The Study of $SiO_2$ , $Si_3N_4$ passivation layers grown by PECVD for the indiumantimonide photodetector
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- 한국재료학회:학술대회논문집
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- 한국재료학회 2009년도 추계학술발표대회
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- pp.24.2-24.2
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- 2009