• Title/Summary/Keyword: 음극

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Tungsten Oxide Electrodeposits for the Anode in Rechargeable Lithium Battery (텅스텐 산화물 전해 도금 박막 제조 및 리튬 이차전지용 음극 특성 평가)

  • Lee, Jun-U;Choe, U-Seong;Sin, Heon-Cheol
    • Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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    • 2012.11a
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    • pp.130-130
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    • 2012
  • 리튬이차전지의 음극재로 적용하기 위해, 텅스텐 산화물을 구리 기재 위에 전해 도금하였다. 이를 위해 텅스텐 산화물 염이 포함된 도금 조 내에서 다양한 도금 조건을 사용하여 산화물을 구리 기재 위에 박막 형태로 형성시켰다. 형성된 박막 산화물의 조성 및 구조적 특성을 분석하였고, 특히, 리튬 염을 포함하는 유기 용매 하에서 순환 전위 실험을 수행하여, 텅스텐 산화물 전해 도금 박막이 리튬이차전지의 음극재로서 리튬과 가역적으로 반응하는지 분석하였다.

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A study on the space charge in power cable by laser-induced pressure pulse method (Laser 유기 압력 Pulse법에 의한 전력 케이블중의 공간전하 분포에 관한 연구)

  • ;;;M.Mizutani
    • Electrical & Electronic Materials
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    • v.6 no.4
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    • pp.347-353
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    • 1993
  • 레이저 유기 압력 펄스법을 이용하여 가교폴리에틸렌필름과 전력케이블의 공간전하의 성질을 정량적으로 연구하여 다음과 같은 결론을 얻었다. 잔류가교제를 갖는 XLPE에서는 음극으로부터 현저한 전자주입이 나타나고 시료전체에 걸쳐 부의 공간 전하가 형성되었으며 음극으로 부터의 전자 주입은 전계상승에 따라 증가 하였다. XLPE 전력 케이블에서는 잔류가교제가 이온화하여 생긴 정 및 부의 헤테로 공간 전하가 음극 및 양극 부근에 형성되었다.

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Effect of Processing Time and Unipolar DC pulse Duty Ratio on Electrode during Gold Nanofluids using Solution Plasma (금 나노유체 제조시 공정시간과 음극파워비율에 따른 전극에 미치는 영향)

  • Kim, Jae-Yong;Kim, Beom-Seok;O, Jong-Ho;Lee, Sang-Yul
    • Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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    • 2011.05a
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    • pp.191-191
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    • 2011
  • 유체 플라즈마 공정(SPP)은 최신 나노기술과 열전달 유체 기술이 융합된 나노유체(Nanofluids)를 제조하는 공정이다. 본 연구에서는 이런 유체 플라즈마 공정에서 공정시간과 음극파워비율에 따라 금 나노유체 제조시 사용되는 전극에 미치는 영향을 알아보기 위해 특성분석을 실시하였다. 그 결과 전극의 양극에서는 염화금 이온이 전극에 증착되었고 음극에서는 부식에 의해 무게가 감소하였다.

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Electronic and Optical Measurement of Discharge in Spherically Convergent Beam Fusion Device (구형 집속빔 핵융합 장치 방전의 전자적 광학적 측정)

  • Park, Jeong-Ho;Ju, Heung-Jin;Ko, Kwang-Cheol
    • Proceedings of the KIEE Conference
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    • 2005.07c
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    • pp.2160-2162
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    • 2005
  • 중성자 발생을 위한 구형 집속빔 핵융합 장치 방전의 실험적 결과들이 제시되었다. 실험 장치는 직경 22cm, 높이 20cm의 진공용기 안에 동심원적으로 위치한 구형 양극과 grid 음극으로 구성된다. 진공용기에 아르곤 기체를 주입하고, grid 음극에 펄스 전압을 인가하여 방전을 발생시켰다. 다양한 grid 음극에 대한 방전의 실험적 결과들이 전자적, 광학적으로 측정되었다.

