• Korean Journal of Optics and Photonics
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• v.11 no.3
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• pp.152-157
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• 2000

Post-deposition vacuum annealing effects in electron-bearn-evaporated indium tin oxide (ITO) films have been investigated by the change of transmittance, sheet resistance and crystalline structure with annealing temperature ( $200-335^{\circ}C$) and oxygen partial pressure ($1\times^10^{-5}-1$\times10^{-4} torr$) in air and vacuum. The sarnples were polycrystalline films with a preferred orientation in the (222) plan. High quality films with sheet resistance as low as 62 Q/O and transmittance over 99% (absentee layer at 500 nm) have been obtained by suitably controlling the vacuum annealing pararneters.neters.

• Journal of the KSME
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• v.24 no.4
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• pp.275-283
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• 1984

유한요소기법은 원만한 온도변화를 갖는 이동경계문제에 대해 적용할 수 있음을 설명하였다. 상변화가 일어나는 요소에서 어느 한 시간 단계에 변화할 수 있는 온도의 범위는 상변화 온도 구간 보다 적어야 원만한 수치해를 얻을 수 있음을 소개하였다. 잠열의 효과를 엔탈피의 온도에 대한 변화율로 처리하여 열용량 행렬을 계산할 수 있음을 설명하였다. 급격한 변화를 갖는 온 도분포를 수치적으로 근사해를 구할 때 나타나는 파동형상은 연속적인 변수를 부분적으로 근사 해를 가정 하는데서 포함되는 오차에 기인한다. 따라서 이러한 급격한 변화의 변수를 취급하는 기법이 요구된다. 상변화를 수반하는 이동경계문제는 물의 결빙금속의 열처리, 용접, 고체연료의 연소 등에서 많이 접하게 되나 전문적인 프로그램이 없으므로(저자가 조사한 바에 의하면) 온 도분포를 요구하는 문제에서는 이의 선결이 요망되고 있다. 특히 구조해석문제에서 시간에 따라 온도조건이 변화는 경우가 많아 온도분포에 대해 따로 계산하고 그 후 구조해석을 하는 방법이 있으나, 이는 상변화와 같은 물성의 큰 변화가 없는 경우에만 가능하다. 따라서 상변화가 있는 문제에서 열탄성(thermo-elasticity)이나 열탄소성(thermoelasto-plasticity)해석을 하기 위해서는 이동경계와 구조해석을 동시에 하여야 한다.

• Journal of the KSME
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• v.28 no.4
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• pp.313-321
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• 1988

어떤 구조물이 반복하중을 받으면 피로파괴를 일으킨다. 만일 이 구조물이 부식환경 속에 앗 으면 불활성 분위기나 공기 중에서 보다 빨리 파괴에 이르게 된다. 이러한 현상을 흔히 부식 피로라고 한다. 부식피로에 크게 영향을 미치는 변수들을 대략 기계적 변수, 금속학적 변수, 환경 변수로서, 기계적 변수에는 최대응력 확대계수, 응력확대계수범위, 응력비, 반복하중 주파수, 반복하중파형, 응력상태, 잔류응력, 균열의 크기 및 모양 등이 있으며 금속학적 변수로는 합금 조성, 합금원소와 불순물의 분포, 미세조직과 결정구조, 열처리, 소성가공, 집합조직 등이며 환 경변수에는 온도, 환경의 형태(기체, 액체), 부식성분의 분압 또는 농도, 전기화학적 전위, pH, 수용성 환경의 점성, 피복, 부식억제제 등이 있다. 이와 같이 부식환경 속에 있는 구조물의 파 손을 이해하기 위하여는 응력부식과 부식피로를 공부하여야 한다. 이 현상은 매우 복잡한 문 제이기 때문에 아직도 완전히 이해되지 않은 상태이고 따라서 중요한 연구대상이 되고 있다. 여기서는 응력부식과 부식피로의 파괴역학적인 측면을 소개하고자 한다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2016.02a
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• pp.266.2-266.2
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• 2016

최근 디스플레이 산업의 확대에 따라 투명 전도 산화물(Transparent Conducting Oxides:TCOs)의 수요가 급증하고 있다. 이 중 ZnO는 wide bandgap (3.37eV)와 large exciton binding energy (60meV)의 값을 가져 차세대 투명 전도 산화물, LED와 LD 등의 소자 소재로 각광받고 있다. ZnO는 electron을 내어놓는 native defect 때문에 기본적으로 n-type 물성을 띈다. 그래서 dopant를 이용해 p-type ZnO를 제작할 때 native defect를 줄이는 것이 중요한 요점이 된다. 이 때 buffer layer를 사용하여 native defect를 줄이는 방법이 사용되고 있다. 본연구에서는 RF-magnetron sputtering법을 이용하여 c-plane sapphire 기판 위에 다양한 조건의 ZnO buffer layer를 증착하고, 그 위에 ZnO:(Al,P) co-doping한 APZO를 증착하였다. ZnO buffer layer 증착조건의 변수는 증착온도와 Ar:O2의 비율을 변수로 두었다. 이러한 박막을 FE-SEM, XRD, Hall effect measurement, AFM을 통하여 미세구조와 물성을 관찰하였다. 이 때 APZO보다 낮은 증착온도에서 ZnO buffer layer가 증착되면 APZO를 증착하는 동안 chamber 내부에서 열처리하는 효과를 얻게 되고, UHV(Ultra High Vaccum)에서 열처리 될 때 ZnO buffer layer의 mophology와 결정성이 변하게 되는 모습을 관찰아혔다. 또한 본 실험을 통해 ZnO buffer layer의 증착 온도가 APZO의 증착온도보다 높을 때 제어 가능한 실험이 됨을 확인 할 수 있었다.

