• 전자공학회논문지D
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• 제35D권12호
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• pp.48-52
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• 1998

본 논문에서는 SOI 기판 위에 새롭게 제안된 측면 채널과 나노 점을 갖는 나노 구조의 기억소자를 제작하였다. Top-silicon의 측면이 채널영역이 되고 나노 점이 이 채널 영역의 위에 반응성 이온 식각(RIE)에 의해 형성되는 구조를 가지는 이 소자는 측면 채널(edge channel)의 너비가 SOI기판의 열산화에 의해 얇아진 top-silicon의 두께에 의해 결정되고, 나노 점의 크기는 반응성 이온 식각(RIE) 및 전자선 직접 묘화에 의해 결정된다. 제작된 나노 구조 소자의 I/sub d/-V/sub d/, I/sub d/-V/sub g/ 특성 및 -20V에서 +14V까지의 게이트 전압 영역에서 문턱전압의 변화 범위가 약 1V정도 되는 기억소자의 특성을 얻었다.

• 한국산학기술학회논문지
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• 제7권2호
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• pp.168-174
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• 2006

본 연구는 분자동력학 시뮬레이션을 이용하여 탄소 나노튜브를 이용한 전계효과 이온-전송 소자를 분석하였다. 외부 전기장에 의해 단전자 전계효과 트랜지스터 및 나노크기의 데이터 저장 장치로 활용될 수 있는 원리를 규명하였다. 외부 전기장이 증가할수록 칼륨 원자는 채널을 빠르게 통과하였다. 낮은 외부 전계에서는 나노채널의 열적 파동이 칼륨 원자의 터널링에 영향을 주게 됨을 해석하였다. 이로서 외부 전계의 강도에 따라 칼륨원자의 채널을 터널링하는 효과를 제어할 수 있는 메커니즘을 도출하였다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2002년도 하계학술대회 논문집 C
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• pp.1410-1412
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• 2002

TFT의 게이트 전극을 형성하기 전에 소오스/드레인 이온 주입과 ELA를 수행함으로써 이온 주입에 의해 발생하는 결정 결함을 줄이는 새로운 poly-Si TFT를 제안한다. 한번의 ELA 공정을 통해서 채널 실리콘 박막의 결정화와 소오스/드레인의 불순물 활성화를 동시에 이루어 접합부의 결함을 치유하였고, 이온 주입에 의해서 비정질화된 소오스/드레인 실리콘과 채널 비정질 실리콘의 용융조건 차이를 이용하여 소오스/드레인 접합부에 실리콘 그레인의 수평성장을 유도하였다. 제안된 소자는 기존의 소자(이동도 : 86 $cm^2/V{\cdot}S$, ON/OFF 전류비 $6.1{\times}10^6$)에 비해 우수한 특성(이동도 : 171 $cm^2/V{\cdot}S$, ON/OFF 전류비 $4.1{\times}10^7$)을 나타내었다. LDD나 off-set 구조 없이도 소오스/드레인 접합부의 결함이 완전히 제거되어 누설전류가 감소하였고 소오스/드레인 접합부 결함이 있던 자리에 1 ${\mu}m$ 이상의 수평성장 그레인이 위치함으로써 ON 전류도 증가하여 ON/OFF 전류비가 크게 개선되었다.

• ETRI Journal
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• 제14권1호
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• pp.40-51
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• 1992

