• Journal of the Korean Vacuum Society
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• v.7 no.2
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• pp.88-93
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• 1998

The fabrication process and emission characteristics of gated silicon field emitter arrays(FEAs) using chemical-mechanical-polishing (CMP) method are described. Novel fabrication techniques consisting of two-step dry etching with oxidation of silicon and CMP processes were developed for the formation of sharp tips and clear-cut edged gate electrodes, respectively. The gate height and aperture could be easily controlled by varying the polishing time and pressure in the CMP process. We obtained silicon FEAs having self-aligned and clear-cut edged gate electrode opening by eliminating the dishing problem during the CMP process with an oxide mask layer. The tip height of the finally fabricated FEAs was about 1.1 $\mu$m and the end radius of the tips was smaller than 100 $\AA$. The emission current meaured from the fabricated 2809 tips array was about 31 $\mu$A at a gate voltage of 80 V.

• Clean Technology
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• v.10 no.3
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• pp.139-148
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• 2004

The recovery of stainless steel fiber by removing cutting oil from grinding swarf, which is classified as specified wastes, was investigated. Swarf loaded with grinding oil was regenerated by supercritical carbon dioxide. And, the effects of temperature(313.15K-323.15K), pressure(10MPa-30MPa) on regeneration efficiency were studied. Regeneration effiency was increased as the pressure was increased. Also, at the same pressure, the experiments at higher temperature were more efficient for regeneration. The experiment results was predicted by applying a one-parameter mathematical model assuming linear desorption kinetics. The predicted value showed good agreement with experimental data.

• Journal of the Microelectronics and Packaging Society
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• v.13 no.3 s.40
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• pp.47-51
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• 2006

Recently, CMP (Chemical Mechanical Polishing) is one of very important processing in semiconductor technology because of large integration and application of design role. CMP is a planarization process of wafer surface using the chemical and mechanical reactions. One of the most important components of the CMP system is the polishing pad. During the CMP process, the pad itself becomes smoother and glazing. Therefore it is necessary to have a pad conditioning process to refresh the pad surface, to remove slurry debris and to supply the fresh slurry on the surface. A conditioning disk is used during the pad conditioning. There are diamonds on the surface of diamond disk to remove slurry debris and to polish pad surface slightly, so density, shape and size of diamond are very important factors. In this study, we characterized diamond disk with 9 kinds of sample.

• The Journal of the Korea institute of electronic communication sciences
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• v.19 no.3
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• pp.507-514
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• 2024

In the semiconductor manufacturing line, continuous efforts are being made to reduce the cost of products produced, and the demand for this is accelerating in the chemical mechanical polishing(CMP) process, and a representative example of these cost reduction items is the 5-Zone Ring. After about 150 hours of use in the CMP process, the thickness of the ring decreases to less than 1 mm and must be replaced with a new product. Therefore, in this study, bonding dispensers and press machines with a dispensing amount error of 10g±0.8% or less and a pressure uniformity of ±1.8% or less were developed to reduce semiconductor manufacturing costs by repeatedly regenerating worn parts of the retainer ring, and to minimize environmental pollution caused by industrial waste treatment.

• Analytical Science and Technology
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• v.19 no.5
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• pp.394-399
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• 2006

The polishing performance and the relationships of electrochemistry depending upon oxidizers and additives in the tungsten CMP slurry used in semiconductor industry were investigated. Hydrogen peroxide, ferric nitrate and potassium iodate were used as oxidizers and they showed different oxidation reactions on tungsten film depending on the kind of oxidizers and pH of slurry. The differences influenced the polishing performance. Etching reaction was predominated in the hydrogen peroxide. However, passivation reaction was prevailed in ferric nitrate and potassium iodate. TMAH and KOH raised the potential energy and removal rate of tungsten, and improved a dispersion characteristic of slurry by increasing absolute value of zeta potential. Addition of 100 ppm of poly(acrylic acid) of M.W. 250,000 improved dispersion ability.

• 전기의세계
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• v.39 no.6
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• pp.14-19
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• 1990

1. CAD system과 PROPS를 접속하여 CADsystem에서 Design된 surface를 사용할 수 있으며 Robot Kinematics를 graphic library화하여 surface배치 수상 및 path generation 및 animation을 통하여 가공작업을 위한 로보트 운동을 simulation할 수 있게 되었다. 2. Denavit-hartenberg transformation form에 의해 여러 Robot Kinematic을 일반적인 형식으로 library화 하였다. 3. 금형 가공의 공정들을 Menu로 만들어서 Expert system을 도입, 손쉽게 Interactive한 작업을 할 수 있게 하였다. 4. 차후의 연구 목표는 로보트 Calibration S/W의 개발 및 실현 그리고 Expert System을 이용한 Robot Program Generator의 완성을 통한 전체 Off-line programming System을 정립하는데 있다. 이를 위해서 더 실제적인 Tool Path Generation과 Expert System을 이용한 가공 조건의 결정 및 User Interface를 위한 Window가 개발되어야 한다. 5. 1차년도에 개발된 Robotonomic Tool System의 유연성을 확장시킨다. 실험결과를 바탕으로 공정 자동화 시스템을 확장시킨다. 6. 연마공정자동화에 필수적인 공구 및 공구 Tip의 표준화 및 자동교환장치를 개발한다. 7. 금형연마 Cell의 구성요소들간의 Interface 및 System Controller에서의 집적화를 시킨다.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2007.06a
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• pp.557-557
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• 2007

