• Title/Summary/Keyword: 유기결합형 $^3H$

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TFWT and OBT Concentrations in Rice Plants Exposed to HTO Vapor during Daytime and Nighttime at Different Seed-Developing Stages (벼의 종실 발육단계에 따른 주간 및 야간 HTO 증기 피폭시 TFWT 및 OBT 농도)

  • Choi, Yong-Ho;Lim, Kwang-Muk;Lee, Won-Yun;Kang, Hee-Suk;Choi, Heui-Joo;Lee, Han-Soo;Diabate, Silvia;Strack, Siegfried
    • Journal of Radiation Protection and Research
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    • v.28 no.1
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    • pp.9-18
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    • 2003
  • Rice plants at different seed-developing stages were exposed to HTO vapor in an exposure box for 1 h during daytime and nighttime to investigate the levels of tissue free water $^3H$ (TFWT) and organically bound $^3H$ (OBT) in different plant parts. In the daytime experiment, TFWT concentrations in leaves at the end of exposure $(h_0)$ were around 100% of the 1 hour mean HTO concentrations in air moisture whereas in the nighttime experiment, they were as low as $30{\sim}40%$ of the air concentration. TFWT concentrations in both experiments decreased very rapidly in the beginning but much mote slowly later and those at harvest were hundreds to hundred thousands times lower than those at $h_0$. OBT concentrations varied with time in different manners depending on plant parts and exposure times and differed between at $h_0$ and at harvest by factors of less than 10 on the whole. Even during nighttime exposures, OBT was produced at about a third the rate for daytime exposures. The degree of the conversion of airborne HTO into OBT in mature rice seeds, being several times higher in the daytime experiment than in the nighttime experiment, was highest after the exposure peformed at the most actively seed-developing stage for both experiments. It is estimated that OBT would contribute much more to the ingestion radiation dose than TFWT if rice plants are exposed to HTO vapor for the seed-developing period.

Fabrication and characterization of (개구결합을 이용한 H 형태 초전도 안테나의 제작 및 특성 해석)

  • Chung, Dong-Chul;Han, Byoung-Sung;Ryu, Ki-Su;Lee, Jong-Ha;Sok, Jung-Hyun;Lee, Eun-Hong
    • Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea TE
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    • v.37 no.1
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    • pp.63-69
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    • 2000
  • The high-$T_c$ Superconducting (HTS) antenna which consists of "H" type resonator has the benefits for the miniaturization of antenna in comparison with the microstrip antenna of the similar dimension. To fabricate the "H" type antenna, HTS $YBa_2Cu_3O_{7-x}$ (YBCO) thin films were deposited on MgO substrates using rf-magnetron sputtering. Standard etching processes were performed for the patterning of the "H" type antenna. For comparison between normal conducting antennas and superconducting antennas, the gold antennas with the same dimension were also fabricated. An aperture coupling was used for impedance matching between $50{\Omega}$ feed line and HTS radiating patch. The diverse experimental results were reported in terms of the resonant frequency, the return loss and the characteristics impedance. The "H" type superconducting antenna showed the performance of 1.36 in SWR, 24% in efficiency, and 14.6 dB in the return loss superior of the normal conducting counterpart.

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Novel Cationic Group 4 Metal Alkyl Complexes for Olefin Polymerizations (올레핀중합용 첨단 양이온형 제4족 유기금속 착물)

