• Proceedings of the KIEE Conference
• /
• 2000.07c
• /
• pp.1622-1624
• /
• 2000

방사선이 조사된 폴리프로필렌의 유전특성을 고찰한 결과 방사선 조사량이 40 kGy이하의 경우에는 유전상수가 서서히 증가하였으나. 40 kGy이상에서는 급격한 증가를 나타냈다. 또한, 방사선이 결정에 미치는 영향은 결정과 결정의 경계면에서 열화현상이 발생하는 것으로 관측되었고, 방사선의 세기가 증가할 수록 열화공의 수도 증가하는 것으로 나타났다.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
• /
• 2007.06a
• /
• pp.270-270
• /
• 2007

전자 산업의 발달로 인해 전자기기에 소형화, 경량화 및 다기능화가 요구되면서 민쇄회로기판(PCB)에도 고밀도화, 고집적회가 필요하게 되었다. 이에 따라 embedded passive 기술을 이용하여 기판 내부에 가능한 많은 수동소자들을 실장시키려는 노력이 진행되어지고 있다. 가장 수요가 많은 capacitor의 경우 부피와 전기적 특성 측면에서 내장 효과가 가장 큰 passive 소자에 해당한다. 본 연구에서는 내장형 capacitor의 유전재료로서 중요한 $BaTiO_3$ powder를 filler로 사용하여 epoxy/BT 복합체에서 filler의 분율에 따른 유전상수률 측정하고, filler의 열처리에 따른 유전상수의 변화를 관찰하였다. 그러고 이들 복합체의 mixing rule과 미세구조 관찰을 통하여 기판용 RCC 소재로서의 적용성을 평가하고자 하였다.

• Electrical & Electronic Materials
• /
• v.5 no.1
• /
• pp.28-42
• /
• 1992

본 논문에서는 ZnO 바리스터의 유전특성에 대해 검토하였다. 25~75[.deg.C]의 온도에서 1[kHz]~13[MHz]의 부파수 범위에서 LCR meter와 computer로 구성된 측정장치를 사용하여 정전용량-주파수, 및 손실계수-주파수의 관계를 측정하였다. 수학적 해석 방법에 의해 복소유전율의 실험결과로 부터 3-4개의 Debye 피크를 추출할 수 있었다. 각 피크를 .alpha., .betha., .gamma. 및 .delta.라 할 때 활성화에너지는 각각 0.35-0.48, 0.62-0.99, 0.48 및 0.33-0.41[eV]이었고, 각 피크 중 .gamma.는 공핍층에 형성된 도너준위, .alpha. 및 .delta.는 결정립 계면준위, .betha.피크는 도너이온에 의한 것으로 추정된다.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
• /
• 2006.04a
• /
• pp.52-53
• /
• 2006

ITO/ polytetrafluorethylene (PTFE)/ Tris(8-hydroxyquinolinato Aluminum ($Alq_3$)/ Al 구조에서 정공 수송층 PTFE의 두께 변화에 따른 유전특성은 HP 4284A precision LCR Meter를 이용하여 주파수에 따른 임피던스와 위상각, 유전손실, 그리고 커패시턴스를 측정하였다. 측정 결과 PTFE의 두께가 증가할수록 임피던스 값은 증가하고, 위상각은 저주파수 영역에서는 두께가 증가할수록 감소하다가 고주파수 영역에서는 거의 같아지는 것을 확인하였다. 또한, 유전손실도 저주파수 영역에서는 정공 수송층이 증가할수록 감소하다가 고주파수 영역에서는 거의 같아졌고, 커패시턴스는 PTFE의 두께가 증가함에 따라 작아지고 주파수가 높아질수록 감소함을 확인하였다.

