H-termination effect and electrical property of SiO2/CVD-HfAlO/Pt-electrode gate stack (SiO2/CVD-HfAlO/Pt-electrode gate 구조에서 H-termination효과 및 전기적 특성의 관찰)
-
- Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
- /
- 2003.11a
- /
- pp.58-58
- /
- 2003