다. Core/clad의 match를 고려하여 최적조성을 선정하였으며, 이중도가니법을 이용하여 fiber를 제조하였다. 또한, 제조된 fiber의 구조적 특성을 관찰하였으며, 성형시 조건에 따라 50-200㎛의 직경을 갖는 fiber를 제조할 수 있었다. Fiber의 optical loss는 0.3-1.8㎛에서 측정하였다.
The Journal of Korean Institute of Communications and Information Sciences
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v.16
no.1
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pp.57-63
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1991
In this paper, propagation characteristics of W-type single mode fiber with dual shape core is investigeted theoretically. Design parameters of DSC(dual shape core) W-type single mode fiber with very low dispersion over a wide wavelength range are computed using scalar approximation. The results have larger core radius and stronger confinement for mode field distribution in core than conventional W-type fiber with single shape core.
Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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1994.11a
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pp.97-97
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1994
Wide gap 반도체 중 하나인 GaN 에너지갭이 실온에서 3.4eV 이고 직접천이형 에너지대 구조를 가지므로 청색 및 자외영역의 파장을 발광하는 발광다이오드와 바도체 레이저 다이오드의 제작에유용한 재료이다. GaN계 III족 질화물반도체가 다파장용 광원으로서 유망함을 보인 것은 1970년대 초방의기초적 연구이다. 이로부터 약 25년이 경고한 현재 청색발광다이오드가 실용화당계에 이르게 되었지만 아직까지 전류주입에 의한 레이저발진은 보고되고있지 않다. 이 논문에서는 ALGaN/GaN이중이종접합(DH) 구조의 광여기에 의한 유도방출과 광학적 이득을 측정하므로서 전류주입에의한 레이저발진의 가능성을 조사하였다. 유기금속기상에피텍셜(MOVPE)법으로 성장한 ALGaN/GaN DH구조의 표면에 수직으로 펄스발진 질소레이저(파장:337.1nm, 주기:10Hz, 폭: 8nsec) 빔의 공출력밀도를 변화시키어 조사하고 시료의단면 혹은 표면으로부터 방출되는 광 스펙트럼을 측정하였다. 입상광밀도가 증가함에 따라 자연방출에 의한 발광피크보다 낮은 에너지에서 발광강도가 큰 유도방출에 의한 피크가 370nm의 파장에서 현저하게 나타났으며 실온에서 유동방출에 필요한 입사공밀도의 임계치는 약 89㎾/$\textrm{cm}^2$이었다. 이는 GaN 단독층에 대한 유동방출의 임계치 700㎾/$\textrm{cm}^2$ 에 비하여 약 1/8정도 낮은 것이며, 이를 전류밀도로 환산하면 약 27㎄/$\textrm{cm}^2$ 정도로서 전류주입에 의하여서도 레이저발진을 실현할 수 있는 현실적인 값이다. 한편 광여기 방법으로 측정한 광학적 이득은 입사광의 밀도가 각각 100㎾/$\textrm{cm}^2$과 200㎾/$\textrm{cm}^2$일 때 34$cm^{-1}$ / 과 160 $cm^{-1}$ / 이었다. 이와 같은 결과는 GaN의밴드단 부근의 파장영역에서 AIGaN 흔정의 굴절율이 GaN의 굴절율보다 작으므로 DH구조의 채택의 의한 광의 몰입이 가능하여 임계치가 저하된 것으로 여겨진다. 또한 광학적 이득의 존재는 이 구조에 의한 극단파장 반도체 레이저다이오드의 실현 가능성을 나타내는 것이다.
AlGaN/GaInN 이중이종접합구조(double heterostructure :DH)를 대기압 유기금속기상에 피텍셜(MOVPE)법으로 AIN 와충층을 이용하여 사파이어 기판위에 성장하고, 실온에서의 광여기법에 의한 청색영역의 단면모드 유도방출특성과 편광특성을 조사하였다. 여기광원의 광밀도가 증가함에 따라 청색 영역에서의 유도방출 피크는 낮은 에너지 쪽으로 이동하였고, 유도방출 피크파장은 여기광밀도가 200kW/$cm^{2}$일때 402nm 이었으며, 스펙트럼의 반치폭은 18meV 이었다. 또한 유도방출에 필요한 여기광밀도의 임계치는 130 kW/$cm^{2}$ 이었다. AlGaN/GaInN로부터 방출되는 유도방출 광은 임계치 이상에서 TE-mode로 편광 되었다.
AIN 완충층을 이용하여 대기압 유기금속에피텍셜 (MOVPE)법으로 사파이어 기판위에 성장시킨 AlGaN/GaN 이중 이종접합구조(double heterostructure : DH)의 고밀도 광여기에 의한 자외선 영역에서의 단면모드 유도방출 특성에 대하여 조사하였다. 실온에서 여기광 밀도 200kW/$cm^{2}$에서 방출된 AlGaN/GaN DH의 유도방출 피크파장과 반치폭은 각각 369nm와 22.4meV이었으며, 80K의 온도에서는 각각 360.1nm와 13.4meV이었다. 고밀도 광여기에 의하여 단면모드 자외영역 유도방출을 얻기에 필요한 입사광 밀도의 임계치는 실온과 80K의 온도에서 각각 89kW/$cm^{2}$와 44kW/$cm^{2}$이었다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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