Journal of the Korea Academia-Industrial cooperation Society
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v.5
no.2
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pp.98-102
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2004
Ion exchange behavior and property change of soda-lime-silicate glass by advanced ion exchange process were investigated. Refractive index, specific gravity and optical transmittance were changed similarly to $K^+$ ion penetration depth, and amount of ion exchange increased with the increase of the time and temperature. Especially, thermal expansion decreased greatly because of the structural compaction and residual stress by ion exchange process.
Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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2007.04a
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pp.9-10
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2007
본 논문에서는 비접촉식 이온에너지 해석 방법(Noninvasive Ion Energy Analysis, NIEA)을 이용하여 이온에너지 분포함수를 계산하고, 이 분포의 정보를 몇 가지 양으로써 특성지을 수 있는 모니터링 인자를 제안 하였다. 이온 에너지 분포에 영향을 미치는 외부 조건들인 rf 전력, 압력, 전극 간격을 변화시키며 해당 에너지 분포함수의 형태 변화 및 모니터링 인자들의 변화 양상을 관찰 하였다. NIEA 방법으로 측정한 이온 에너지와 공정과의 연관성을 알아보기 위해 poly silicon etching을 수행하며 이온 에너지 분포를 측정하였으며, 이온 에너지와 etch rate이 같은 경향을 나타내는 것을 확인 하였다.
An annular flow type of copper electrolysis reactor was setup in order to generate the copper ions to remove algae in water. The operating characteristics of the reactor and the effect of copper ion on algae have been considered. By controling the applied current, the copper ion concentration could be obtained as desired level and the faradaic efficiency was above 90%. When the flow rate was increased, the copper ion concentration was linearly decreased due to the dilution effect and the effect of concentration overpotential was insignificant. With the increase of pH in water, the copper ion concentration was linearly decreased and not affected by the conductivity of the water. The concentration of chlorophyll-a was sharply decreased with the increase of copper ion concentration. The algae was effectively removed as the copper ion concentration was above 0.2 ppm. There was no difference between the copper ions obtained by dissolving copper sulfate and those produced by copper electrolysis. The algae removal efficiency was above 90% after 5 days as the copper ion concentration was above 0.4 ppm.
Copolymerization of the 4-vinylpyridine with vinylacetate and divinylbenzene initiated by azobis-isobutyronitrile was carried out in DMF in presence $BaCl_2$ at $98^{\circ}C$. Ion exchange res in, poly 4-vinylpyridine-vinylsulfonic acid-divinylbenzene was prepared by sulfonation of 4-vinylpyridine-vinylacetatp-divinylbenzene with concentrated sulfuric acid. The compositions of each synthetic resin were identified by means of ir adsorption spectroscopy. Anion and cation capacities of 4-vinylpyridine-vinylsulfonic acid-divinylbenzene ion exchanger were 2.5meq/g and 4.8meq/g, respectively. Adsorption of Cd(II) and Cu(II) ions have showed larger quantity in alkalie media. A study also was made of the influence of alcohol on the distribution coefficient of Cd(II) and Cu(II) ions between the synthetic ion exchanger, and solution containing hydrochloric acid, various alcohols and water. The distribution coefficients of metal ions decrease generally as the number of branches of carbon in the molecule of butyl alcohol increase. (t-BuOH
본 실험에서는 플라즈마 화학기상증착(PECVD)으로 증착한 비경질 실리콘(amorphous silicon, a-Si) 박막에 국부적으로 Si+ 이온을 주입한 후 엑시머 레이저 어닐링(exicimer laser annealing, ELA)을 수행하여 그레인의 수평 성장(lateral growth)에 미치는 영향을 관찰한다. Si+ 이온 주입은 비정질 실리콘 박막의 원자 결합 에너지를 효과적으로 감소시키는 역할을 하여 박막이 녹기 시작하는 문턱(threshold) 에너지가 $105mJ/cm^2$에서 $85mJ/cm^2$ 까지 낮아지는 것을 확인하였다. 결과적으로 선택적인 Si 이온 주입을 통해 비정질 박막의 결정화 시 온도 구배에 의한 결정핵(nucleation) 형성의 차이를 유발시킴으로써 위치 제어가 가능한 1um 크기를 갖는 수평 성장 그레인을 얻었다.
플라즈마 식각 공정에서의 미세구조 식각 연구를 위하여 두종류의 미세식각 진전 모델을 제시하 였다. 모델 1에서는 Knudsen 확산 정도를 나타내는 Thiele 계수($\Phi$2) 의 변화와 마스크의 하전에 의한 이온의 회적이 식각 패턴에 미치는 영향을 고찰하였으며 모델 2에서는 이온의 충돌에 의한 분산 효과가 식각 패턴에 미치는 영향을 살펴보았다. 반응성 라디칼과 확산저항이 수직방향으로의 긱각깊이를 감소 시켜 RIE Lag를 일으키며 마스크의 하전에 의한 이온의 회절에 의하여 "dovetailing"형태의 식각 패턴 형성의 원인 이 됨을 알 수 있었다. 모델 2의 결과로부터 쉬스 지역에서의 이온의 분산이 심화될수록 "bowing" 형태의 식각패턴이 두드러졌으며 RIE Laggus상이 증가하는 것으로 나타났다.gus상이 증가하는 것으로 나타났다.