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일반화 선형모형을 이용한 냉음극 형광램프의 휘도 측정 시 온도 및 습도의 영향에 대한 연구

  • 윤양기;길영수
    • Proceedings of the Korean Reliability Society Conference
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    • 2005.06a
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    • pp.281-286
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    • 2005
  • 휘도(Luminance)는 냉음극 형광램프(Cold Cathode Fluorescent Lamp : CCFL)의 신뢰성을 평가하는데 있어 중요한 항목으로 사용되고 있다. 본 연구에서는 휘도 측정시 주위 온도 및 습도에 따라 측정감이 어떻게 변화하는가를 일반화 선형모형(Generalize Linear Model)을 이용하여 알아보고, 측정시의 환경조건 및 측정 오차에 대한 지침을 제시할 수 있게 된다.

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냉음극 변압기 플라즈마와 TEOS 소스를 이용한 $SiO_2$ 박막 증착

  • Lee, Je-Won;No, Gang-Hyeon;Song, Hyo-Seop;Kim, Seong-Ik;Lee, Eun-Ji;Lee, Se-Hui;Jo, Gwan-Sik
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 2012.08a
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    • pp.164-164
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    • 2012
  • 저진공 (>100 mTorr)에서 냉음극 변압기 전원 소스를 이용하여 플라즈마를 발생시키는 시스템을 개발하였다. 또한 이 장치를 이용하여 Tetraethylorthosilicate (TEOS)를 기화시켜 이산화규소 ($SiO_2$) 박막 증착 기술을 연구하였다. 공정 압력은 400~1,000 mT이었다. 증착된 박막의 박막 두께, 굴절률 등의 측정을 실시하였다. 결과를 요약하면, 플라즈마 공정 압력이 증가함에 따라 박막 증착 속도는 약 200~300 A/min이었다. 또한 전압이 1,100에서 2,100 V로 증가함에 따라 산화막의 증착 속도는 약 300에서 40 nm/min으로 증가하였다. TEOS만을 사용하였을 때 굴절률은 약 1.5~1.6정도였다. 그러나 TEOS에 산소를 추가하면 자연 산화막의 굴절률인 1.46을 쉽게 얻을 수 있었다. 초기 연구 결과를 정리하면 냉음극 변압기 플라즈마 장치는 향후 실용적인 산화막 플라즈마 증착 연구 장치로 사용될 수 있을 것으로 생각된다.

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Organic Light Emitting Diodes with $Al_2O_3/Al$ cathode ($Al_2O_3/Al$ 음극을 이용한 유기발광다이오드)

  • Seo, Yu-Suk;Park, Hoon;Shin, Dong-Seop;Yu, Hee-Sung;Chae, Hee-Baik
    • Proceedings of the KAIS Fall Conference
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    • 2006.05a
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    • pp.335-338
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    • 2006
  • 전자수송층과 음극 사이에 $Al_2O_3$를 넣은 이중구조 음극을 갖는 유기발광다이오드를 제작하였다. 제작한 디바이스의 구조는 $ITO/NPB(40\;nm)/Alq_3(60\;nm)/Al_2O_3(0-1.5\;nm)/Al(120\;nm)$$Al_2O_3$의 두께를 변화시켰다. $Al_2O_3$의 두께가 0.3 nm일 때는 터널링에 의해서 전자주입이 증가하여 전류와 휘도가 모두 좋아졌다. 반면에 $Al_2O_3$의 두께가 0.5 nm일 때는 전류는 감소하지만 정공과 전자의 비율이 더 좋아져서 전류효율이 크게 향상되었다. 또한 $Al_2O_3$는 엑시톤이 음극과의 계면에서 발광하지 않고 소멸하는 것을 막아주어서 휘도를 증가시켰다.

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Properties of AlTiN Films by Cathodic Arc Deposition (음극 아크 증착으로 제조된 AlTiN 박막의 물리적 특성)

  • Yang, Ji-Hun;Song, Min-A;Jeong, Jae-Hun;Kim, Seong-Hwan;Jeong, Jae-In
    • Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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    • 2014.11a
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    • pp.24-24
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    • 2014
  • 음극 아크 증착을 이용하여 제조한 AlTiN 박막의 공정 변화에 따른 물리적 특성 변화를 평가하였다. 또한 빗각 증착을 적용하여 제조한 AlTiN 박막의 특성을 평가하였다. Al-Ti 타겟(Al:Ti=75:25 at.%)을 음극 아크 소스에 장착하여 AlTiN 박막을 코팅하였다. 기판은 stainless steel(SUS304)과 초경(tungsten carbide; WC)을 사용하였다. 음극 아크 소스에 인가되는 전류가 낮을수록 AlTiN 박막 표면에 존재하는 거대입자의 밀도가 낮아졌으며, 공정 압력과 기판 전압이 높을수록 AlTiN 박막의 표면에 존재하는 거대입자의 밀도가 낮아지는 경향을 보였다. 코팅 공정 중 질소 유량을 변화했지만 AlTiN 박막의 특성은 변하지 았았다. AlTiN 박막 제조 시 빗각을 적용한 결과, $60^{\circ}$의 빗각을 적용한 다층 박막에서 약 33 GPa의 경도를 보였다. AlTiN 박막의 내산화성을 평가한 결과, $600^{\circ}C$이상에서 안정된 내산화성을 확인할 수 있었다.

