• 제목/요약/키워드: 유전완화

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(Ba, Sr)TiO$_3$ 커패시터의 Thermally Stimulated Current분석 (Thermally Stimulated Current Analysis of (Ba, Sr)TiO$_3$ Capacitor)

  • 김용주;차선용;이희철;이기선;서광석
    • 대한전자공학회논문지SD
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    • 제38권5호
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    • pp.329-337
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    • 2001
  • 고유전 (Ba, Sr)TiO/sub 3/ (BST) 박막을 이용한 DRAM storage capacitor의 저전계 영역에서의 전하손실을 발생시키는 커패시터의 누설전류는 유전완화전류와 진성 누설전류로 이루진다고 알려져 있다. 특히, 기가급 DRAM의 동작 전압(~IV)에서 유전완화전류가 진성 누설전류에 비해 훨씬 크기 때문에 이에 대한 심도 있는 연구가 필요하다. 본 연구에서는 thermally stimulated current (TSC) 측정법을 BST 박막에 처음으로 적용하여 트랩의 에너지 level 및 공정변화에 따른 트랩 밀도의 상대적 평가를 하였다. 그리고, 기존에 사용되던 전류-전압(I-V) 측정이나 전류-시간(I-t) 측정과 비교 및 분석함으로써 유전완화 전류의 원인을 규명하고 TSC 측정법의 신뢰성을 살펴보았다. 먼저 안정적인 TSC 측정을 위해 전계, 시간, 온도 및 승온속도에 따른 polarization condition을 알아보았다 이 조건을 이용한 TSC 측정으로부터 BST 박막에서의 트랩의 energy level이 0.20(±0.01) eV와 0.45(±0.02) eV임을 알 수 있었다. Rapid thermal annealing (RTA)을 이용한 후속 열처리에 따른 TSC 측정을 통하여 이 트랩들이 산소결핍(oxygen vacancy)에 기인함을 확인할 수 있었다. MIM BST 커패시터의 열처리에 대한 TSC 특성은 전류-전압(I-V) 및 전류-시간(I-t) 특성과 같은 경향성을 보인다. 이것은 TSC 측정이 BST 박막내의 트랩을 평가하는데 있어서 매우 효과적인 방법이라는 것을 보여준다.

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종이의 유전 특성 향상을 위한 표면 사이즈제의 열적 안정성 및 유동현상 평가

  • 이학래;서만석
    • 한국펄프종이공학회:학술대회논문집
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    • 한국펄프종이공학회 2001년도 추계학술발표논문집
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    • pp.53-53
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    • 2001
  • 종이의 전기적 성질 가운데 유전율은 전기장에 대한 종이의 물리화학적인 반응으로 일반적으로 종이의 밀도와 종이를 구성하는 성분의 쌍극자 모멘트에 비례하며 온도에 따라서도 변화한다. 일반적으로 온도가 상승하면 열에너지를 얻게된 쌍극자가 전기장에 배열됨으로써 유전율이 상승하지만 온도가 유리전이점 이상으로 높아질 경우에는 열적 교란에 의해서 분극능력이 감소하게 되어 유전완화 현상이 나타난다. 전기절연지로 사 용될 종이의 절연특성을 이해하기 위해서는 사용환경에 따른 유전적 특성 및 tan 0에 관한 연구가 필요하며 필름형성능력이 우수한 polyvinyl a1cohoHPV A)와 acrylonitrile을 이용하여 시아노에틸화한 PYA의 표면처리에 의해 종이의 유전적 특성이 향상되었음을 기존의 연구를 통하여 확인할 수 있었다. 본 연구에서는 전기절연지가 사용되는 환경조건에서 PYA를 기본물질로하는 유전필름 의 열적 안정성을 평가하였으며, 아울러 표면사이징 공정에서의 적용성 검토를 위하여 용액의 유동특성을 분석하였다. 유전특성 향상을 위해서는 표면 사이즈제의 유도체화 과정에서 쌍극자 모벤트의 밀도 증가를 통한 유전율 향상이 요청되며 이와 동시에 네트원 구조를 통하여 전기장에 대 한 물리적 특성이 유지되어야 한다. 본 연구에서는 W AXD( wide angle x-ray diffraction)를 이용하여 시아노에틸화 반응 과 고온에서의 열화에 의한 필름의 결정화도를 평가하였으며 온도 상승에 따른 흡열 피크의 변화를 통하여 온도 변화에 따른 PYA 분자구조의 변화와 유리전이온도의 추이 를 분석하였다. 또 열화과정에서 수반되는 필름의 중량감소율을 평가함으로써 열안정성 을 평가하였다. 그 결과 시아노에틸화한 PYA가 안정된 분자구조를 유지하고 있음을 확인할 수 있었다. 시아노에틸화한 PYA용액의 점탄성 평가를 위하여 storage modulus와 loss modulus 를 분석하였다. 일반적 유변특성 평가 결과 PYA용액은 shear-thinning, pseudoplastic 한 특성을 나타내어 표면사이즈 공정에서의 적용 가능성을 확인할 수 있었다.