  • Kim, Il
    • Polymer Science and Technology
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    • v.5 no.3
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    • pp.236-253
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    • 1994
  • 양이온형 $d^0\;Cp_2M(R)(L)^+$ 착물과 무염기 $Cp_2M(R)^+$ 착물은 $Cp_2M(R)_2$화합물로부터 쉽게 합성할 수 있다. 이들 친전자성 착물에서는 여러가지 리간드 교환반응, 삽입반응, ${\beta}$-H 제거반응 및 ${\sigma}$-결합 복분해반응이 일어날 수 있다. 일반적으로 $Cp2M(R)(L)^+$ 착물은 불포화도와 전하가 크기때문에 중성의 $Cp_2M(R)(X)$$Cp_2M(R)_2$보다 반응성이 크며 $d^0\;{Cp_2}^*M(R)^+$ (M=제 3족과 란탄계) 착물과 여러가지 반응에서 유사한 거동을 보인다. $Cp_2MX_2$를 기초로하여 합성된 Ziegler-Natta 촉매에 의한 올레핀 중합에서 활성점이 $Cp_2M(R)^+$ 양이온이라는 여러가지 직접적인 증거가 발표되었다. 분리가능한 $Cp_2M(R)(L)^+$ 착물은 올레핀중합에서 높은 활성을 보이며, 유기합성의 관점에서 흥미있는 C-C 재조합반응과 같은 다른 여러가지 반응이 일어날 수 있는 기회를 제공한다.

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유기막 위에 증착된 저온 ITO(Indium Tin Oxide) 박막의 식각특성

  • 김정식;김형종;박준용;배정운;이내응;염근영
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 1999.07a
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    • pp.99-99
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    • 1999
  • 투명전도막인 Ito(Indium Tin Oxide)는 flat panel display 와 solar cell 같은 optoelectronic 이나 microelectronic device에서 널리 이용되어 지고 있다. 현재 상용화되고 있는 거의 대부분의 ITO 박막은 sputtering법에 의해 제조되고 있으나 공정상의 이유로 15$0^{\circ}C$이상의 기판온도가 요구되어진다. 그런, 실제 display device 제조공정에서는 비정질 실리콘 박막이나 유기막 위에 ITO박막을 제작할 필요성이 증대되어 지고 있고, 또한 다른 전자소자에 있어서도 상온 ITO 박막 형성 공정에 대한 필요성이 증대되고 있다. 이러한 이유로 본 실험에서는 IBAE(Ion Beam Assisted Evsporation)을 이용하여 저온 ITO박막을 유기막 위에 증착하는 공정에 대한 연구를 수행하였다. 이렇게 증착된 ITO 박막의 결정성은 비정질이었다. 또한, 모든 display device 제작에는 식각공정이 필수인데 기존에 사용되고 있는 wet etching 법은 등방성 식각특성 때문에 미세 pattern 형성에 부적합?, 따라서 비등방성 식각에 용이한 plasma etching법을 사용하여 저온 증착된 ITO 박막의 식각특성을 알아보았다. 실험에 사용된 식각장비는 자장 강화된 유도결합형 플라즈마 식각장비(MEICP)를 사용하였으며, 13.56MHz의 RF power를 사용하였다. 식각조건으로 source power는 600W~1000W, 기판 bias boltage는 -100V~-250V를 가하였으며, Ar, CH4, O2, H2, BCl3의 식각 gases, 5mTorr~30mTorr의 working pressure 변화 그리고 기판 온도에 따른 식각특성을 관찰하였다. ITO 가 증착된 기판으로는 유기물 중 투명전도성 박막에 기판으로서 사용가능성이 클 것으로 기대되어지는 PET(polyethylene-terephtalate), PC(polycarbonate), 아크릴을 사용하여 기판 변화가 식각특성에 미치는 영향에 대해서 각각 관찰하였다. 식각속도의 측정은 stylus profiler를 이용하여 측정하였으며 식각후에 표면상태는 scanning electron spectroscopy(SEM)을 이용하여 관찰하였다.

