• Proceedings of the Korea Water Resources Association Conference
• /
• 2005.05b
• /
• pp.304-308
• /
• 2005

본 연구에서는 금강유역의 대청다목적댐을 대상으로 대청댐의 제한수위를 변화시켜 가며 대청댐의 홍수조절과 용수공급능력을 판단하였다. 이를 위하여 홍수기 저수지 모의운영 방법 중 Rigid ROM 기법을 수정$\cdot$보완하여 개발한 모의기법을 이용하여 빈도별 홍수유입량에 대해 홍수기 저수지 운영을 실시하였다. 모의운영에 의해 얻은 방류량을 대청댐으로부터 공주지점까지 홍수추적함으로써 공주지점의 최대홍수량을 산정하였다. 산출된 공주지점 최대홍수량을 토대로 대청댐 제한수위의 변화와 빈도별 유입 홍수량의 함수로써 공주지점의 최대홍수량 관계식을 유도하고, 이 관계식을 이용하여 합리적인 대청댐 재할당 수위 및 대청댐 홍수조절 능력을 산정하였다. 또한 대청댐의 상시만수위를 변화시키면서 신뢰도 $95\%$를 만족시키는 용수공급량을 산정하였다. 본 연구의 결과, 홍수조절 측면에서 대청댐의 상시만수위를 78m로 재할당시에 24시간 지속기간을 갖는 300년 빈도 홍수에도 홍수조절이 가능하므로 대청댐의 용량 재할당량은 78m가 적합한 것으로 판단된다. 78m로 재할당 했을 시 이수측면에서 신뢰도 $95\%$를 만족시키는 용수공급량은 기존의 상시만수위 76.5m로 운영했을 시와 비교하여 약 $3\% 증가하는 효과를 얻을 수 있었다.

• Journal of Korea Fair Competition Federation
• /
• no.29
• /
• pp.35-44
• /
• 1998

공정거래위원회는 지난 ''97년 12월 29일 1998년도에 적용될 시장지배적사업자로 128개 품목의 311개 사업자(순사업자:188개)를 지정하고 ''98년 1월 1일부터 시행에 들어갔다. ''98년도에는 ''97년도 지정품목 및 사업자 중 13개 품목, 50개 사업자가 신규로 지정된 반면 14개 품목, 45개 사업자가 지정제외되어 지난해인 ''97년도에 비해 시장지배적사업자는 5개 증가한 반면, 시장지배적품목은 1개가 감소하였다. 이번에 공정위가 시장지배적품목 및 사업자의 변동상황을 분석한 결과, ''98년도에 신규로 시장지배적품목으로 지정된 품목은 주로 매출액의 증가에 따른 자연증가가 많았던 반면, 지정제외품목은 대부분 시장집중도 완화에 기인하고 있는 것으로 나타났다. 또한 시장지배적품목으로 계속 지정된 품목의 경우에도 사업자간의 시장점유율 순위와 상위 3사가 변동한 품목이 $32.3\%$에 달한 것으로 나타나 전반적으로 시장경쟁이 촉진되고 있는 것으로 분석되었다. 시장지배적품목의 시장집중도의 경우에는 1사 지배품목의 수와 3사 지배품목 중 $90\%$ 이상의 고집중품목의 수가 감소한 것으로 나타났다. 공정위는 앞으로 시장지배적사업자에 대하여는 최근의 경제상황을 감안하여 물가와 민생안정에 역점을 두고 공정거래법을 집행해 나갈 계획으로 있다. 이를 위해 가격남용, 출고조절, 공동행위 등 물가안정을 저해하는 시장지배적사업자의 법위반행위에 대한 감시를 강화하고, 특히 휘발유, 맥주, 라면 등 물가와 서민생활에 큰 영향을 미치는 독과점품목에 대하여 철저히 감시할 계획이며, 독과점시장 구조개선시책의 일환으로 ''96년부터 추진하고 있는 26개 우선개선대상품목의 경쟁촉진방안을 적극적으로 추진할 계획으로 있다고 밝혔다.

• Journal of the Korean earth science society
• /
• v.21 no.4
• /
• pp.389-397
• /
• 2000

The longitude and latitude of the Kongju National University Observatory was determined by using TM-1A theodolite and GPS(model: 4000SSI, GPS 45). In the observation using theodolite TM-1A observed the meridian transit time(KST) and meridian altitude of the 2 stars, ${\alpha}$ Aur and ${\alpha}$ Boo. In the observation using GPS measured the longitude and latitude by receiving data of 6 GPS satellites. The longitude and latitude of the Kongju National University Observatory was determined to 127$^{\circ}$8'33'.16 and 36$^{\circ}$28'14'.20, respectively.

