• 제목/요약/키워드: 육방정계

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유기금속화학증착법에 의한 $YMnO_3$박막 제조 및 전기적 특성 (Preparation and Electrical Properties of $YMnO_3$Thin Film by MOCVD Method)

  • 김응수;노승현;김유택;강승구;심광보
    • 한국세라믹학회지
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    • 제38권5호
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    • pp.474-478
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    • 2001
  • 유기 화학 기상 증착법(MOCVD)을 이용하여 반응기체 $O_2$의 양 및 Y와 Mn의 운반기체 비(Y/Mn)를 변화시켜가며 Si(100) 기판 위에서 MFSFET(metal-ferroelectric-semiconductor field effect transistor) 구조의 YMnO$_3$박막을 증착하였다. 반응기체 $O_2$의 양이 150sccm일 때 Y/Mn=2와 3인 경우 단일상의 육방정계 YMnO$_3$박막이 형성되었다. YMnO$_3$박막의 전기적 특성은 사방정계 YMnO$_3$박막에서는 나타나지 않았으나, 육방정계 YMnO$_3$박막의 경우 결정립 크기에 영향을 받아 단일상의 육방정계 YMnO$_3$박막 중 결정립 크기가 150nm~200nm(Y/Mn=2)인 경우에는 잔류분극이 100nC/$ extrm{cm}^2$인 P-E 이력곡선의 특성을 나타내었다.

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HVPE법에 의한 질화갈륨 단결정막 성장시 상전이에 관한 연구 (Phase Transformation in Epitaxial Growth of Galium Nitride by HVPE Process)

  • ;;김향숙;이선숙;황진수;정필조
    • 한국결정학회지
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    • 제6권1호
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    • pp.49-55
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    • 1995
  • HVPE(Halide Vapour Phase Epitaxy) 법에 의하여 육방정계 질화갈륨(GaN) 단결정막의 (0001)면에 섬모양으로 배향된 입방정계 β-GaN상과 육방정계 α-GaN상 사이의 상호 배향은 [110](111) β-GaN//[1120](001) α-GaN 관계를 갖는 것으로 관찰되었다. 삼각섬 모양을 β-GaN는 막표면에 평행인 (111)면에 대한 쌍정위치를 점하고 있었다. 광발광(PL) 및 국소부위 음극선 발광(CL)을 측정하여 β-GaN의 금제대폭값은 실온에서 3.18±0.30eV로 얻어졌다.

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외부 전장이 나일론 11의 결정화 및 열적 특성에 미치는 영향 (Effect of External Electric Field on the Crystallization and Thermal Properties of Nylon 11)

  • 김영호;최재원;방경;장진호;김갑진
    • 한국섬유공학회:학술대회논문집
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    • 한국섬유공학회 2001년도 가을 학술발표회 논문집
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    • pp.275-278
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    • 2001
  • 나일론 11[poly(undecanolactam)]은 적어도 5개의 결정형태를 가지며 삼사정계의 $\alpha$형, 단사정계의 $\beta$형 그리고 3개의 육방정계 또는 가육방정계의 형태(${\gamma}$,$\delta$,$\delta$')를 갖는다고 알려져 있다. $\alpha$형은 95$^{\circ}C$ 이하에서 안정하고 $\delta$형은 95$^{\circ}C$ 이상에서 안정하다. 용융상태 또는 5형에서 급냉하면 준안정 상태의 $\delta$'형을 형성한다. $\alpha$형을 trifluoroacetic acid로 처리하면 안정할 ${\gamma}$형이 얻어진다[1-2]. (중략)

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분무열분해법으로 제조된 SrAl2O4:Ho3+ 녹색 형광체의 발광특성 (Luminescence Characterization of SrAl2O4:Ho3+ Green Phosphor Prepared by Spray Pyrolysis)

  • 정경열;김우현
    • Korean Chemical Engineering Research
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    • 제53권5호
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    • pp.620-626
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    • 2015
  • $Ho^{3+}$가 도핑된 $SrAl_2O_4$ 상향전환 형광체 분말을 분무열분해법으로 제조하고 활성제의 농도, 후 열처리 온도 변화에 따른 결정학적 구조와 발광 특성을 조사하였다. 또한 유기 첨가제 사용에 따른 형광체의 결정구조, 표면적 및 휘도 변화를 조사하였다. $SrAl_2O_4:Ho^{3+}$$Ho^{3+}$$^5F_4/^5S_2{\rightarrow}^5I_8$ 전이에 기인한 강한 녹색 발광을 보였다. 가장 높은 발광 강도를 보이는 $Ho^{3+}$ 농도는 0.1%였고, 그 이상의 농도에서는 활성 이온간 쌍극자-쌍극자 상호 작용에 의에 농도소강이 일어나 발광 휘도는 급격히 감소하였다. 여기 광원의 전력 세기에 따른 발광 휘도 변화 관찰로부터 $SrAl_2O_4:Ho^{3+}$의 녹색 발광은 2광자가 관여된 바닥상태흡수-여기상태흡수 과정을 통해 효율적으로 일어남이 확인되었다. 합성된 분말의 주상은 단사정계이고 일부 육방정계 상이 존재하였다. 후 열처리 온도를 $1000^{\circ}C$에서 $1350^{\circ}C$로 증가시킴에 따라 $SrAl_2O_4:Ho^{3+}$는 육방정계 상이 줄어 들면서 단상정계의 결정성이 향상되었다. 그러나 $1350^{\circ}C$에서도 일부 육방정계 상은 존재하였다. 구연산(CA)과 에틸렌 글리콜(EG)을 첨가해준 분무 용액으로부터 제조한 경우, 육방정계 상이 없는 순수한 단사정계 상으로 향상된 결정성을 가지는 $SrAl_2O_4:Ho^{3+}$가 제조되었다. 또한 유기 첨가제와 함께 N,N-Dimethylformamide(DMF)를 분무용액에 넣어 줌으로써 형광체의 표면적을 크게 감소시킬 수 있었다. 그 결과 CA/EG/DMF를 넣고 제조한 $SrAl_2O_4:Ho^{3+}$ 형광체는 유기 첨가물 없이 제조한 형광체에 비해 발광 휘도가 약 168% 향상되었다. 이러한 휘도 증대는 $SrAl_2O_4:Ho^{3+}$ 형광체의 결정상이 순수해졌고, 결정성 증대와 표면 결함을 최소화시킨 결과라고 결론지었다.

