Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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v.19
no.11
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pp.2526-2533
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2015
In this paper, a design method for a compact dual-band coplanar waveguide-fed slot antenna using SRR(split-ring resonator) conductor is studied. The SRR conductor is loaded inside a rectangular slot of the proposed antenna for dual-band operation. When the SRR conductor is inserted into the slot, the original rectangular slot is divided into a rectangular loop region and a rectangular slot region, and frequency bands are created by the loop and slot, separately. A prototype of the proposed dual-band slot antenna operating at 2.45 GHz WLAN band and 3.40-5.35 GHz band is fabricated on an FR4 substrate with a dimension of 30 mm by 30 mm. Experiment results show that the antenna has a desired impedance characteristic with a frequency band of 2.38-2.51 GHz and 3.32-5.38 GHz for a voltage standing wave < 2, and measured gain is 1.7 dBi at 2.45 GHz, and it ranges 2.4-3.2 dBi in the second band.
We report the spectral characteristics of Multimode Interferometer (MMI)-coupled semicondoctor square ring resonators. The epitaxial layers of the proposed semiconductor ring resonator consists of $1.55{\mu}m$ GaInAsP-InP multiple quantum wells. The lasing characteristics were observed by varying the structure parameters of the MMI-coupled square ring resonators. It is concluded that the MMI-coupled scheme selects a single spectral lasing mode in the double square ring cavities.
In this paper, a low-cost hybrid-integrated tunable laser is realized using a polymer-ring resonator-based add/drop filter reflector and a reflective semiconductor optical amplifier. The add/drop filter reflector, composed of a double-ring resonator with different radii, can have characteristics of selective wavelength reflection and wide wavelength tuning with an aid of vernier effect derived from the radii difference. By hybrid-integrating the reflective semiconductor optical amplifier with the add/drop filter reflector, a tunable laser can be realized through an active alignment method. The hybrid laser exhibited a single mode lasing with side mode suppression ratio of 26 dB and full width half maximum of 0.03 nm. In addition, applying a low current as small as 25 mA onto electrodes over add/drop filter reflector, a wavelength tuning range of 17 nm could be obtained.
Proceedings of the Korean Society of Tribologists and Lubrication Engineers Conference
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1991.06a
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pp.63-69
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1991
프로팅링저어널베어링은 저어널과 슬리브 사이에 자유롭게 움직일 수 있는 링을 삽입하여 이중의 유막이 형성되도록 한 것이다. 프로팅링저어널베어링은 이중의 유막을 가짐으로 인해 유량이 많이 필요하여 열적 특성이 좋고 마찰손실이 작으며 외축유막의 진동감쇠작용을 기대할 수 있으나, 링에 의해 내외축유막이 분리되어 있으므로 내축유막에 윤활제를 공급하는 것이 쉽지 않은 문제점이 있다. 동베어링에 대한 윤활제의 공급방법으로는 축을 통한 공급을 고려하지 않을 경우 다음과 같은 두가지를 생각할 수 있다. 첫째, 링에 내외축유막을 연결하는 급유구를 뚫어 외축유막으로 공급된 윤활제의 일부가 급유구를 통해 내축유막으로도 공급되도록 하는 방법 둘째, 축방향의 일단에서 내외축유막에 직접 가압급유하는 방법 이 가운데 둘째 방법은 축방향의 일단이 윤활제에 완전히 잠겨 있도록 밀봉하여야 하는 번거로움이 있으므로 잘 사용되지 않고 첫째 방법을 사용하는 것이 일반적이다. 첫째 방법에서도 링내외면에 원주방향급유홈을 파면 내외축유막으로의 윤활제공급이 보다 더 원활히 이루어 질 수 있을 것으로 기대되는데, 본논문에서는 이와 같이 원주방향급유홈이 있는 베어링을 원주방향급유홈 프로팅링저어널베어링이라 부르기도 하고, 이에 대하여 해석하고자 한다.