• 한국전기화학회:학술대회논문집
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• 2004.10a
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• pp.24-24
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• 2004

• Journal of the Microelectronics and Packaging Society
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• v.2 no.2
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• pp.9-18
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• 1995

LCD의 투명전극으로 사용되는 ITO박막의 반응성 스퍼터링 공정변수 및 열처리에 따른 저기적 특성과 광학적 특성의 변화에 대하여 연구하였다. 90wt% In-10wt% Sn 합금 타겉을 사용한 반응성 스퍼터링으로는 LCD의 투명전극으로 사용하기 위한 100~300$\Omega$/$\square$의 면저항과 가시광선 영역에서 85%이상의 투과도 특성을 모두 만족하는 ITO 박막의 제조가 이루어지지 않았으나 30$0^{\circ}C$의 온도로 Ar 분위기에서 1시간 열처리에 의해 18$\Omega$/$\square$의 낮은 면저항과 가시광선 영역에서의 투과도 95%의 우수한 전기적, 광학적 특성을 갖는 ITO 박막 의 제조가 가능하였다.

• Proceedings of the International Microelectronics And Packaging Society Conference
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• 2001.11a
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• pp.217-221
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• 2001

Poly-Si/SiO$_2$/Si의 하부기판구조 위에 Co금속을 E-beam evaporation 방식으로 증착하고 급속 열처리 방식을 통해 inkjet 프린터헤드의 heater로 사용 할 수 있는 코발트실리사이드를 형성하였다. RTA로 열처리 온도와 시간을 변수로하여 코발트실리사이드의 가장 안정적 결정상 및 성분분포를 찾고 이렇게 제작된 박막의 면저항과 표면특성을 통해 고온에서 사용 할 수 있는지를 연구하였다. 박막을 발열체(400~$600^{\circ}C$)로 사용하기 위해서는 발열체가 외부배선과의 접촉 저항보다 커야하고 저항이 고온에서 크게 변하면 안 된다. 코발트 실리사이드는 80$0^{\circ}C$ 20sec에서 발열체로 사용하기에 적당한 특성을 보였다. 그러나 실리사이드반응이 RTA에서 40$0^{\circ}C$ 20sec에서 형성되기 시작하지만 열처리 온도를 높일수록 박막의 면저항과 상변화가 일어남으로 발열체로 사용 할 수 없고, 90$0^{\circ}C$ 20sec 이상에서는 표면의 거칠어짐으로 인해 면저항이 증가하는 현상을 보여 역시 발열체로 사용 할 수 없음을 알 수 있었다.

• Journal of the korean Society of Automotive Engineers
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• v.15 no.4
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• pp.14-20
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• 1993

비조질강은 1970년대 초반 독일에서 개발된 이래 열처리(Quenching & Tempering)가 필요없는 에너지절약형 강재로서 유럽과 일본의 자동차업계를 중심으로 그 적용량이 지속적으로 증가되고 있다. 열간단조용 비조질강의 물성은 가열온도, 단조온도 및 냉각속도 등 단조공정변수의 영향을 크게 받는다. 본 고에서는 승용차엔진용 크랭크축에의 적용을 위해 SM50C에 V을 0.15% 첨가한 비조질강의 가열온도와 냉각속도에 따른 기계적 성질과 미세조직의 변화를 파악하여 최적단조공정을 정립하고, 크랭크 축시제품을 제작하여 그물성과 내구강도를 평가하고자 한다.

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 1999.10a
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• pp.51-52
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• 1999

각기 녹색, 적색의 발광특성플 갖는 $ZnGa_20_4:Mn,{\;}CaTi0_3:Pr$을 rf 마그네트론 스퍼터링법으로 박막을 제조하였다. 박막증착변수가 성장특성 및 발광특성에 미치는 영향을 분석한 결과, 산소분압 및 기판온도조건에 따라서 결정화 및 발광특성이 크게 달라짐을 확인할수 있었다. 열처리후에는 진공분위기보다는 $N_2$가스분위기에서 열처리를 한 시편이 발광특성이 우수하 게 나타났으며, 기판의 종류에 따라서 박막의 성장기구와 발광특성이 다르며, 특히 결정질의 기판이 형광체 박막 합성에 적합함을 알 수 있었다.

• Journal of the Korean Vacuum Society
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• v.11 no.4
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• pp.225-229
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• 2002

LPCVD silicon films were deposited at temperatures between $560^{\circ}C$ and $650^{\circ}C$ Structure, surface roughness, films thickness and residual stress were measured by using XRD, SEM, ellipsometer, $Tektak^3$, Tencor FLX-2320 and other techniques. Polysilicon films of low stress, small surface roughness were obtained when the films are deposited at $560^{\circ}C$ in the amorphous phase and subsequently annealed to make polycrystalline silicon layers at $900^{\circ}C$ -$1100^{\circ}C$. The silicon films deposited in amorphous phase and crystallized by post thermal treatment showed better mechanical properties.