$0.25{\mu} m$ 급 pMOSFET소자를 구현하기 위해, $P^+$ 폴리실리콘을 적용한 pMOS를 제작하였으며, $p^+$ 폴리실리콘 게이트 소자에서 심각하게 문제가 되고 있는 붕소이온 침투현상을 조사하고 붕소이온 침투가 일어나지 않는 최적열처리온도를 조사하였다. 소자제조 공정중 게이트 공정만 전자선 (EBML300)을 이용하여 직접묘사하고 그 이외의 공정은 stepper(gline) 을 사용하는 Mix & Match 방법을 사용하였다. 또한 붕소이온 침투현상을 억제하기 위한 한가지 예로서, 실리콘산화막과 실리콘질화막을 적층한 ONO(Oxide/Nitride/Oxide) 구조를 게이트 유전체로 적용한 소자를 제작하여 그 가능성을 조사하였다. 그 결과 $850^{\circ}C$의 온도와 $N_2$ 분위기에서 30분동안 열처리 하였을 경우, 붕소이온의 침투현상이 일어나지 않음을 SIMS(Secondary Ion Mass Spectrometer) 분석 및 C-V(Capacitance-Voltage) 측정으로 확인할 수 있었으며 그 이상의 온도에서는 붕소이온이 침투되어 flat band전압(Vfb)을 변화시킴을 알았다. 6nm의 얇은 게이트 산화막 및 $0.1{\mu} m$ 이하의 LDD(Lightly Doped Drain) $p^-$의 얇은 접합을 형성함으로써 소자의 채널길이가 $0.2 {\mu} m$까지 짧은 채널효과가 거의 없는 소자제작이 가능하였으며, 전류구동능력은 $0.26\muA$/$\mu$m(L=0.2$\mu$m, V$_DS$=2.5V)이었고, subthreshold 기울기는 89-85mV/dec.를 얻었다. 붕소이온의 침투현상을 억제하기 위한 한가지 방법으로 ONO 유전체를 소자에 적용한 결과, $900^{\circ}C$에서 30분의 열처리조건에서도 붕소이온 침투현상이 일어나지 않음으로 미루어 , $SiO_2$ 게이트 유전체보다 ONO 게이트 유전체가 boron 침투에 대해서 좋은 장벽 역활을 함을 알았다. ONO 게이트 유전체를 적용한 소자의 경우, subthreshold특성은 84mV/dec로서 좋은 turn on,off 특성을 얻었으나, ONO 게이트 유전체는 막자체의 누설전류와 실리콘과 유전체 계면의 고정전하량인 Qss의 양이 공정조건에 따라 변화가 심해서 문턱전압 조절이 어려워 소자적용시 문제가 된다. 최근 바닥 산화막(bottom oxide) 두께가 최적화된 ONO 게이트 유전체에 대하 연구가 활발히 진행됨을 미루어, 바닥 산화막 최적화가 된다면 더 좋은 결과가 예상된다.

• 전자공학회논문지D
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• 제36D권5호
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• pp.21-28
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• 1999

Deep Submicron 영역에서 요구되는 고성능 소자로서 자기-정렬된 ESD(Elevated Source/Drain)구조의 MOSFET을 제안하였다. 제안된 ESD 구조는 일반적인 LDD(Lightly-Doped Drain)구조와는 달리 한번의 소오스/드레인 이온주입 과정이 필요하며, 건식 식각 방법을 적용하여 채널의 함몰 깊이를 조정할 수 있는 구조를 갖는다. 또한 제거가 가능한 질화막 측벽을 최종 질화막 측벽의 형성 이전에 선택적인 채널 이온주입을 위한 마스크로 활용하여 hot-carrier 현상을 감소시켰으며, 반전된 질화막 측벽을 사용하여 기존이 ESD 구조에서 문제시될 수 있는 자기-정렬의 문제를 해결하였다. 시뮬레이션 결과, 채널의 함몰 깊이 및 측벽의 넓이를 조정함으로써 충격이온화율(ⅠSUB/ID) 및 DIBL(Drain Induced Barrier Lowering) 현상을 효과적으로 감소시킬 수 있고, 유효채널 길이에 따라 차이가 있으나 두 번의 질화막 측벽을 사용함으로써 hot-carrier 현상이 개선될 수 있음을 확인하였다.

• 멤브레인
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• 제27권5호
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• pp.389-398
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• 2017

연료전지용 고분자 전해질막에 있어서 가장 중요한 특성인 수소이온 전달 능력은 내부에서 형성되는 수화채널의 분포 및 형상에 큰 영향을 받게 된다. 비과불화탄소계인 탄화수소계 전해질막의 경우, 과불화탄소계 전해질막인 나피온에 비하여 이러한 수화채널이 약하게 형성되는 것으로 알려져 있으며 따라서 상대적으로 낮은 이온전달 성능을 나타내는 것으로 보고되고 있다. 본 연구에서는 컴퓨터를 이용한 전산모사 기술의 하나인 메조스케일 전산모사 기술을 이용하여 탄화수소계 연료전지용 전해질막인 술폰화 폴리이미드의 가습조건에서의 수화채널 형성 및 상분리 현상을 관찰하였다. 이를 통하여 술폰화 폴리이미드 내부에서 물분자 비드는 친수성 영역 전체에 걸쳐서 고르게 분포되며 명확한 수화 클러스터는 높은 술폰화도에서만 형성되는 것이 관찰되었다. 또한, 술폰화 폴리이미드 모델은 저가습 상태에서 수화 채널을 형성하는데에 나피온 모델에 비하여 더 어렵다는 것이 관찰되었다. 이러한 결과들은 비과불화불소계인 탄화수소계 전해질막의 수화채널 형성에 대한 기존 이론을 명확하게 뒷받침하고 있으며, 술폰화 폴리이미드의 전도도 경향도 잘 설명을 하고 있다. 따라서 메조스케일 전산 모사 기술은 연료전지용 전해질막의 상분리 현상 및 수화채널을 분석하고 이온전도 특성을 규명하는 데에 있어서 매우 효과적인 기술이 될 수 있다는 것을 확인하였다.