• Journal of Sensor Science and Technology
• /
• v.6 no.1
• /
• pp.49-55
• /
• 1997

ZnO thin film had been deposited on the glass by sputtering method, and investigated by optical and electrical properties. When the rf power was 180W and sputtering pressure was $1{\times}10^{-3}$Torr at room temperature, thin lam deposited had strongly oriented c-axis and the lowest resistivity($1{\times}10^{-4}{\Omega}{\cdot}cm$), and then carrier concentration and Hall mobility were $6.27{\times}10^{20}cm^{-3}$ and $22.04cm^{2}/V{\cdot}s$, respectively. Transmittance of ZnO thin film in visible range was above 90%, and this thin film cut of the ultraviolet range below 320nm and the infrared range above 850nm. And after annealing in hydrogen atmosphere, the resistivity of ZnO thin film was somewhat decreased, while obtained as stable state.

• Korean Journal of Fisheries and Aquatic Sciences
• /
• v.19 no.6
• /
• pp.521-528
• /
• 1986

In this paper, proteolytic activity of the tissue extracts from the internal organs such as alimentary canal, pancreas, pyloric caeca, stomach, liver and spleen of mackerel, Scomber japonicus, and sardine, Sardinops melanosticta, was compared with each other under the optimum reaction condition. The proteinases distributed in alimentary canal, pancreas, pyloric caeca and spleen were active in alkaline pH range, but those in stomach were shown the activity in acid pH range, furthermore those in liver were exhibited the activity in acid, neutral and alkaline pH range. The proteinases distributed in the internal organs of both fish were stable at the heat treatment of $45^{\circ}C$ for 5 minutes. The proteinases from stomach and pyloric caeca of the two fish and those from pancreas of sardine were less stable than those from any other internal organs of both fish. Whereas the proteinases from spleen and neutral proteinases from liver were shown to be stable by the heat treatment at $55^{\circ}C$ for 5 minutes. The proteinases from pyloric caeca of both fish, and stomach, pancreas and spleen of mackerel were stable during the whole storage days at $5^{\circ}C$, but the other proteinases were slowly inactivated after 14 days of storage. The enzymes were seemed to be more stable in the storage at $-15^{\circ}C$ than at $5^{\circ}C$.

• Journal of Sensor Science and Technology
• /
• v.9 no.3
• /
• pp.171-176
• /
• 2000

The physical and electrical characteristics of MgO and Pt thin-films on it, deposited by reactive sputtering and rf magnetron sputtering, respectively, were analyzed with annealing temperature and time by four-point probe, SEM and XRD. Under annealing conditions of $1000^{\circ}C$ and 2 hr, MgO thin-film had the properties of improving Pt adhesion to $SiO_2$ and insulation without chemical reaction to Pt thin-film, and the sheet resistivity and the resistivity of Pt thin-film deposited on it were $0.1288\;{\Omega}/{\square}$ and $12.88\;{\mu}{\Omega}{\cdot}cm$, respectively. We made Pt resistance pattern on $SiO_2$/Si substrate by lift-off method and fabricated thin-film type Pt-RTD(resistance thermometer device) for micro thermal sensors by Pt-wire, Pt-paste and SOG(spin-on-glass). In the temperature range of $25{\sim}400^{\circ}C$, the TCR value of fabricated Pt-RTD with thickness of $1.0{\mu}m$ was $3927\;ppm/^{\circ}C$ close to the Pt bulk value. Resistance values were varied linearly within the range of measurement temperature.

• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
• /
• 2011.10a
• /
• pp.41.1-41.1
• /
• 2011

본 연구에서는 MOCVD법으로 사파이어 기판위에 u-GaN를 성장한 후 Mg을 도핑시켜 p-GaN를 성장하고, RF 스퍼터를 이용하여 n-ZnO를 도포하여 n-ZnO/p-GaN 이종접합을 형성한 후 진공증착기를 이용하여 Au/Ni를 증착시켜 발광다이오드(LED)를 제작하고 전기 광학적 특성을 조사하였다. 두께가 500 nm인 u-GaN 위에 성장된 p-GaN의 운반자 농도는 $1.68{\times}10^{17}\;cm^{-3}$ 이었다. 그리고 150, 300 nm 두께의 p-GaN에 대하여 측정된 DXRD 반치폭은 각각 450 arcsec, 396 arcsec 이었고, 상온에서 2.8~3.0 eV 영역에서 Mg 억셉터와 관련된 광루미네센스가 검출되었다. RF 스퍼터링에 의해 0.7 nm/min의 속도로 증착된 n-ZnO 박막은 증착 두께에 따라 비저항이 27.7 $m{\Omega}{\cdot}cm$ 에서 6.85 $m{\Omega}{\cdot}cm$ 까지 감소하였다. 그리고 n-ZnO 박막은 (0002)면으로 우선 배향되었으며, 상온에서 에너지갭 관련된 광루미네센스가 3.25 eV 부근에서 주되게 검출되었다. n-ZnO/p-GaN 이종접합 LED의 전류전압 특성곡선은 다이오드 방정식에 만족하는 특성을 나타내었다. 다이오드 지수는 3 V 이하 영역에서 1.64, 3~5 V 영역에서 0.85이었다. 그리고 5 V 이상 영역에서 공간전하의 제한을 받았으며, 다이오드 지수는 3.36이었다. 한편, 역방향 전류전압 특성은 p-GaN 박막의 두께에 영향을 받았으며, p-GaN 박막의 두께가 150, 300 nm 일 때 각각의 누설 전류는 $1.3{\times}10^{-3}$ mA와 $8.6{\times}10^{-5}$ mA 이었다. 상온에서 측정된 EL 스펙트럼의 주된 발광피크는 430 nm이었고, 반치폭은 49.5 nm이었다.

• Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
• /
• v.15 no.7
• /
• pp.1559-1563
• /
• 2011

We fabricated gallium doped ZnO (GZO, 5 wt% Ga) thin films on PES (polyethersulfon) substrate with RF magnetron sputtering and investigated optical and electrical properties for various substrate temperatures ($50{\sim}200^{\circ}C$). All GZO thin film has c-axis preferred orientation without reference to deposition conditions. As a result of AFM analysis, the GZO thin film deposited at $200^{\circ}C$ exhibited the lowest surface roughness of 0.196nm. The transmittance of GZO thin films were above 80% and Burstein-Moss effect was observed. In the analysis of Hall measurement, we confirmed that the GZO thin film deposited at $200^{\circ}C$ showed the lowest resistivity of $6.93{\times}10-4{\Omega}{\cdot}cm$ and the highest carrier concentration of $7.04{\times}1020/cm^3$.

• Journal of Sensor Science and Technology
• /
• v.6 no.2
• /
• pp.155-162
• /
• 1997

Zinc oxide(ZnO) thin films were deposited on r-plane sapphires from a solution containing zinc acetate. The films were obtained in a hot wall reactor by the pyrolysis of an aerosol produced by an ultrasonic generator. The crystallinity, surface morphology and composition of the films have been studied using the x-ray diffraction method(XRD) scanning electron microscopy(SEM) and Auger electron spectroscopy (AES) respectively. The influences of the substrate temperature on the crystallinity of the films were studied. Strongly (110) oriented ZnO films were obtained at a substrate temperature of $350^{\circ}C$. The resistivity was increased to above $3{\times}10^{6}{\Omega}{\cdot}cm$ with copper doping and vapor oxidation.

• Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
• /
• v.37 no.1
• /
• pp.1-7
• /
• 2000

In this paper, we present n-channel GaAs MOSFET having $Al_2O_3$ as gate in insulator fabricated on a semi-insulating GaAs substrate. 1 ${\mu}$m thick undoped GaAs buffer layer, 1500 ${\AA}$ thick n-type GaAs, undoped 500 ${\AA}$ thick AlAs layer, and 50 ${\AA}$ GaAs caplayer were subsequently grown by molecular beam epitaxy(MBE) on (100) oriented semi-insulating GaAs substrate oxidized. When it was wet oxidized, AlAs layer was fully converted $Al_2O_3$. The I-V, $g_m$, breakdown charateristics of the fabricated GaAs MOSFET showed that wet thermal oxidation of AlAs/GaAs epilayer/S${\cdot}$I GaAs was suitable in realizing depletion mode GaAs MOSFET.