• 한국표면공학회:학술대회논문집
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• 한국표면공학회 2012년도 추계총회 및 학술대회 논문집
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• pp.185-185
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• 2012

최근 자연모사를 이용한 연구가 다양한 분야에 적용되고 있다. 특히 연 잎의 표면에서 나타나는 초발수 특성이 마이크로 나노 크기의 구조와 표면에너지를 제어하는 에피큐티클 왁스에 기인하다는 것이 밝혀지면서 이를 응용한 연구가 진행되고 있다. 본 연구는 알루미늄 표면처리로 마이크로와 나노 구조물을 형성하고 그 위에 발수 특성을 가진 물질을 증착하여, 발수성을 가지는 표면을 개발하였다. 알루미늄 표면에 마이크로 크기의 알루미나($Al_2O_3$) 분말을 이용한 블라스트(blast) 공정으로 표면에 마이크로 구조를 형성하고, Linear Ion Source(LIS)를 적용한 Ar 이온빔 에칭으로 나노 구조를 형성하였다. FE-SEM 분석을 통해 수~수십 마이크로 구조 위에 나노 크기의 구조가 형성 된 것을 관찰하였다. 마이크로 나노 구조가 형성된 알루미늄의 표면에너지를 낮추기 위해 trimethylsilane(TMS) 및 Ar을 이용한 플라즈마처리로 표면에 기능성 코팅막을 형성하였다. 그 결과 TMS 발수 코팅하기 전에 비해 표면에너지가 $99.75mJ/m^2$에서 $9.05mJ/m^2$으로 급격히 낮아지고 접촉각 값이 $123^{\circ}$로 향상된 것을 확인하였다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2013년도 제45회 하계 정기학술대회 초록집
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• pp.214.1-214.1
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• 2013

Tetra-ethoxysilane (TEOS)은 일반적으로 저온 게이트 산화막의 원료 널리 이용되고 있으나 as-deposited 상태에서는 필수적으로 생성된 높은 계면밀도와 고정전하를 제거하기 위하여 수소계면처리, forming gas annealing 등 후처리 공정을 필수적으로 거처야만 한다. 즉 후처리 공정 없이도 일정수준의 계면밀도와 고정전하를 갖을 수 있는 출발물질이 제안되면 산업적 의미를 갖을 것이다. 본 연구에서는 TEOS를 대체할 수 있는 후보재료로써 Tetra-iso-propoxysilane (T-iso-POS)을 제안하였다. T-iso-POS는 iso 구조의 3차원적 특수 구조를 가지므로 더 쉽게 분해 될 수 있어 탄소의 결합을 억제 할 수 있다고 사료된다. 용량 결합형 PECVD (13.56 MHz) 장비를 이용하여 RCA 세정을 실시 한 p-Si (100) 기판위에 TEOS 혹은 T-iso-POS (2 sccm)와 O2를 도입(50 sccm), 플라즈마 전원(20~100 W), 압력(0.1~0.5 torr), 온도 ($170{\sim}400^{\circ}C$), 전극 간 거리 (1~4.5cm)의 조건 하에서 증착하였다. 얻어진 각각의 SiO2 막에 대해, 성장 속도, 2% BHF 용액보다 에칭 속도, IV 특성과 C-V 특성, FT-IR에 의해 화학구조 평가를 실시했다. T-iso-POS원료로 사용하여 TEOS보다 낮은 약 $200^{\circ}C$에서 증착 된 산화막에서 후 처리 없이도 10 MV/cm 이상의 절연 파괴 특성을 나타내는 우수한 게이트 절연막 제작에 성공했다. 그 성장 속도도 약 20 nm/min로 높았다.

• 정보저장시스템학회논문집
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• 제3권3호
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• pp.118-122
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• 2007

Phase-change wet-etching technology using GeSbTe phase-change films is developed. Selective etching between an amorphous and a crystalline phase can be carried out with an alkaline etchant of NaOH. Etching selectivity is dependent not only on the concentration of the alkaline etchant but also on the film structure. Specifically, metal films for heat control cause marked effects on the etching properties of GeSbTe film. Surviving amorphous pits can be obtained with Al metal layer, however etched amorphous pits are seen with Ag metal layer. An opposite selective etching behavior can be observed between samples with two different metal layers.

• 한국재료학회:학술대회논문집
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• 한국재료학회 2009년도 추계학술발표대회
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• pp.11.2-11.2
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• 2009

Au-Ag 합금 박막에서 화학적으로 덜 안정한 Ag를 선택적으로 에칭하는 dealloying 기법을 통하여 crack-free 나노기공 gold 박막을 Si 기판에 제조하였다. Au-Ag 합금 박막은 두 가지 방법을 이용하였다: 1) thermal 또는 electron beam 증착법을 이용하여 Au 와 Ag 다층 박막을 Si 기판에 증착시킨 후 열처리를 통한 합금 박막제조; 2) co-thermal 증착법을 이용하여 Au-Ag 합금박막을 Si 기판에 직접 증착. Crack-free 나노기공 gold 박막 제조에 적합한 합금조성을 얻기 위하여 증착 속도, 열처리조건, dealloying 조건등을 조절하였다. Perchloric acid, HClO4 전해질을 이용한 전기화학적 dealloying을 통하여 crack-free 나노기공 gold 박막을 제조하였고, 기공크기를 조절할 수 있었다. 이에 더하여, electrophoretic 방법을 이용하여 나노기공 gold와 semiconductive 양자점 (CdTe 또는 CdSe)의 나노복합박막을 형성시킨 후 특성을 분석하였다.