• 한국산학기술학회논문지
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• 제13권5호
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• pp.2125-2132
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• 2012

Fluoxetine과 tianeptine은 보편적으로 사용되는 항우울제 (AD)이며, haloperidol과 risperidone도 많이 사용되는 항정신성 (APD) 약물로 다양한 이온채널을 조절한다. TREK2 채널은 우울증과 정신분열증 같은 정신질환에 대한 병태생리학적으로 중요한 역할을 하는 TREK1 채널과 생리학적 성질이 매우 비슷하여, 정신성 및 우울증 약물의 TREK2 채널에 대한 효과가 TREK1과 유사하게 나타날 가능성이 있다. Excised inside-out 팻취 방법을 사용하여, 클론된 TREK2 채널이 발현된 CHO 세포에서 항정신성 약물과 항우울제의 효과를 조사했다. Fluoxetine (선택적 세로토닌 방출 억제제, SSRI)은 TREK2 채널을 농도 의존적으로 억제하였으나 ($IC_{50}=13{\mu}M$), tianeptine (선택적 세로토닌 재흡수 증가제, SSRE)은 TREK2 채널 활성을 감소시키지 않고 증가시켰다. Haloperidol은 TREK2 채널을 농도 의존적으로 억제하였으나 ($IC_{50}=44{\mu}M$), risperidone은 고농도 ($100{\mu}M$)에서도 TREK2 채널 활성을 완전히 억제 시키지 못했다. 본 연구는 tianeptine 보다 fluoxetine이 TREK2 채널을 더 잘 억제하고 risperidone 보다 haloperidol에 더 잘 억제됨을 보여 주었고, TREK2 채널에 대한 항정신성 약물과 항우울제의 차별적 작용이 약물 부작용의 어떤 기전에 기여 할 수 있음을 제시한다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2010년도 제39회 하계학술대회 초록집
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• pp.307-307
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• 2010

ICRF 또는 NB 시스템에 의해 가열된 고에너지 이온들을 측정하는 것은 핵융합 플라즈마에서 중요한 과제 중의 하나이다. 특히 ICRF를 이용한 D(H) 플라즈마의 H minority의 가열은 H의 분율에 따라 가열의 정도가 달라지고 이 결과는 이온의 고에너지 측정을 통해서 확인할 수 있으므로 정확한 고속 이온의 측정은 매우 중요하다. 본 연구에서는 고속 이온을 전하 교환된 중성입자로부터 측정하는 중성입자 검출기를 개발하였다. Si 광다이오드인 AXUV3ELA를 기반으로 50-300 keV 범위의 고에너지 H 및 D 이온을 측정할 수 있는 소형의 중성입자 검출기(Compact Neutral Particle Analyzer : CNPA)가 설계 제작되었다. 검출된 신호는 Pre-amp와 shaping amplifier를 통해 증폭되고 shaping 되며 마지막으로 다중채널 분석기(Multi Channel Analyzer : MCA)를 통해서 계수된다. 본 발표에서는 NPA의 구체적인 설계 특성과 함께 Am-241 gamma ray 선원을 이용한 NPA의 시험 및 보정결과를 보고할 예정이다.

• E2M - 전기 전자와 첨단 소재
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• 제8권3호
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• pp.332-339
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• 1995

In this paper, it was investigated the guided field intensity distribution of the channel in the silver & potassium ion-exchange glass-waveguide. The guided field intensity distribution analysis of ion-exchange glass-waveguide was based on the combination of the WKB dispersion relationship method with a Gaussian distribution function of refractive index profile and the Field Shadow method to the modeling of the channel waveguide. As the results of the channel waveguide modeling, it was represented 2-dimensional and 3-dimensional field distribution of ion-exchange glass waveguide.

• 한국산학기술학회:학술대회논문집
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• 한국산학기술학회 2004년도 춘계학술대회
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• pp.162-164
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• 2004

슈뢰딩거와 포아송 방정식의 연계풀이에 의해 수치해석적으로 구한 파동함수와 에너지 준위를 이용하여 $300^{\circ}$K에서 사각우물을 형성하는 $Al_xGa_{1-x}As/Ga_yIn_{l-y}As/GaAs$ HEMT 소자 채널 영역에서의 극성광학 포논, 음향 포논, 압전 산란, 이은화된 불순물 산란, 그리고 합금 산란에 대한 2차원 산란율을 계산하여, 같은 영역에서의 3차원 산란율과 비교하였다. 그 결과 bulk영역에서 가장 우세한 이온화된 불순물 산란이, 2-DEG 시스템에서 크게 감소되었음을 알 수 있었는데, 이는 변조 도핑에 의하여 이온화된 불순물을 2-DEG가 존재하는 채널영역의 불순물 양을 감소시켰기 때문으로 해석된다.