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0.9Pb($Mg_{1/3}Nb_{2/3}$)$O_3$-0.1Pb$TiO_3$계 완화형 강유전체에서 MnO$_2$ 첨가에 따른 압전물성의 변화 (Effect of MnO$_2$ addition on the piezoelectric properties in 0.9Pb($Mg_{1/3}Nb_{2/3}$)$O_3$-0.1Pb$TiO_3$relaxor ferroelectrics)

  • 박재환;박재관;김병국;김윤호
    • 한국재료학회지
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    • 제11권6호
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    • pp.498-501
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    • 2001
  • 0.9Pb($Mg_{1/3}Nb_{2/3}$)$O_3$-0.1Pb$TiO_3$계 완화형 강유전체에서 MnO$_2$ 첨가가 압전물성에 미치는 영향을 강유전성이 우세한 온도영역인 -40~3$0^{\circ}C$의 온도범위에 걸쳐 조사하였다. MnO$_2$ 첨가에 의한 효과를 유전특성, 압전특성, 전계유기 변형특성 등의 영역에서 고찰하였다 MnO$_2$ 첨가량이 증가할수록 유전성 및 압전성은 hard piezoelectric의 경향을 나타내었다. 이러한 실험적 고찰로부터 첨가된 Mn은 강유전 도메인 분역을 고정하는 역할을 하는 것으로 제안되었다.

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RF 스퍼터링법에 의한 ($Sr_{1-x}Ca_x)TiO_3$ 세라믹 박막의 미세구조 및 유전특성 (Microstructure and Dielectric Properties of ($Sr_{1-x}Ca_x)TiO_3$ Ceramic Thin Film by RF Sputtering Method)

  • 김진사;오재한;이준웅
    • 한국전기전자재료학회논문지
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    • 제11권11호
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    • pp.984-989
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    • 1998
  • The ($Sr_{1-x}Ca_x)TiO_3$(SCT) thin films are deposited on Pt-coated electrode($Pt/TiN/SiO_2/Si$) using RF sputtering method with substitutional contents of Ca. The maximum grain of thin films is obtained by substitution of Ca at 15[mol%]. All SCT thin films had (111) preferred orientation. The dielectric constant was increased with increasing the substitutional contents of Ca, while it was decreased if the substitutional contents of Ca exceeded over 15[mol%]. The dielectric constant changes almost linearly in temperature ranges of -80~+90[$^{\circ}C$]. The temperature properties of the dielectric loss have a stable value within 0.02 independent of the substitutional contents of Ca. All SCT thin films used in this study show the phenomena of dielectric relaxation with the increase of frequency, and the relaxation frequency is observed above 200[kHz].