Proceedings of the Korean Society Of Semiconductor Equipment Technology
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2007.06a
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pp.226-229
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2007
MgO 보호막은 플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel, PDP)의 보호막으로 널리 쓰이고 있다. 본 실험에서는 산소 이온 빔 보조 증착(IBAD) 방법으로 형성된 MgO 보호막의 특성을 조사하였다. MgO 증착시 보조산소이온 빔의 에너지를 변화시킴에 따라 MgO 보호막의 특성과 PDP 패널 발광 특성에 미치는 영향을 분석하였다. 본 연구에서는 산소 이온 에너지가 300 eV 일때 소자의 방전개시 전압이 가장 낮게 나타났다. 또한 산소 이온빔의 조사에너지에 따라 MgO 박막의 결정성 및 표면조도가 크게 영향을 받는 것을 확인할 수 있었다.
Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
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2000.05a
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pp.455-459
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2000
신경의 기본단위인 뉴런을 계층 구조형태로 연결하여 자극에 대한 각 뉴런의 신경전달 메카니즘을 분석하고 Na 이온의 값을 변형시켜 활성전위에 미치는 영향을 LINUX를 기초로 한 GENESIS를 이용하여 시뮬레이션을 해 보았다. 뉴런은 미세한 자극뿐만 아니라 이온농도의 변화로 인한 매우 민감하게 반응함으로 신경의 활성전위와 인체를 구성하는 모든 세포에서의 이온농도의 중요성을 간과해서는 안 된다. 본 연구에서는 신경세포를 전기회로 적인 모텔을 기준으로 설계하였으며, 농도의 변화에 의해 활성전위 전달에 큰 변화를 일으켰다. 과대한 농도 변화는 신경에서의 과도한 활성전위와 매우 낮은 전위가 발생함을 알 수 있었다. 이로 인해 인체에 미치는 영향은 신체의 어느 부분이냐에 따라 다르겠지만 뇌에서의 열, 뇌 세포 손상, 근육마비, 심장마비 등의 이상 현상을 추정할 수 있을 것이다.
It is very difficult to get stable ion peak intensity of ruthenium by thermal ionization mass spectrometry because of its high ionization potential and high volatility of its oxides which causes to lose much of ruthenium ions, so the intensity of the signal decrease quickly. Accordingly, a study was performed in oder to increase the ionization efficiency and to prevent sample losses due to volatilization and to check with isobaric effect by impurities in filament for the measurement of ruthenium isotopes. Both single filament and double filament were tested. The former was proved to be more efficient for the stable and strong intensity of signal and revealed less isobaric effect from the molybdenum (Mo) as a filament impurity. Also, when the temperature of filament increased too high, the isobaric effect from Mo greatly appeared. That is, Mo impurity from filament gave a serious effect for measuring the ruthenium isotopes. It was proved to be of importance that filament current should be slowly increased with time interval. Finally, ruthenium isotopes were accurately measured by correction with measuring $^{94}Mo/^{99}Ru$.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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1999.07a
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pp.100-100
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1999
가시광선 영역에서 높은 광학적 투과성과 함께 우수한 전기 전도성을 갖는 ITO 박막은 디스플레이 소자나 투명전극재료 등 다양한 분야에서 응용성이 더욱 증대되고 있다. 증착기판으로서 유리를 사용할 때 생기는 활용범위 제한을 극복하고자 최근 유기물 위에 증착이 가능한 저온 증착방법에 대한 연구가 활발히 이루어지고 있다. 그 가운데 이온빔과 같은 energetic한 beam을 이용한 박막의 제조는 기판을 플라즈마 발생지역으로부터 분리시켜 이온빔의 flux 및 에너지, 입사각 등의 자유로운 조절을 통해 상온에서도 우수한 성질의 박막 형성 가능성이 제시되어 왔다. 본 연구에서는 ion beam assisted evaporation방법을 이용하여 ITO 박막을 성장시켰으며, ion-surface interaction 효과가 박막 성장주에 미치는 영향을 이해하기 위하여 먼저 반응성 산소 이온빔에 비 반응성 아르곤 이온빔을 다양하게 변화시켜가며 증착하였으며, 이와 더불어 산소 분위기에서 아르곤 이온빔에 의한 ITO 박막의 특성 변화를 각각 관찰하였다. 증착전 후의 열처리 없이 상온에서 비저항이 ~10-4$\Omega$cm 이하로 낮고 80% 이상의 투과율을 갖는 ITO 박막을 성장시켰다. 실험에서 이용된 e-beam evaporation 물질은 In2O3-SnO2(1-wt%)였으며, 이온빔 source는 산소에 의한 filament의 산화를 막기 위해 filament cathodes type이 아닌 rf(radio-frequency)를 사용하였다. 중요 증착변수인 이온빔의 flux 변화는 산소와 Ar의 flow rate를 MFC로 조절하고 rf power를 변화시켜 얻었으며, 이온빔 에너지는 가속 grid의 가속전압 변화와 ion gun과 기판사이의 거리 조절을 통해 최적화하였다. 이온빔의 에너지와 flux는 Faraday cup으로 측정하였으며, 성박된 박막의 특성은 UV-spectrometer, 4-point probe, Hall measurement. $\alpha$-step, XRD, XPS 등을 이용하여 광학적, 전기적, 구조적 특성을 분석하였다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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