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Filtration Characteristics of Membrane-coupled Fermentor System for Dissolved Organics Recovery From Liquid Organic Sludge (액상유기성슬러지로부터 용존유기물의 회수를 위한 막결합형 발효 시스템의 여과 특성)

  • Jong Oh Kim
    • Membrane Journal
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    • v.13 no.2
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    • pp.65-72
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    • 2003
  • This study was focused on the investigation of filtration characteristics of membrane-coupled fermentor system for dissolved organics recovery from liquid organic sludge. On the filterability of MF over the range of $0.1{\sim}5 {\mu}m,$ the magnitude of total membrane resistance ($R_t$) is ranged as follows in the order; $0.1 {\mu}m>0.2{\mu}m>0.5 >1{\mu}m>2{\mu}m>5{\mu}m$. The cake layer resistance ($R_c$) occupied about 68~88% of total resistance with fermented sludge. Permeation flux decline was mainly attributed to the $R_c$, which was formed by a strong deposition from physico-chemical interactions of solids on membrane surface. Higher suspended solids (SS) concentration of suspension caused lower permeation flux. However, there was not a proportion relation beyond a certain SS concentration. The cross-flow velocity on the membrane surface was faster, which resulted in the higher permeation flux and also more efficient with low trans membrane pressure (TMP) in viewpoint of energy efficiency. The appropriate pH of suspension was over the range of 5.0~6.0 for dissolved organics recovery as well as the permeation flux. It is possible f3r bacteria to be separated perfectly with $0.1{\mu}m\; and \;0.2{\mu}m$ membrane pore size. Based on experimental results, most appropriate membrane pore size for the recovery is believed to around $1{\mu}m$.

TFWT and OBT Concentrations in Soybean Plants Exposed to HTO Vapor at Different Growth Stages (콩의 생육단계별 HTO 증기 피폭에 따른 작물체내 TFWT 및 OBT 농도)

  • Lim, K.M.;Choi, Y.H.;Lee, W.Y.;Park, H.G.;Kang, H.S.;Choi, H.J.;Lee, H.S.
    • Journal of Radiation Protection and Research
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    • v.29 no.4
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    • pp.213-219
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    • 2004
  • Soybean plants were exposed to HTO vapor in an exposure box for 1 hour at different growth stages. Relative concentrations of TFWT at the end of exposure (percent ratios of TFWT concentrations to mean HTO concentrations in air moisture in the box during exposure) decreased on the whole in the order of leaf > shell > seed > stem with the highest values of 40.2% and 6.4% for leaf and stem, respectively. TFWT concentrations reduced by factors of several thousands to several hundred-thousands from the end of exposure till the harvest. The reduction factor decreased in the order of leaf > shell > seed > stem. Relative OBT concentrations at harvest (ratios of the OBT concentration in the dry plant part at harvest to the initial leaf TFWT concentration, ml $g^{-1}$) were in the range of $2.2{\times}10^{-5}{\sim}9.5{\times}10^{-3}$ for seeds being the highest when the exposure was performed at the actively seed-developing stage. The exposure time-dependent variation in the OBT concentration was much greater in seeds and shells than in leaves and stems. It was indicated that OBT would contribute to almost all the radiation dose due to the consumption of soybean seeds in most cases after an acute exposure of growing plants to HTO vapor. Present results are applicable to establishing and validating soybean $^3H$ models for an acute accidental release of HTO.

Synthesis and Characterization of Molybdenum Complexes with Schiff Bases (I). Bis-(N-aryl salicylaldiminato) of dioxomolybdenum (VI) Complexes (몰리브덴의 시프-염기착물의 합성과 그 성질 (제1보). 다이옥소 몰리브데늄(VI)의 아릴살릴실알디미나토착물)

  • Oh Sang Oh;Bon Kweon Koo
    • Journal of the Korean Chemical Society
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    • v.29 no.3
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    • pp.226-232
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    • 1985
  • Dioxomolybdenum(VI) complexes, MoO$_2$(H-Sal-R)$_2$, R; arylamines, have been synthesized by reactions of dioxobis (salicylaldehydato) molybdenum(VI) with various primary amines. These complexes have been characterized by electric conductivity and spectroscopic studies. Infrared, uv-vis, and proton nmr spectra show that the complexes are six-coordinated with cis-MoO$_2$ group. And mass spectra indicates that the combining ratios for Mo (VI)-ligand are 1 : 2. They are yellow, stable for a considerably long time in the atmosphere at room temperature and slightly soluble in alcohol, dichloromethane and dimethylformamide but insoluble in benzene, ether and carbon tetrachloride.

