• 제목/요약/키워드: 열-광학 특성

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메쉬 제직 밀도(OPI)에 따른 우주용 전개형 메쉬 안테나의 열적 특성 분석 (Thermal Characteristics Investigation of Space-borne Deployable Mesh Antenna according to the Mesh Weaving Density (OPI) )

  • 채봉건;김혜인;백현규;오현웅
    • 항공우주시스템공학회지
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    • 제17권4호
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    • pp.1-9
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    • 2023
  • 최근 위성의 SAR(Synthetic Aperture Radar), 통신 및 신호 감시 임무가 고도화됨에 따라 경량화 및 전개 면적 대비 수납효율이 우수한 전개형 메쉬 안테나에 관한 연구가 활발히 수행되고 있다. 전개형 메쉬 안테나는 임무 주파수대역이 증가함에 따라 메쉬 제직 밀도의 척도인 OPI(Openings Per Inch)의 수가 증가하는 특징이 있으며, 이러한 OPI 변화는 메쉬의 광학물성 특성에 직접적인 영향을 미치므로 이에대한 연구가 필수적이다. 본 논문에서는 메쉬의 광학 물성치와 반사판에 대한 열적 관계를 검증하기 위해 기존 해외 연구사례를 바탕으로 메쉬의 다양한 광학적 특성에 따른 궤도 열해석 통해 메쉬와 안테나간의 열적 민감도 분석과 메쉬 반사판의 온도구배 영향성 분석을 수행하였다.

EOS-C Ver.3.0 비행모델의 열제어계 개발 및 설계 검증 (Development and Design Verification of Thermal Control Subsystem for EOS-C Ver.3.0 Flight Model)

  • 장진수;양승욱;김이을
    • 한국항공우주학회지
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    • 제40권10호
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    • pp.872-881
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    • 2012
  • (주)쎄트렉아이는 지구관측위성의 주 탑재체로 사용될 고해상도 전자광학카메라, EOS-C Ver.3.0의 FM 개발을 완료하였다. EOS-C Ver.3.0 FM은 STM 열진공 시험 결과를 이용한 설계 최적화를 통해 STM 대비 향상된 열제어 성능을 갖도록 설계되었다. FM 개발 후, 인수(acceptance) 수준의 열진공 시험 수행을 통해 작업도(workmanship) 확인을 완료하였다. 또한 열평형 시험 결과를 이용하여 열-수치 모델에 대한 검증 작업을 수행, 열-수치 모델이 EOS-C Ver.3.0 FM의 실제 열적 특성을 잘 모사하고 있음을 확인하였다.

Beam-Lead를 이용한 Laser Diode의 제작과 열저항 특성 (Fabrication of Laser Diodes using Beam-Lead and its thermal characteristics)

  • 조성대
    • 한국광학회:학술대회논문집
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    • 한국광학회 1990년도 제5회 파동 및 레이저 학술발표회 5th Conference on Waves and lasers 논문집 - 한국광학회
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    • pp.69-72
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    • 1990
  • For the effective heat transfering in Lser Diodes, Beam-Lead structure were introduced which is applicable to hybrid Optoelectronic Integrated Circuits. A 5-layer planar structure Laser Diode is fabricated and Beam-Lead is made by Au plating. And carrier was made by etching Si substrate and LD was mounted on a carrier. The thermal resistance was measured and we could certain that Beam-Lead structure behaves well as a heat sink.

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3차 조화 모드록킹 Nd:YLF 레이저의 특성 연구 (Characteristics of a third-harmonic mode-locked Nd:YLF laser)

  • 성재희;유태준;남창희
    • 한국광학회:학술대회논문집
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    • 한국광학회 2000년도 제11회 정기총회 및 00년 동계학술발표회 논문집
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    • pp.44-45
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    • 2000
  • GHz 급의 아주 높은 반복율을 가지면서, 피코초 단위의 펄스 열을 발진시키는 레이저를 만들기 위해 능동형 모드록킹 방법을 이용하였다. 이 방법은 공진기안에 광 변조기를 삽입하고, RF 신호를 가하여 시간적으로 공진기내에서의 손실을 변화시키는 방법이다.$^{(1)}$ 공진기 길이를 충분히 길게 하면서도 고 반복율을 가지는 레이저를 만들기 위해 조화 모드록킹 방법을 사용했는데, 이는 레이저 펄스의 반복율을 공진기 길이에 의한 기본 반복율의 정수배가 되도록 하는 방법이다.$^{(2),(3)}$ 3차 조화 모드록킹 방법을 이용한 Nd:YLF 레이저 시스템을 그림 1에서 나타내었다. (중략)

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SOI 제작을 위한 습식 열산화막 성장 및 특성 (The Growth and Characteristics of Wet Thermal Oxidation Film for SOI Fabrication)