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토양의 유전율 특성을 고려한 정보통신설비용 수평접지전극의 임피던스 계산 (Numerical Calculation for Impedance of Horizontal Ground Electrode for Information and Communication Facilities with Considering Characteristics of Permittivity in Soil)

  • 안창환
    • 전자공학회논문지
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    • 제50권10호
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    • pp.245-251
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    • 2013
  • 정보통신설비용 접지전극의 임피던스는 접지전극이 매설되어 있는 토양의 전기적 특성과 밀접한 관계가 있다. 특히 인가된 전계의 주파수에 따른 토양의 유전율과 도전율 특성이 접지전극의 임피던스에 직접적으로 영향을 준다. 접지전극의 임피던스를 계산할 수 있는 상용프로그램은 유전율과 도전율을 수정하여 시뮬레이션하는 것이 불가능하기 때문에 전자계 이론을 적용한 프로그램을 MATLAB으로 구현하였다. 토양의 유전율은 유전완화 모델인 디바이(Debye)식을 적용하였으며, 도전율은 실험에서 얻어진 수식을 다른 논문에서 인용하였다. 시뮬레이션 결과의 신뢰성을 확인하기 위해서 실험계를 구성하여 접지전극의 임피던스를 측정하고, 시뮬레이션 결과와 서로 비교하였다. 그 결과, 토양의 유전율과 도전율 특성을 고려한 본 논문 결과가 고려하지 않은 상용프로그램(NEC) 결과 보다 측정값과 더욱 잘 일치하는 것을 확인하였다.

ZrO2 첨가에 따른 Pb(Mg1/3Ta2/3)O3-PbTiO3 고용체의 강유전 특성 연구 (The study of ferroelectric properties for Pb(Mg1/3Ta2/3)O3-PbTiO3 solid solution modified with ZrO2)

  • 김강배
    • 한국진공학회지
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    • 제17권4호
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    • pp.317-321
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    • 2008
  • 세라믹 강유전체 $0.65Pb(Mg_{1/3}Ta_{2/3})O_3-0.35PbTiO_3$ 고용체에 $ZrO_2$를 첨가하여 유전 및 초전 특성을 관찰하였다. 유전상수, 유전손실 및 초전계수의 측정온도는 상온에서 $250^{\circ}C$사이에서 측정되었다. 유전상수와 초전계수는 $0.2\;mol%ZrO_2$ 첨가에서 최대값을 얻었다. $ZrO_2$의 첨가량이 증가할수록 각 시료의 유전상수와 초전계수의 최대값은 낮은 온도로 이동하였고, 최대유전상수의 퍼짐현상은 증가하였다.

소결조재 변화에 따른 0.94$(K_{0.5}Na_{0.5})NbO_3$-0.06Ba$(Zr_{0.05}Ti_{0.95})O_3$ 세라믹스의 유전 및 압전특성 (Dielectric and Piezoelectric Characteristics of 0.94$(K_{0.5}Na_{0.5})NbO_3$-0.06Ba$(Zr_{0.05}Ti_{0.95})O_3$ Ceramics System According to the variations of sintering aids)

  • 서병호;김도형;이유형;류주현
    • 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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    • 한국전기전자재료학회 2008년도 추계학술대회 논문집 Vol.21
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    • pp.205-205
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    • 2008
  • PZT 세라믹은 우수한 유전 및 압전특성을 갖고 있어 변압기, 센서 및 엑츄에이터 등에 널리 응용되고 있다. 그러나, 우수한 특성에도 불구하고 PZT세라믹스의 소결시 PbO의 높은 유독성 및 휘발로 인하여 환경오염을 야기 시킨다. 그러므로 PbO로 구성된 세라믹을 대체하기 위한 우수한 압전특성을 가진 비납계 세라믹스 개발이 연구의 주류를 이루고 있다. 그 중 비납계 NKN와 BZT는 대체물질로 많이 관심을 받고 있다. 이는 일반적인 NKN조성은 우수한 압전성과 높은 큐리온도를 가지고 있을 뿐만 아니라, BZT조성의 Zr성분이 큐리온도를 낮추거나 유전특성을 졸게 하여 유전율 곡선을 완화하게 하는 특징이 있다. 하지만 NKN은 $1140^{\circ}C$이상의 소결온도에서 K의 휘발특성으로 인해 소성 후에도 주변의 수분을 흡수하는 조해성이 발생하는 문제가 발생한다. 그래서 본 연구에서는 낮은 온도에서 NKN계 세라믹스의 밀도를 증가시킬 뿐만 아니라, 우수한 유전 및 압전특성을 갖는 세라믹스를 제조하고자 비납계 $0.94(K_{0.5}Na_{0.5})NbO_3-0.06Ba(Zr_{0.05}Ti_{0.95})O_3$ (NKN-BZT)의 조성을 사용하였고 소결조제로는 $MnO_2$, NiO, $Bi_2O_3$, ZnO, $Li_2CO_3$, CuO등을 변화주어 유전 및 압전 특성을 알아보았다.