• Proceedings of the KAIS Fall Conference
• /
• 2003.06a
• /
• pp.177-180
• /
• 2003

극초단파 영역에서 얇은 두께의 시료를 도파 관의 한 가운데 두었을 때 전송 법과 Automatic Network Analyzer를 이용하여 산란인자를 측정하였다. 파동의 전파상수를 구하기 위하여 복소수로 되어 있는 반사계수와 투과계수를 결정하고 이것으로 초월함수를 풀어 시료의 유전특성을 구하였다. 시료를 도파 관의 한 가운데 두고 산란인자를 측정하는 이 방법은 유전체와 도파 관 사이에 생길 수 있는 간격을 줄일 수 있고 시료를 쉽게 정착할 수 있다. 이 측정 방법은 대단히 간단하고 빨리 측정할 수 있으며 실험을 재생할 수 있다는 장점이 있다.

• Proceedings of the KAIS Fall Conference
• /
• 2003.06a
• /
• pp.91-94
• /
• 2003

하소온도에 따른 (Zn/sub 0.8.Mg/sub 0.2/)TiO₃ 마이크로파 유전체 세라믹스의 소결거동과 마이크로파 유전특성의 변화를 연구하였다. 저온소결을 위하여 0.45 wt.％Bi₂O₃와 0.55wt.％V₂O/sub 5/를 첨가하였으며, 1000℃이하의 온도에서 소결하여 치밀한 소결체를 얻을 수 있었다. 800℃～1000℃의 범위의 여러 온도에서 하소를 하고 소결 전ㆍ후의 존재상과 미세구조의 분석을 통하여, 하소한 분말에 존재하는 미반응상 및 이차상이 최소화 될 때 높은 Q×f/sub o/값을 갖는 것을 알 수 있었다. 1000℃에서 하소한 후 900℃에서 소결했을 때, 주상이 Hexagonal이고 미세구조가 균일하였으며, 이때 Q×f/sub o/ = 42,000㎓, ε/sub r/ = 22를 나타냈다.

• ETRI Journal
• /
• v.14 no.1
• /
• pp.40-51
• /
• 1992

$0.25{\mu} m$ 급 pMOSFET소자를 구현하기 위해, $P^+$ 폴리실리콘을 적용한 pMOS를 제작하였으며, $p^+$ 폴리실리콘 게이트 소자에서 심각하게 문제가 되고 있는 붕소이온 침투현상을 조사하고 붕소이온 침투가 일어나지 않는 최적열처리온도를 조사하였다. 소자제조 공정중 게이트 공정만 전자선 (EBML300)을 이용하여 직접묘사하고 그 이외의 공정은 stepper(gline) 을 사용하는 Mix & Match 방법을 사용하였다. 또한 붕소이온 침투현상을 억제하기 위한 한가지 예로서, 실리콘산화막과 실리콘질화막을 적층한 ONO(Oxide/Nitride/Oxide) 구조를 게이트 유전체로 적용한 소자를 제작하여 그 가능성을 조사하였다. 그 결과 $850^{\circ}C$의 온도와 $N_2$ 분위기에서 30분동안 열처리 하였을 경우, 붕소이온의 침투현상이 일어나지 않음을 SIMS(Secondary Ion Mass Spectrometer) 분석 및 C-V(Capacitance-Voltage) 측정으로 확인할 수 있었으며 그 이상의 온도에서는 붕소이온이 침투되어 flat band전압(Vfb)을 변화시킴을 알았다. 6nm의 얇은 게이트 산화막 및 $0.1{\mu} m$ 이하의 LDD(Lightly Doped Drain) $p^-$의 얇은 접합을 형성함으로써 소자의 채널길이가 $0.2 {\mu} m$까지 짧은 채널효과가 거의 없는 소자제작이 가능하였으며, 전류구동능력은 $0.26\muA$/$\mu$m(L=0.2$\mu$m, V$_DS$=2.5V)이었고, subthreshold 기울기는 89-85mV/dec.를 얻었다. 붕소이온의 침투현상을 억제하기 위한 한가지 방법으로 ONO 유전체를 소자에 적용한 결과, $900^{\circ}C$에서 30분의 열처리조건에서도 붕소이온 침투현상이 일어나지 않음으로 미루어 , $SiO_2$ 게이트 유전체보다 ONO 게이트 유전체가 boron 침투에 대해서 좋은 장벽 역활을 함을 알았다. ONO 게이트 유전체를 적용한 소자의 경우, subthreshold특성은 84mV/dec로서 좋은 turn on,off 특성을 얻었으나, ONO 게이트 유전체는 막자체의 누설전류와 실리콘과 유전체 계면의 고정전하량인 Qss의 양이 공정조건에 따라 변화가 심해서 문턱전압 조절이 어려워 소자적용시 문제가 된다. 최근 바닥 산화막(bottom oxide) 두께가 최적화된 ONO 게이트 유전체에 대하 연구가 활발히 진행됨을 미루어, 바닥 산화막 최적화가 된다면 더 좋은 결과가 예상된다.