  • 김형권;변영태;김선호;한상국;옥성혜
    • 한국광학회:학술대회논문집
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    • 한국광학회 2003년도 제14회 정기총회 및 03년 동계학술발표회
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    • pp.172-173
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    • 2003
  • SOI (Silicon on insulator) 웨이퍼를 이용하여 제작된 전자소자는 고온에서 동작이 안정될 뿐만 아니라 초고속 동작이 가능하고, 사용 소비전력이 낮고, 단위 소자의 집적 효율이 우수해 활발한 연구가 이루어지고 있다. 최근에 초고속 광소자와 단위 광소자들의 집적을 위해 Si 이외의 GaAs, InP, SIC 등의 반도체 박막을 절연층 위에 만드는 연구가 많이 진행되고 있다 따라서 초기에 절연체 위에 실리콘 박막을 형성하는 Silicon on insulator (SOI) 기술은 다양한 종류의 반도체 박막을 절연체 위에 형성하는 Semiconductor on insulator로 SOI의 의미가 확장되고 있다. (중략)

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LPE에 있어서 InP 기판의 열손상 상태와 Melt Back 특성 (Thermal Damages and Melt Back Characteristics of InP Substrate in the LPE Growth)

  • 조호성
    • 한국광학회:학술대회논문집
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    • 한국광학회 1989년도 제4회 파동 및 레이저 학술발표회 4th Conference on Waves and lasers 논문집 - 한국광학회
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    • pp.206-209
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    • 1989
  • It has been that, above $600^{\circ}C$, a cover crystal is essential for protecting InP substrate from severe gas etching during soaking procedure and shown that the melt back rate of substrate crystal in In solvent is about 0.90${\mu}{\textrm}{m}$/sec at 635$^{\circ}C$, 0.57${\mu}{\textrm}{m}$/sec at 615$^{\circ}C$ and 0.37${\mu}{\textrm}{m}$/sec at 595$^{\circ}C$.

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레이저 유도 격자 분광장치 제작 및 $C_3H_8$화염에서 열 격자 측정 (Construction of laser induced grating spectrometer and measurement of thermal grating in $C_3H_8$ flame)

  • 박철웅;한재원;이중재;이영우;고동섭
    • 한국광학회지
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    • 제12권6호
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    • pp.446-451
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    • 2001
  • 레이저 유도 격자 분광장치를 제작하여, $C_3$ $H_{8}$ 층류 확산화염에서 생성된 열 격자 신호를 측정하였다. 열 격자를 생성시키기 위한 여기광은 파장이 532nm인 Nd:YAG 레이저를 사용하였고, 검침광은 488nm의 CW A $r^{+}$레이저를 이용하였다. 검침 광의 세기를 변화시켜 장치의 회절효율과 신호 특성을 측정하였다. 측정된 열 격자 신호의 세기를 분석하여 화염내의 매연의 농도 분포를 정성적으로 측정하였고, 신호의 주파수 변화를 측정하여 온도 분포를 구하였다.

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고출력 microchip laser용 Yb:YAG 단결정의 결정성장 및 분광 특성 (Crystal Growth and Spectroscopic Properties of Yb:YAG Crystals for High Power Microchip Laser Applications)

  • 유영문;정석종;이성영;김병호
    • 한국광학회:학술대회논문집
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    • 한국광학회 2000년도 하계학술발표회
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    • pp.246-247
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    • 2000
  • Yb$^{3+}$ 이온은 InGaAs LD 및 Ti:sapphire 레이저로 펌핑할 수 있는 940 nm에서의 흡수대를 가지고 있고, 1.03 $mu extrm{m}$의 형광방출 특성을 가지고 있으며, 지금까지 알려진 1 $\mu\textrm{m}$ 파장대의 레이저 활성이온 중에서 가장 적게 열을 발생하는 특성을 가지고 있음이 알려져 최근에는 Yb$^{3+}$ 이온을 첨가한 여러 가지 레이저 매질이 연구되고 있다.[1] 그 중에서도 Yb$^{3+}$ ion doped yttrium aluminum garnet (Yb:YAG) 단결정은 충분하게 넓은 흡수선폭, 좋은 열광학적 특성, 고출력 작동을 하게 하는 stokes shift, 그리고 LD에 의한 펌핑을 가능하게 하는 940 nm 영역에서의 흡수 및 긴 여기시간을 가진 이상적인 매질로 알려져 있다.[2] 이러한 특성으로 인해 Yb:YAG 단결정은 femtosecond 레이저 등 각종 레이저 시스템의 소형화[3]를 가져왔으며, 레이저 결정의 양산 가능성 및 레이저 기기의 소형화에 따르는 시스템의 가격 감소가 가능하므로 Yb:YAG microchip 레이저는 향후 고출력 레이저 기기 산업의 중추가 될 것으로 기대된다. (중략)

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