수열합성법에 의해 합성된 수산화아파타이트 결정의 입자 형상에 관한 EDTA의 영향 (Effects of EDTA on morphology of hydroxyapatite prepared by hydrothermal method)

  • 최봉석;김동현;김태완;박홍채;윤석영
    • 한국결정성장학회지
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    • 제21권2호
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    • pp.75-81
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    • 2011
  • 육방정계 구조를 가지는 수산화아파타이트 결정은 킬레이트 착화합물을 형성 할 수 있는 EDTA(ethylene diamine tetraacetic acid)를 이용하여 수열조건에서 합성 하였다. 제조된 분말은 X-선 회절 패턴 및 주사전자현미경에 의해 특성 평가 하였다. 제조된 수산화아파타이트 분말은 육방정계 구조의 c축에 따라 결정이 성장하였고, 결정의 형상은 수열온도, pH, EDTA/Ca 및 출발물질의 Ca/P 몰 비와 같은 반응 파라메타에 의해 제어 되었다.

다중강전자 상태를 가진 육방정계물질의 전자구조 계산 (The Electronic Structure Calculations for Hexagonal Multiferroic Materials)

  • 박기택
    • 한국자기학회지
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    • 제17권4호
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    • pp.152-155
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    • 2007
  • 다중강전자 상태의 $YMnO_3,\;ScMnO_3$의 전자구조와 자기구조를 국소스핀밀도근사(LSDA)를 이용하여 계산하였다. 강자성 상태이며 강유전 상태의 전자구조는 육방정계 구조로 인하여 Mn 3d 에너지띠가 분리되어 띠틈을 나타내었다. 이러한 에너지 띠틈과 작은 Y, Sc 이온의 반경으로 인하여 $YMnO_3,\;ScMnO_3$는 반강자성 강유전적 성질을 가지는 다중강전자 구조를 가지고 있음을 보았다. 또한 총에너지 계산을 통하여 반강자성, 강유전 상태가 가장 안정됨이 실험과 일치하였다.

기판온도 변화에 따른 Se 박막의 구조적 특성 (A Structural characteristic of a Se thin film along substrate temperature change)

  • 백수웅;양현훈;한창준;김한울;나길주;이석호;정해덕;박계춘
    • 한국신재생에너지학회:학술대회논문집
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    • 한국신재생에너지학회 2010년도 춘계학술대회 초록집
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    • pp.92.2-92.2
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    • 2010
  • Selenium 물질은 지구상에 많은 양이 존재하고, 가격이 저렴하다. 그 성질은 분광감도가 시감도에 잘 일치하고, 광학적 특성이 뛰어나서 태양전지로 연구도 활발히 진행 중이다. 본 연구에서는 Se박막을 열저항증착방법을 이용하여 증착시, 기판온도를 변화를 시켜 그 구조적특성의 변화를 관찰하였다. $50^{\circ}C$에서 변화를 시작하여 $70^{\circ}C$, $100^{\circ}C$의 변화에서 각각 단사정계, 육방정계 결정구조가 나타났다. XRD 분석결과 $100^{\circ}C$에서 증착한 sample의 회절강도가 $70^{\circ}C$에서 증착한 sample보다 작은회절강도를 나타내었다. 추후 열처리공정등을 통하여 보완하면, CISe 박막 화합물 태양전지 연구에 큰 효과를 나타낼 수 있을 것으로 예상된다.

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전자빔 증착법으로 제작한 Se박막의 광학적 특성 (Optical characteristics of Se thin film fabricated by EBE method)

  • 정해덕;이기식
    • E2M - 전기 전자와 첨단 소재
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    • 제9권5호
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    • pp.445-449
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    • 1996
  • Structural and optical characteristics in Se thin film fabricated by EBE method had been studied. Se thin film was deposited with noncrystalline until substrate temperature of >$100^{\circ}C$ Color of its surface had red genealogy, and its optical energy band gap was about 2.45 eV. But Se film was grown with monoclinic at substrate temperature of over >$150^{\circ}C$ Also, color of its surface had gray genealogy, and its optical energy band gap was about 2.31 eV. Finally, after heat-treatment at >$150^{\circ}C$ for 15 min with substrate temperature of >$100^{\circ}C$ noncrystalline Se was proved to be hexagonal, and color of its surface had dark gray genealogy, and its optical energy band gap was about 2.06 eV. From the results, it was known that Se thin film for photoelectric device with the lowest optical energy band gap was accepted from hexagonal structure.

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