• Polymer(Korea)
• /
• v.30 no.6
• /
• pp.492-497
• /
• 2006

The epoxy composites are prepared with mixing temperature of epoxy/montmorillonite (MMT) melt master batch and the dielectric properties of the composites are also compared with intercalation of MMT. The exfoliation mainly occurrs iii the low content of MMT composites, while in the composites with high content of MMT the interspacing distance increases as the mixing temperature of epoxy/MMT master batch is increased. Class transition temperature of the composite which the MMT are effectively exfoliated is increased with the appropriate postcuring condition. Since the orientation polarization of dipoles in the epoxy molecules is restricted by the clay nanolayers exfoliated, the dielectric constant and dielectric loss of the composites are reduced. Furthermore, the dielectric properties could be improved by controling the mixing temperature and time of epoxy/MMT master batch as well as postcuring condition.

• Journal of the Korean Institute of Illuminating and Electrical Installation Engineers
• /
• v.13 no.1
• /
• pp.53-59
• /
• 1999

The ceramic capacitor was fabricated by $(Ba_{0.85}Ca_(0.15)TiO_3+ZnO$ + ZnO(from 0.1 to 0.4 mol ratio). The electrical and structural properties of ceramic capacitor for high voltage application was studied in this study. The relative rensity of ceramics capacitor has shown high in all specimen. The grain was a small size from $1.0[\mum]$ to $1.22[\mum]$ and it was increased with ZnO at 0.3 mol ratio. It was stabilized that the temperature coefficient of ceramic capacitor to change temperature had below 100[ppm] at 0.12~10[kHz]. The dielectric reIaxation time was decreased by interface polarization over $110[^{\circ}C]$ and it was increased by space polarization of paraelectric layer below $110[^{\circ}C]$. The insulating layer was increased with ZnO and dielectric constant to voltage was stabilized by 0.1[%].0.1[%].

• The Journal of Engineering Geology
• /
• v.13 no.4
• /
• pp.405-418
• /
• 2003

Measurements of volumetric water content and saturation of porous media are very important factors in understanding the physical characteristics of soil, groundwater recharge by rainfall, pollutant movement, and slope failure. To measure such physical parameters, a permittivity method using electromagnetic wave is applied and use is made of the special permittivity response of understand to water and ethanol. In particular, the estimation is required because permittivity is influenced by the nature of the underground environment. In this study, we carried out experiments on the relative dependency of soil density, temperature and salinity of standard sand and granitic weathered soil using FDR-V system (Frequency domain reflectometry with vector network analyzer) within a frequency range of 1 - 18 GHz. The results of the study showed that the dielectric constants of standard sand and granitic weathered soil increased with increased volumetric water content of soil. However, the dependency of soil density was found to be a little low. Changes of dielectric constant with temperature appeared definitely in the real part of 1 GHz. That is, the dielectric constant of real part at 1 GHz of water and standard sand increased with the rise of temperature. However, ethanol showed decreased tendency. The study also showed that dielectric constant increased with increase in salinity at imaginary part of 1 GHz. It could be concluded from this study FDR-V system can adequately measure the physical properties of soil and the degree of salinity concentration of porous media within 1 GHz frequency range using dielectric constant.