빛이 갖는 파동/입자 이중성을 물리학적 사고의 발전과 비교하면서 기술하였다. 아인슈타인으로부터 현대 양자광학까지 빛에 대한 이론의 변천을 추적하고, 각 이론을 지지하는 실험적 사실을 열거하였다. 아울러 양자역학이 갖는 미묘한 측면을 지적하고, 그 개념적 기반을 서술하였다.
전기이중층 커패시터 전극으로 사용하는 활성탄에 도전제로서 CNT와 super-p의 함량에 따른 이중층 커패시터의 특성을 연구하였다. CNT 함량이 4wt%까지는 도전제로서 CNT 함량이 증가할 수록 용량이 감소하는 반면 6wt%이상에서는 CNT 함량이 증가할 수록 단위 체적당 정전용량이 증가하였다. 충, 방전 특성과 직류 저항도 정전용량의 경향과 유사함을 보이고 있으며 이와 같은 결과는 비표면적이나 도전율에 의한 결과 보다는 분산성에 의한 결과로 예상된다. Super-p 10.5wt%, CNT 6.0wt%에서 단위 체적당 정전용량은 $22g/cm^3$, 직류저항 6.1[$\Omega$]의 전기이중층 커패시터 특성을 얻을 수 있었다.
시공을 잘 해놓고도 하자가 발생하면 업체는 매우 난감해진다. 하자는 기업의 신뢰성을 실추시킴은 물론 막대한 보수비용도 들어서 업체에서는 가급적이면 하자를 줄일 수 있는 공법개발에 심혈을 기울이고 있다. 본지는 하자발생률을 저하시키는 이중관 배관공법을 활발하게 시공하고 있는 (주)한은 E&C의 이중관 배관공법을 이번 호에 게재하고, 다음 호에는 (주)세방TEC의 이중관 배관공법을 게재할 계획이다.
네트워크는 서버를 유지 운영하기 위한 부수적 요소가 아니라 서버의 한 부분으로서 그 중요성을 더해가고 있으며, 네트워크 자체의 안정성이 서버 전체의 고가용성(HA)을 보장하기 위한 중요한 전제가 되었다. 따라서 네트워크의 속도 및 성능을 향상시키고 고가용성을 보장하기 위한 방법으로, 국지적 네트워크 이중화 방법을 제안한다. 현재의 기술 수준에서의 네트워크 이중화 시도는, 같은 네트워크 안에서 이종 OS와 HW를 갖는 서버들로 구성되는 경우 시스템 구현이 용이하지 않으며, 서버의 기종 또는 해당 플랫폼이 변경될 때마다 보완작업을 하거나 완전히 새로 설계해야 하는 어려움이 있다. 이를 해결하기 위해 본 논문에서는 서버, 혹은 OS의 종류에 독립적인 관점으로 LAN 이중화를 구현하여, 기존의 다중 서버와 함께 네트워크에서의 완전한 HA를 보장할 수 있는 저렴하고 안정적인 H/W 및 관련 S/W 솔루션 개발에 대해 제안하고자 한다.
ALTIBASE/sup TM/ 시스템은 메인 메모리를 주 저장장치로 사용하는 관계형 주기억장치 DBMS이다. 본 논문에서는 최근 데이터베이스 응용들의 요구사항으로 부각되고 있는 데이터베이스의 고가용성과 실시간 데이터베이스 시스템의 높은 트랜잭션 처리율을 동시에 보장하기 위하여 ALTIBASETM시스템의 구조 및 설계에 대하여 기술한다. 특히, 고가용성 보장을 위한 ALTIBASETM 시스템의 이중화 기능에 대하여 논의한다. 이중화 기법의 분류를 통해 다른 기법과의 비교를 하였으며, 이중화 관리를 위한 프로세스 구조 및 이중화 통신 모델, 프로토콜에 대하여 설명한다. 또한, 다양한 실험을 통하여 트랜잭션 처리율을 측정하였으며, 이중화 기능을 지원하기 위해 요구되는 오버헤드를 독립 시스템의 성능과 비교하여 측정하였다.