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고체유전체의 쌍극자분극 완화시간 측정에 의한 유전특성의 연구 (A study on the dielectric properties by measurement of relaxation time of dipole polarization in solid dielectrics)

  • 박중순;서장수;김병인;국상훈
    • 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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    • 한국전기전자재료학회 1992년도 춘계학술대회 논문집
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    • pp.125-129
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    • 1992
  • When relaxation time will be distributed, TSC observed in the experimental procedure was analysed by using a potential model having two equilibrium positions and equations of dielectric properties was derived. Calculation of distribution was made by matrix method and compared/confirmed values obtained by TSC and alternating current which have a correspondence with each other. In this measurement, distribution of activation energy and relaxation time was determined by TSC peak at around 147k/364 of which center is 10$\^$-4/ sec/10$\^$5/ sec respectively at room temperature and also obtained dielctric loss factor at the range of 10$\^$-7/-10$\^$5/Hz. It seems that low temperature peak is local dispersion and high temperature peak have a relation to dielectric transition of the material.

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식이요법 대신에 약으로 치료할 수 있는 BH4 반응형 페닐케톤뇨증

  • 김영선;이동환
    • 대한유전성대사질환학회지
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    • 제3권1호
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    • pp.22-27
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    • 2003
  • 고페닐알라닌혈증의 경우 모든 환자들이 저페닐알라닌 식이를 엄격히 지키는 것은 아니기 때문에 기대만큼의 치료효과를 거두지 못하는 경우가 종종 있다. 모든 페닐알라닌 수산화 효소 결핍에 의한 페닐케톤뇨증 환자에서 테트라하이드로바이오프테린의 복용이 효과를 거두는 것은 아니나 식이조절과 비교해 볼 때 이는 식이 제한에 대한 어려움이 없고 복용이 간편하므로 치료효과가 있다면 일부 환자에서라 하더라도 페닐케톤뇨증 환자의 치료에 새로운 방향을 제시하는데 충분한 의미가 있다고 본다. 이러한 시점에서 저자들은 고전적 페닐케톤뇨증으로 진단되었던 6명의 환아에서 식이제한없이, 또는 식이제한을 완화한 상태에서 테트라하이드로바이오프테린을 복용함으로써 치료 효과를 거둔 6례에 대해서 문헌 고찰과 함께 보고하는 바이다.

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가스절연 개폐장치에서 전극 및 경사 유전율 고체 스페이서의 형상 변경

  • 주흥진;고광철
    • 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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    • 한국전기전자재료학회 2009년도 추계학술대회 논문집
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    • pp.230-230
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    • 2009
  • 가스절연 개폐장치 (Gas Insulated Switchgear : GIS)의 고체 스페이서에 경사 기능성 재료 (Functionally Graded Material : FGM)가 적용될 때, 절연성능이 크게 향상된다. 본 논문에서는 FGM 스페이서가 적용된 GIS의 전극 및 스페이서의 형상을 변경하여 최대전계를 완화시켰다. 이를 위해 완전요인실험 (Full Factorial Design : FFD)과 결합된 반응표면법 (Response Surface Methodology : RSM)의 최적화기법을 이용하여, 전극 및 스페이서의 최적 형상을 설계하였다.

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