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a-SiGe:H 박막의 고상결정화에 따른 주요 결험 스핀밀도의 변화

  • 노옥환;윤원주;이정근
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 2000.02a
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    • pp.78-78
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    • 2000
  • 다결정 실리콘-게르마늄 (poly-SiGe)은 태양전지 개발에 있어서 중요한 물질이다. 우리는 소량의 Ge(x=0.05)으로부터 다량의 Ge(x=0.67)을 함유한 수소화된 비정질 실리콘-게르마늄 (a-SiGe:H) 박막의 고상결정화 과정을 ESR (electron spin resonance)방법으로 조사해보았다. 먼저 PECVD 방법으로 Corning 1737 glass 위에 a-Si1-xGex:H 박막을 증착시켰다. 증착가스는 SiH4, GeH4 가스를 썼으며, 기판온도는 20$0^{\circ}C$, r.f. 전력은 3W, 증착시 가스압력은 0.6 Torr 정도이었다. 증착된 a-SiGe:H 박막은 $600^{\circ}C$ N2 분위기에서 다시 가열되어 고상결정화 되었고, 결정화 정도는 XRD (111) peak의 세기로부터 구해졌다. ESR 측정은 상온 x-band 영역에서 수행되었다. 측정된 ESR스팩트럼은 두 개의 Gaussian 함수로써 Si dangling-bond와 Ge dangling-bond 신호로 분리되었다. 가열 초기의 a-SiGe:H 박막 결함들의 스핀밀도의 증가는 수소 이탈에 기인하고, 또 고상결정화 과정에서 결정화된 정도와 Ge-db 스핀밀도의 변화는 서로 깊은 상관관계가 있음을 알 수 있었다. 특히 Ge 함유량이 큰 박막 (x=0.21, 0.67)에서 뿐만 아니라 소량의 Ge이 함유된 박막(x=0.05)에서도 Ge dangling-bond가 Si dangliong-bond 보다 고상결정화 과정에서 더 중요한 역할을 한다는 것을 알수 있었다. 또한 초기 열처리시 Si-H, Ge-H 결합에서 H의 이탈로 인하여 나타나는 Si-dangling bond, Ge-dangling bond 스핀밀도의 최대 증가 시간은 x 값에 의존하였는데 이러한 결과는 x값에 의존하는 Si-H, Ge-H 해리에너리지로 설명되어 질 수 있다. 층의 두께가 500 미만인 커패시터의 경우에 TiN과 Si3N4 의 계면에서 형성되는 슬릿형 공동(slit-like void)에 의해 커패시터의 유전특성이 파괴된다는 사실을 알게 되었으며, 이러한 슬릿형 공동은 제조 공정 중 재료에 따른 열팽창 계수와 탄성 계수 등의 차이에 의해 형성된 잔류응력 상태가 유전막을 기준으로 압축응력에서 인장 응력으로 바뀌는 분포에 기인하였다는 사실을 확인하였다.SiO2 막을 약화시켜 절연막의 두께가 두꺼워졌음에도 기존의 SiO2 절연막의 절연 파괴 전압 및 누설 전류오 비교되는 특성을 가졌다. 이중막을 구성하고 있는 안티퓨즈의 ON-저항이 단일막과 비교해 비슷한 것을 볼 수 잇는데, 그 이유는 TiO2에 포함된 Ti가 필라멘트에 포함되어 있어 필라멘트의 저항을 감소시켰기 때문으로 사료된다. 결국 이중막을 구성시 ON-저항 증가에 의한 속도 저하 요인은 없다고 할 수 있다. 5V의 절연파괴 시간을 측정한느 TDDB 테스트 결과 1.1$\times$103 year로 기대수치인 수십 년보다 높아 제안된 안티퓨즈의 신뢰성을 확보 할 수 있었다. 제안된 안티퓨즈의 이중 절연막의 두께는 250 이고 프로그래밍 전압은 9.0V이고, 약 65$\Omega$의 on 저항을 얻을수 있었다.보았다.다.다양한 기능을 가진 신소재 제조에 있다. 또한 경제적인 측면에서도 고부가 가치의 제품 개발에 따른 새로운 수요 창출과 수익률 향상, 기존의 기능성 안료를 나노(nano)화하여 나노 입자를 제조, 기존의 기능성 안료에 대한 비용 절감 효과등을 유도 할 수 있다. 역시 기술적인 측면에서도 특수소재 개발에 있어 최적의 나노 입자 제어기술 개발 및 나노입자를 기능성 소재로 사용하여 새로운 제품의 제조와 고압 기상 분사기술의 최적화에 의한 기능성 나노 입자 제조 기술을 확립하고 2차 오염 발생원인 유기계 항균제를 무기계 항균제로 대체할 수 있다. 이와 더불