Proceedings of the Korean Society of Broadcast Engineers Conference
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2013.06a
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pp.87-89
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2013
기존의 영상 라벨러는 이중 스캔 연결 성분 라벨링 방식이 주로 사용되어 왔다. 그러나, 이중 스캔 연결 성분 라벨링 방식은 별도의 라벨 병합 구간 때문에 실시간 처리와 다채널 처리가 어렵다. 최근 단일 스캔 연결 성분 라벨링 방법들이 제안되었지만, 이들 역시 스캔 횟수는 줄일 수 있으나 별도의 라벨 병합 구간을 제거하지는 못하였다. 본 논문에서는 별도의 라벨 병합 구간을 갖지 않는 단일 스캔 연결 성분 라벨러 구조를 제안한다. 제안하는 구조는 라인 스캔과 동시에 라벨 병합이 이루어지기 때문에 고속 동작하고, 예상 가능한 프레임 처리율을 가지며, 다채널 처리가 가능하다. 제안하는 라벨러 구조는 FPGA로 설계되었고 동작이 검증되었으며, 성능 실험을 통해 고속 동작과 다채널 영상 처리에 적합함을 확인하였다.
본 논문에서는 HVDC C&P(High Voltage Direct Current Control and Protection) 시스템의 네트워크 이중화 방법을 제안한다. 본 논문에서 제안하는 HVDC C&P 시스템 네트워크 이중화 방법은 2개의 이더넷 라인을 제어기에 직접 연결하고, 연결된 라인으로 동시에 정보를 송신하여, 제어기에서 정보를 필터링하여 사용하는 방법을 사용한다. 또한 네트워크 라인의 효과적인 결선 체크를 위해 제어기간 송수신을 통해 네트워크 라인의 결선을 체크하는 방법을 사용한다. 위와 같은 방법은 HVDC C&P 시스템의 네트워크 안정성을 향상시키는 효과를 기대할 수 있다.
Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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v.10
no.3
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pp.479-485
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2006
The double gate(DG) MOSFET is a promising candidate to further extend the CMOS scaling and provide better control of short channel effect(SCE). DGMOSFETs, having ultra thin undoped Si channel for SCEs control, ale being validated for sub-20nm scaling. A novel analytical transport model for the subthreshold mode of DGMOSFETs is proposed in this paper. The model enables analysis of short channel effect such as the subthreshold swing(SS), the threshold voltage roil-off$({\Delta}V_{th})$ and the drain induced barrier lowering(DIBL). The proposed model includes the effects of thermionic emission and quantum tunneling of carriers through the source-drain barrier. An approximative solution of the 2D Poisson equation is used for the distribution of electric potential, and Wentzel-Kramers-Brillouin approximation is used for the tunneling probability. The new model is used to investigate the subthreshold characteristics of a double gate MOSFET having the gate length in the nanometer range $(5-20{\sim}nm)$ with ultra thin gate oxide and channel thickness. The model is verified by comparing the subthreshold swing and the threshold voltage roll-off with 2D numerical simulations. The proposed model is used to design contours for gate length, channel thickness, and gate oxide thickness.
Journal of the Institute of Electronics and Information Engineers
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v.50
no.5
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pp.287-294
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2013
Binary connected-component labeling is widely used in the fields of the image processing and the computer vision. Many kinds of labeling techniques have been developed, and two-scan is known as the fastest method among them. Traditionally pixel-based scan masks have been used for the first stage of the two-scan. Recently, block-based labeling techniques were introduced by C. Grana et. al. and L. He et. al. They are faster than pixel-based labeling methods. In this paper, we propose a new binary connected-component labeling technique with block-based labels and a pixel-based scan mask. The experimental results with various images show that the proposed method is faster than the He's which is known as the fastest method currently. The amount of performance enhancement is averagely from 3.9% to 22.4% according to the sort of the images.
Journal of the Institute of Electronics and Information Engineers
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v.53
no.9
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pp.26-37
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2016
The core technologies of the current transport network are OAM and protection switching to meet the sub-50ms protection switching time via a path redundancy when a link or node failure occurs. The transport networks owned by public network operators, central/local governments, and major enterprises are individually configured and managed with service resiliency in each own protected sub-network. When such networks are cascaded, it is also important to provide a node resiliency between two protected sub-networks. However, the linear protection switching in packet transport networks, such as MPLS-TP and Carrier Ethernet, does not define a solution of dual node interconnection. Although Ethernet ring protection switching covers the dual node interconnection scheme, a large amount of duplicated data frames may be flooded when a failure occurs on an adjacent (sub) ring. In this paper, we suggest a dual node interconnection scheme with linear protection switching technology in multiple protected sub-networks. And we investigate how various protected sub-network combinations with a proposed linear or ring protection process impact the service resiliency of multiple protected sub-networks through extensive experiments on link and interconnected node failures.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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