• 전자공학회지
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• 제21권8호
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• pp.48-55
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• 1994

• 과학과기술
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• 제29권6호통권325호
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• pp.88-89
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• 1996

72년 이어폰 잭 부품을 조립 수출하는 단순 조립공장으로 출범한 흥창물산은 80년대말 참여한 이동통신기기산업으로 제2의 도약을 이루며 종업원 1천명에 1천억 매출의 중견기업으로 성장했다. 서울과 인천에 연구소를 두고 있는 흥창물산은 무인기지국 원격제어장치와 고주파 전력증폭기 등을 생산, 국내 이동통신에 납품하여 호평을 받고 있다.

• 전기의세계
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• 제49권7호
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• pp.4-8
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• 2000

• 전자진흥
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• 제17권7호
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• pp.47-51
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• 1997

• 전자통신동향분석
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• 제6권3호
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• pp.37-57
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• 1991

• 전자공학회지
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• 제19권9호
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• pp.36-50
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• 1992

최근들어 가입자 수요가 급증하여 수용량이 한계에 다달은 셀룰라 이동통신은 디지탈화라는 큰 전환기를 맞고 있다. 특히 디지탈화에 따라 핵심 기술을 감당할 무선 단말기는 급변하는 사용자 요구를 만족시키기 위하여 최첨단의 구현 기술들을 필요로 한다. 무선통신 분야의 기술 수준이 낮은 국내 전자 산업은 특히 부품 기술의 낙후로 단말기의 국산화율이 매우 저조한 형편이다. 본 글에서는 도래하는 디지탈 방식의 무선 단말기에 사용되는 여러 기술들과 구현 방법에 대해 고찰함으로써 국내 디지탈 무선 통신 기술의 발전을 위한 방안에 대해 같이 생각해 보고자 한다.

• 한국전자파학회:학술대회논문집
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• 한국전자파학회 2001년도 종합학술발표회 논문집 Vol.11 No.1
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• pp.58-62
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• 2001

본 논문에서는 IMT-2000 통신방식 중 cdma-2000 방식의 시스템을 이용하여 이동통신 단말기 RF System에 미치는 위상 잡음의 영향성을 분석하였다. cdma-2000의 표준안인 TIA/EIA에서 권고한 IS-98-C 를 기초로 하여 위상 잡음 특성의 요구 조건을 유도하였다. 현재 상용화 된 부품을 이용하여 RF 시스템을 설계하여 위상 잡음 특성을 분석하였고 시스템에 가장 큰 영향을 미치는 oscillator의 위상 잡음의 양을 변화시켜 시스템에 미치는 영향을 Constellation Diagram과 Eye Diagram으로 제시 하였다.

• 전기의세계
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• 제43권1호
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• pp.20-22
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• 1994

이동통신은 그 방식이 아날로그든 디지틀이든 같은 기능의 음성신호를 송신하고 수신하는 것이다. 아나로그형은 크게 RF 수신부, RF 송신부, 신호처리부 제어부 그리고 전원부로 나누어 진다. 통화시 송,수신이 동시에 이루어지므로 송신신호와 수신신호가 서로 간섭하지 않도록 정교환 신호 여과기가 필요하다. Philips사의 경우 몇개의 칩으로 RF/IF 변환, 아나로그 신호처리 그리고 신호제어를 할 수 있도록 설계하였고 몇몇 선두회사들은 하나의 아나로그 처리기로 baseband 아나로그 신호를 처리 할 수 있도록 설계하였다. RF 부분은 아직 별도의 PCB에 제작되는데 이유는 IF 부분의 송.수신부가 공간을 많이 차지하며, RF 부분에는 가격을 내리기 위해 개별 소자들이 많이 쓰이기 때문이다.

• 한국표면공학회:학술대회논문집
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• 한국표면공학회 2012년도 춘계학술발표회 논문집
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• pp.288-289
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• 2012

이동통신, 전자부품의 고속송신에 따라 핵심으로 사용되는 인쇄회로기판(PCB, Printed Circuit Board)의 신뢰성을 향상시키기 위한 주석도금기술과 품질 향상이 요구되고 있다. 오랜 역사를 갖고 있는 습식전자부품 주석도금기술은 과거의 현장에서 기본원리, 도금액분석 등을 이수하는 정도였다. 최근 도금뿌리산업육성과 함께 PCB주석도금 신기술정보를 입수하여 현장품질기술지원이 필요하다. 이에 수시로 업그레이드되고 변화하고 있는 해외신기술동향과 특허정보를 지원하였다.

• 전자통신동향분석
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• 제36권3호
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• pp.53-64
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• 2021

As the 5G service market is expected to grow rapidly, the development of high-power, high-efficiency power amplifiers for the 5G communication infrastructure is indispensable. Gallium nitride (GaN) is attracting great interest as a key device in power devices and integrated circuits due to its wide bandgap, high carrier concentration, high electron mobility, and high-power saturation characteristics. In this study, we investigate the technology trends of Ka-band GaN radio frequency (RF) power devices and integrated circuits for operation in the millimeter-wave band of recent 5G mobile communication services. We review the characteristics of GaN RF high electron mobility transistor (HEMT) devices to implement power amplifiers operating at frequencies around 28 GHz and compare the technology of foreign companies with the device characteristics currently developed by the Electronics and Telecommunication Research Institute (ETRI). In addition, the characteristics of Ka-band GaN monolithic microwave integrated circuit (MMIC) power amplifiers manufactured using various GaN HEMT device technologies are reviewed by comparing characteristics such as frequency band, output power, and output power density of integrated circuits. In addition, by comparing the performance of the power amplifier developed by ETRI, the current status and future direction of domestic GaN power devices and integrated circuit technology will be discussed.