• 한국산학기술학회:학술대회논문집
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• 한국산학기술학회 2012년도 춘계학술논문집 2부
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• pp.712-715
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• 2012

본 논문에서는 EM 시뮬레이터를 이용하여 LTE2300 대역의 마이크로스트립 라인 대역여파기를 설계하고 시편을 제작하였다. 중심주파수 2300MHz, 대역폭 350MHz, 삽입손실 1.5dB, 감쇄는 1930MHz와 2690MHz에서 15dB 이상, 1000MHz에서 60dB 이상으로 설계하였다. 또한 반사손실은 15dB로 설계하였다. 구현은 유전율 9.8인 알루미나 유전체에서 하였으며, 전송선로와 접지는 silver paste를 사용하였다. EM 시뮬레이션을 통해 얻은 결과값과 이를 통해 실제 제작된 시편의 보정값을 얻어 data base화 하였으며, 좋은 재현성을 얻을 수 있음을 확인하였다. 특히 일반적으로 마이크로스트립 라인 필터의 제작에 적용되는 에칭 또는 포토리소그라피 대신 레이저를 이용하여 패턴을 구현하였으며, 이 또한 우수한 특성과 재현성을 보여주었다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2004년도 추계학술대회 논문집 Vol.17
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• pp.285-288
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• 2004

탄화규소 기판의 에피 박막결함으로는 dislocation, micropipe, pin-hole 및 에피층 표면의 여러 가지 결함들이 있다. 이러한 결함들이 탄화규소 쇼트키 다이오드의 항복전압과 어떠한 상관관계가 존재하는지 알아 보기 위해 탄화규소 쇼트키 다이오드를 제작하고, 제작된 소자의 항복전압을 측정하였다. 에피 박막내의 결함 분포를 알아보기 위해 항복전압 측정후 KOH 용액을 이용한 SiC의 에칭을 수행하였으며, 제작된 여러소자들에 대해 항복전압의 분포도와 결함 분포도를 작성, 비교 관찰하였다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2003년도 하계학술대회 논문집 Vol.4 No.2
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• pp.984-987
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• 2003

유기발광소자 안에 존재하는 비발광영역(dark spot)의 전압에 대한 영향을 근접장 마이크로파 현미경(near-field scanning microwave microscope)을 이용하여 관찰하였다. 유기발광소자는 glass/indiumtin oxide(ITO)/Cu-Pc/tris-(8-hydroquinoline)aluminum(Alq3)/aluminum(Al) 의 기본구조로 제작하였다. Dark spot은 ITO 기판을 부분적으로 에칭하여서 형성시켰다. Dark spot에 $0{\sim}l5 V$ 까지 전압을 인가시키면서 인가 전압에 따른 전기적 특성을 근접장 마이크로파 현미경 image의 변화와 반사계수인 $S_{11}$ 측정을 통하여 연구하였다.

• 대한기계학회논문집A
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• 제32권2호
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• pp.143-147
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• 2008

Super-hydrophobic surfaces showed that contact angle of water was higher than 140 degrees. That surface could be made several methods such as Carbon nano tubes grown vertically, PDMS asperities arrays, hydrophobic fractal surfaces, and self assembled monolayers coated by CVD and so on. However, we fabricated super-hydrophobic surfaces with plasma treatments which were very cost efficient processes. Their surfaces were characterized by static contact angles, advancing, receding, and stability against UV irradiation. Optimal surfaces showed static contact angles were higher than 150 degrees. Super-hydrophobic property was remained after UV irradiation for one week.

• 한국정밀공학회:학술대회논문집
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• 한국정밀공학회 2001년도 춘계학술대회 논문집
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• pp.1068-1071
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• 2001

Recently, the minimum line width shows a tendancy to decrease and the multi-level to increase in semiconductor. Therefore, a planarization technique is needed, which chemical polishing(CMP) is considered as one of the most important process. CMP accomplishes a high polishing performance and a global planarization of high quality. But there are several defects in CMP such as microscratches, abrasive contaminations, and non-uniformity of polished wafer edges. Spin Etching can improve the defects of CMP. It uses abrasive-free chemical solution instead of slurry. Wafer rotates and chemical solution is simultaneously dispensed on a whole surface of the wafer. Thereby chemical reaction is occurred on the surface of wafer, material is removed. On this study, TEOS film is removed by CMP and Spin Etching, the results are estimated at a viewpoint of material removal rate(MRR) and within wafer non-uniformity(WIWNU).

• 한국공작기계학회논문집
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• 제16권5호
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• pp.129-133
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• 2007

Focused Ion Beam(FIB) systems is a useful tool for the fabrication of micro-nano scale structures. In this study, the effects of FIB etching on the Au microstructure are systematically investigated. As the fabrication parameters, ion dose, dwell time and beam overlap ratio are studied. First, the increases of Ga ion dose makes the milling yield higher and the sidewall of milling profile steeper. Dwell time is found to have little effects on the milling profile due to the relatively large milling area of $1\times1{\mu}m^2$ used in this study. However, beam overlap significantly affects not only milling rate but also milling profile. As the beam overlap ratio changes from positive to negative, the development of regular cross-stripe patterns at the bottom with low milling rate is observed.