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침투법(infiltration)을 이용한 고체 산화물 연료전지용 복합체 전극 제조 및 평가

  • Park, Jong-Seong;Vohs, J.M.;Gorte, R.J.
    • Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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    • 2012.05a
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    • pp.57.2-57.2
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    • 2012
  • 산소 이온 전도성 세라믹을 이용한 고체 산화물 연료전지의 전극은 원활한 전기화학반응을 위해, 이온 전도도, 전자 전도도 및 전기화학적 활성을 동시에 가지고 있어야 한다. 이를 위해 복합체 전극을 사용하며, 특히 음극의 경우 니켈(Nickel)과 Yttria-stabilized zirconia (YSZ)로 이루어진 복합체 전극을 혼합 및 소결을 통해 제조하여 사용하였다. 하지만, 니켈의 경우 탄화 수소 연료에서의 탄소 침적 문제와 열악한 산화환원 안정성(redox stability)등의 문제점을 가지고 있다. 따라서 니켈대신 전도성 세라믹을 사용한 세라믹 복합체 음극 개발이 활발히 이루어지고 있으며, 그 중 침투법(infiltration method)을 이용한 복합체 전극 제조 방법을 소개한다. 실제로 니켈 금속과 유사한 높은 전기 전도도를 갖는 Sr-doped Lanthanum Vanadate (LSV)을 이용해, YSZ-LSV 복합체 전극을 침투법을 이용해 제조하고, 소량의 촉매을 첨가하여, 이온전도도, 전자 전도도 및 촉매 활성을 갖는 복합체 음극을 제조하였다. 이 복합체 음극의 탄화수소에서의 연료전지 성능 및 redox stability을 측정하였다.

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Software development for magnetron sputtering cathode for wafers (반도체용 마그네트론 스퍼터링 음극 전산 모사 소프트웨어 개발)

  • Ju, Jeong-Hun
    • Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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    • 2016.11a
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    • pp.108-108
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    • 2016
  • 마그네트론 스퍼터링은 박막의 증착에 널리 사용되는 기술로 음극의 설계가 핵심적이다. 영구 자석과 전자석을 겸용하는 경우도 있고 고주파 코일을 추가하여 2차 플라즈마 발생을 유도하여 공정의 유연성을 한층 높인 방법도 오랫동안 사용되어 왔다. 전자의 자기장 하에서의 운동은 Lorentz force를 적분하여 예측할 수 있으며 가장 중요한 전자 - 중성간의 충돌 과정인 탄성 충돌, 여기 충돌, 이온화 충돌을 고려하면 보다 실질적인 마그네트론 플라즈마의 거동을 이해하고 그 결과를 기반으로 자석 배치를 설계할 수 있다. PIC (particle-in-cell) code를 이용하면 플라즈마 내의 전자기장 효과를 상세히 검증해볼 수 있지만 계산 시간의 부담 때문에 고성능 병렬 컴퓨터를 사용하여야 한다. 그 이유는 하전입자(전자, 이온)의 공간적인 분포에 변화가 발생하면 전위가 영향을 받고 전자의 가속이 발생하는 쉬스(sheath)의 두께가 따라서 변화하기 때문이다. 여기서 계산 시간의 단축을 위한 가정, 즉, 쉬스의 두께가 일정하다는 사실을 적용하면 계산시간을 획기적으로 단축 시킬 수 있으며 병렬 계산의 효율성도 향상시킬 수 있다. 본 연구에서는 이와 같은 원리에 입각한 코드를 개발하고 평판 디스플레이용 사각형 음극에 대해서 적용했던 경험을 바탕으로 원형의 스캔형 마그네트론 음극 구조의 이해와 설계에 적용하고자 코드를 개발하였다.

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