본 논문에서는 VMEbus를 적용한 시스템에서의 안정성과 생존성을 증대시킬 수 있는 이중화 네트워크 프로토콜을 구현한다. 일반적으로 시스템의 생존성을 증대시키기 위한 방법으로써 적용하는 이중화 기법은 두 개의 프로세스 상호 간에 두 개의 네트워크망을 구성하여 이중화를 구현하는 것이다. 그러나 프로세스의 고장이나 물리적 네트워크망이 손실되었을 경우 기능을 제대로 수행하지 못할 수 있다. 이러한 문제점을 보완하고 안정성을 확보하기 위한 방법으로 프로세스 간에 VMEbus통신을 통한 이중화 네트워크망 프로토콜을 제시한다. 본 논문에서는 이 프로토콜을 직접 구현하고 실험을 통하여 이 방안의 타당성을 확인하고자 한다.
종방향 모드 전송선로 이론을 이용하여 이중 샌드위치 Rib-형 도파로에 기초한 초소형 편광 무의존성 방향성 결합기 (PIDC)의 편광특성을 자세하게 탐구하였다. 제안한 초소형 방향성 결합기의 편광 무의존성 조건을 얻기 위하여 샌드위치 rib형 도파로의 굴절률과 두께에 때라 변하는 quasi-TE 모드와 quasi-TM 모드의 결합길이와 결합효율을 분석하였다. 수치해석 결과, 수백 마이크로미터 크기의 초소형 편광 무의존성 방향성 결합기는 이중 샌드위치 층의 구조적, 물질적 변수들을 잘 선택함으로써 구현할 수 있음을 보였다. 또한, 이중 샌드위치 rib형 도파로에 분포하는 기본 모드의 프로필이 방향성 결합기의 성능에 어떤 영향을 미치는지에 대하여 조사하였다.
반도체 트랜지스터의 집적화 기술이 발달하고 소자가 나노미터 크기로 집적화 됨에 따라 문턱 전압의 변동, 높은 누설 전류, 문턱전압 이하에서의 기울기의 열화와 같은 단 채널 효과가 문제되고 있다. 이러한 문제점들은 비 휘발성 플래시 메모리에서 메모리 윈도우의 감소에 따른 retention 특성을 저하시킨다. 이중 게이트 구조의 metal-oxide-semiconductor field-effect-transistors (MOSFETs)은 이러한 단 채널 효과 중에서도 특히 문턱 전압의 변동을 억제하기 위해 제안되었다. 이중 게이트 MOSFETs는 상부 게이트와 하부 게이트 사이의 capacitive coupling을 이용하여 문턱전압의 변동의 제어가 용이하다는 장점을 가진다.기존의 플래시 메모리는 쓰기 및 지우기 (P/E) 동작, 그리고 읽기 동작이 채널 상부의 컨트롤 게이트에 의하여 이루어지며, 메모리 윈도우 및 신뢰성은 플로팅 게이트의 전하량의 변화에 크게 의존한다. 이에 따라 메모리 윈도우의 크기가 결정되고, 높은 P/E 전압이 요구되며, 터널링 산화막에 인가되는 높은 전계에 의하여 retention에서의 메모리 윈도우의 감소와 산화막의 물리적 손상을 초래하기 때문에 신뢰성 및 수명을 열화시키는 원인이 된다. 따라서 본 연구에서는, 상부 게이트 산화막과 하부 게이트 산화막 사이의 capacitive coupling 효과에 의하여 하부 게이트로 읽기 동작을 수행하면 메모리 윈도우를 크게 증폭시킬 수 있고, 이에 따라 동작 전압을 감소시킬 수 있는 이중 게이트 구조의 플래시 메모리를 제작하였다. 그 결과, capacitive coupling 효과에 의하여 크게 증폭된 메모리 윈도우를 얻을 수 있음을 확인하였고, 저전압 구동 및 신뢰성을 향상시킬 수 있음을 확인하였다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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