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Changes of Chemical Components during Fermentation of Pear Wine (배술 발효 과정 중 화학 성분의 변화)

  • Lee, Ka-Soon;Park, Hae-Min;Hong, Jong-Sook;Lee, Gyu-Hee;Oh, Man-Jin
    • Food Science and Preservation
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    • v.16 no.6
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    • pp.991-998
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    • 2009
  • We used pears to manufacture wine, and analyzed changes in pH, acidity and ethanol and sugar content during fermentation. Pear wine with added ginger (to improve quality) did not differ from ginger-free wine in pH or acidity level. The ethanol content of pear wine was the highest (13.0%, v/v) inpear wine with 0.1% (w/v) added ginger compared to pear wine with no ginger, and sensory tests examining taste and color yielded the highest scores for pear wine with 0.2% (w/v) ginger. To assess storage stability, pear wine was treated for 30 minutes at $55^{\circ}C$, $60^{\circ}C$, $65^{\circ}C$, or $70^{\circ}C$. Unheated pear wine showed rapid changes in pH and acidity level after 30 days of storage, whereas pear wine treated for 30 minutes at $60^{\circ}C$ did not show such changes. Total organic acid levels in pear wine increased by 0.71% and 0.89% (v/v), respectively. The free sugar level in pear wine decreased from 12.05% to 3.13% (w/v). Turning to phenolic compounds, caffeic acid, catechin, and epicatechin contents in pears were 1.64, 1.40, and 0.23 mg/100mL, respectively, with diverse compositions. Caffeic acid levels in pear wine decreased sharply to 0.12 mg/100 mL upon fermentation, whereas free catechin inpear wine increased to 1.16 mg/100 mL compared with 0.28 mg/100 mL in pears. Free arbutin increased from 8.34 mg/100 mL in pears to 10.39 mg/100 mL in pear wine. The free amino acid content of pear wine was 118.5 g/100 mL, but the levels of serine, alanine, glutamic acid, and aspartic acid decreased sharply upon fermentation, with corresponding increases in tyrosine, GABA, lysine, and arginine.