최근 Ruthenium (Ru)은 높은 화학적 안정성, 누설전류에 대한 높은 저항성, 저유전체와의 높은 안정성 등과 같은 특성으로 인해 캐패시터의 하부전극으로 각광받고 있다. 이렇게 형성된 Ru 하부전극은 각 캐패시터간의 분리와 평탄화를 위해 CMP 공정이 도입되게 되었다. 이러한 CMP 공정후에는 화학적 또는 물리적 상호작용에 의해 웨이퍼 표면에 오염물이 발생할 수 있다. CMP 공정중에 공급되는 슬러리에는 부식액, pH 적정제, 연마입자등이 첨가되는데 이때 사용된 연마입자는 CMP 공정후 입자오염을 유발할 수 있다. 그러므로, CMP 공정후에는 이러한 오염으로 인해 cleaning 공정이 반드시 필요하게 되었다. 하지만, Post Ru CMP cleaning에 대한 연구는 아직 미비한 상태이다. 그리하여 본 연구에서는 post Ru CMP cleaning에 대한 연구와 cleaning solution 그리고 첨가제에 따른 영향을 살펴보았다.

• Journal of the Korean Society for Precision Engineering
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• v.17 no.3
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• pp.184-191
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• 2000

Properties of pad are investigated to find the relationship between the chemical mechanical polishing(CMP) results, such as material removal rate and within wafer non-uniformity(WIWNU), and its properties. Polishing pressure is considered as important factors to affect the results, so behavior of ordinary polymer is studied to define the polishing result affecting properties of pad. Experimental setup is devised to identify the behavior of pad and several different pads are used in chemical mechanical polishing experiments to verify the correlations between pad properties and polishing results. The results indicate that the viscoelastic properties of pad had relationships with the polishing results, and shows correlation between suggested properties of pad and polishing result.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2008.06a
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• pp.542-542
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• 2008

본 논문에서는 기존에 상용화된 슬러리에 비해 새로운 혼합 연마제 슬러리의 우수성을 입증하고, 최적화 된 공정기술을 연구의 기반으로 활용하고자 Silica slurry에 $CeO_2$ 연마제를 혼합하여, 어떠한 연마 특성을 나타내는지 알아보았고, AFM, EDX, XRD, TEM 분석을 통해 그 가능성을 비교 분석하였다.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2008.11a
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• pp.111-111
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• 2008

태양전지는 태양에너지를 직접 전기에너지로 변환시켜주는 광전 소자로서 구조적으로 단순하고 제조 공정도 비교적 간단하지만, 실용화를 위해서는 비용적인 측면이 많은 걸림돌이 되고 있다. 기존의 실리콘 태양전지는 낮은 광흡수율, 고비용임에도 불구하고 가장 많이 활용되고 있는 태양전지 기술이다. 그러나 태양전지의 경제성 향상과 실용화를 위해서는 기존의 실리콘 태양전지 보다 고효율 및 고신뢰도의 박막형 태양전지의 개발이 필요하다. 박막헝 태양전지의 재료로는 비정질 실리콘, 다결정 실리콘. CIGS, CdTe 등이 있다. 그 중에서도 박막형 태양전지에 광흡수층 물질로는 밴드갭 에너지 (l.4eV 부근), 변환 효율, 경제성 등을 고려했을 때 II-VI족 화합물인 CdTe가 가장 적합한 것으로 각광받고 있다. 하지만 아직까지 실리콘 태양전지에 비해 효율이 많이 떨어지는 단점을 가지고 있기 때문에 효율을 더 끌어올리기 위한 연구가 활발히 진행되고 있는 실정이다. 또한 CMP(chemical mechanical polishing) 공정은 반도체 박막 분야뿐만 아니라 물리, 화학 반응의 기초 연구에도 널리 응용이 되는 기술로써, 시료와 연마 패드 사이의 회전마찰에 의한 기계적 연마와 연마제 (abrasive) 에 의한 화학적 에칭으로 박막 표면을 평탄화하는 기술이다. 본 연구에서는 sputtering 법에 의해 증착된 CdTe 박막에 CMP 공정을 적용하여 표면 특성을 개선한 뒤 태양전지 변환 효율과 직접적인 연관성을 가지고 있는 표면 및 광특성의 변화를 CMP 공정 전과 후로 비교하였다. 표면의 변화를 관찰하기 위해서 AFM(atomic forced microscope) 과 SEM(scanning electron microscopy) 을 이용하였으며, 광특성의 비교를 위해서 흡수율과 PL특성을 측정하였다.