Wear and corrosion coatings by MO-PACVD and dual plasma processes (MO-PACVD 및 복합 플라즈마 공정에 의한 내마모 내식성 코팅)

  • 김선규
    • Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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    • 1999.10a
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    • pp.3-4
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    • 1999
  • 최근 산업이 고속도화, 고능률화 및 고정멸화의 추세로 발전함에 따라 우수한 내마모성, 인성, 고온 안정성 및 내구성을 갖는 공구 및 금형을 요구하게 되었다. 그러나 이와같은 성질들은 어떤 단일 재료에서는 얻을 수 없으며 적당한 기판공구나 금혈위에 내마모성 보호피막을 coating함으로 비교적 저렴하게 얻을 수 있다. 화학증착법으로 TiC, TiN등을 증착시킬때에는 $1000^{\circ}C$정도의 반응온도가 필요하며 이러한 증착온도는 모재가 초경합금일때는 문제가 안되나 강재일 경우 모재의 연화와 칫수변화의 문제를 야기시킨다. 최근에는 플라즈마를 사용하여 증착반응온도를 $550^{\circ}C$ 이하로 낮추는 플라즈마 화학 증착볍(PACVD)이 대두되고 있다. 그러나 이 방법어서 는 뚱착하려는 금속원소가 TiCl4의 형태로 공급되고 있으므로 생성된 층이 염소를 포함하고 있다. 이 층에 잔존하는 염소는 층의 기계적 성질을 저하시키고 층내의 stress를 유발시킨다. 또한 HCI개스의 생성으로 인하여 펌프 및 장비의 부식이 촉진 된다 이러한 결점을 극복하기 위하여 금속유기화합물 전구체(metallo-organic precursor)로 $TiCl_4$를 대체하고자 하는 연구가 활발하게 진행되고 있으며 본 연구실에서 이에 대하여 연구한 결과를 소개하고자 한다. diethylamino titanium을 전구체로 사용하여 $H_2,\;N_2,\;Ar$분위기하에서 pulsed d.c.를 사용하는 MO-PACVD에 의하여 $150~250^{\circ}C$의 저온에서 Al 2024 기판에 TiCN층 형 성을 하였다. 전구체 증발온도는 $74~78^{\circ}C$의 온도범위어야 하며 고경도의 코탱층은 54% duty, 14.2kHz, 450V의 조건에서 얻어졌으며 duty, 주파수, 전압이 증가함에 따라 경도는 저하되었다. 이때의 표면 morphology를 SEM으로 조사한바 dome structure가 크게 발달되었음을 알 수 있었다. 본 실험의 온도 범위내에서 얻은 TiCN 증착반응의 활성화에너지는 7.5Kcal/mol이었다. 증착된 TiCN층은 우수한 내마모섣을 나타내었으며 스크래치테스트 결과 17N의 엄계하중을 나타내었다. 본 연구에서 변화 시킨 duty, 주파수, 전압의 범위에서는 층의 밀착력은 크게 변화하지 않았다. titanium isopropoxide를 전구체로 사용하여 Hz, Nz 분위기하에서 d.c.를 사용하는 MO-PACVD에 의하여 Ti(NCO) 코팅층을 SKDll, SKD61, SKH9 공구강에 형성시키는 공정을 개발하였다. 최적의 Ti(NCO) 코탱층을 얻기 위해 유입전구체 부피%의 양은 향착압력의 5%를 넘지 않아야 되고 수소와 젤소 가스비가 1:1일 때 가장 높은 코팅층의 경도값을 나타내었다. 수소와 질소 가스비가 3:7일 때 TiFeCr(NCO)의 복화합물 코팅층이 형성됨을 알 수 있었고 500t의 증착온도에서 얻은 Ti(NCO) 코팅층이 높은 경도값과 좋은 내식성을 나타내었다. 또한 이와같은 Ti(NCO) 코팅공정과 본 실험실에서 개발한 확산층만 형성시키는 plsma nitriding 공정을 결합하여 복합코탱층을 형성하였는데 이 복합코팅층은 고경도와 우수한 내마모성, 내식성 뿐만 아니라 10)N 이상의 뛰어난 밀착력을 나타내었다. 현재 많이 사용되고 있는 PVD법은 step coverage가 좋지 않은 점과 cost intensive p process라는 단점이 있다. MO-PACVD법은 이러한 문제를 해결할 수 있는 방법으로서 앞으로 지속적인 도전이 요구되는 분야이다.

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