• Journal of the KSME
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• v.57 no.1
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• pp.52-56
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• 2017

금속, 세라믹, 고분자 등 다양한 소재에 적용이 가능한 고출력 광에너지인 레이저 기반의 마이크로-나노스케일 표면가공기술의 기본 원리 및 응용 분야를 소개한다.

• Ceramist
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• v.18 no.4
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• pp.38-47
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• 2015

• Journal of the Korean Wood Science and Technology
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• v.19 no.2
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• pp.72-76
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• 1991

• 정보화사회
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• s.121
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• pp.52-56
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• 1998

고도의 정보통신기술의 발달에 따라서 사회경제의 중심자원이 에너지나 물질에서 정보로 이행해 가고 있고 정보의 생산과 유통과 활용이 새로운 정보통신 상품과 서비스를 통해서 사회경제에서 널리 활용되고 있는 현상을 정보화라고 정의할 수 있다.

• Construction Engineering and Management
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• v.13 no.3
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• pp.37-40
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• 2012

• Proceedings of the Korean Nuclear Society Conference
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• 2001.10a
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• pp.357.2-357
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• 2001

• The Proceedings of the Korean Institute of Illuminating and Electrical Installation Engineers
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• v.24 no.6
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• pp.14-23
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• 2010

• Electrical & Electronic Materials
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• v.21 no.7
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• pp.27-34
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• 2008

• 한국신재생에너지학회:학술대회논문집
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• 2010.11a
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• pp.47.2-47.2
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• 2010

For reducing outer reflection in mono-crystalline silicon solar cell, wet texturing process has been adapted for long period of time. Nowadays mixed solution with potassium hydroxide and isopropyl alcohol is used in silicon surface texturing by most manufacturers. In the process of silicon texturing, etch rate is very critical for effective texturing. Several parameters influence the result of texturing. Most of all, temperature, process time and concentration of potassium hydroxide can be classified as important factors. In this paper, temperature, process time and concentration of potassium hydroxide were set as major parameters and 3-level test matrix was created by using robust design for the optimized condition. The process optimization in terms of lowest reflection and stable etch rate can be traced by using robust design method.

• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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• 2003.11a
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• pp.156-156
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• 2003

수평 전기로에서 ZnIn$_2$S$_4$ 다결정을 합성하여 HWE(Hot Wall Epitaxy)방법으로 2nIn2S4단결정 박막을 반절연성 GaAs(100)기판 위에 성장시켰다. ZnIn2S4 단결정 박막은 증발원의 온도를 610 $^{\circ}C$, 기판의 온도를 450 $^{\circ}C$로 성장시켰고 성장 속도는 0.5 $\mu\textrm{m}$/hr로 확인되었다. ZrIn2S4 단결정 박막의 결정성의 조사에서 10 K에서 광발광(photoluminescence) 스펙트럼이 433 nm (2.8633eV)에서 exciton emission스펙트럼이 가장 강하게 나타났으며, 또한 이중결정 X-선 요동곡선(DCRC)의 반폭치(FWHM)도 133 arcsec로 가장 작아 최적 성장 조건임을 알 수 있었다. Hall 효과는 van der Pauw방법에 의해 측정되었으며, 온도에 의존하는 운반자 농도와 이동도는 293K에서 각각 8.51$\times$$10^{17}$ electron/$cm^{-3}$ 291 $\textrm{cm}^2$/v-s였다. ZnIn2S4 단결정 박막의 광전류 단파장대 봉우리들로부터 10 K에서 측정된 $\Delta$Cr(crystal field splitting)은 0.1678 eV, $\Delta$So(spin orbit coupling)는 0.0148 eV였다. 10 K의 광발광 측정으로부터 고품질의 결정에서 볼 수 있는 free exciton 과 매우 강한 세기의 중성 주개 bound exciton등의 피크가 관찰되었다. 이때 중성 주개 bound exciton의 반치폭과 결합 에너지는 각각 9 meV와 26 meV 였다. 또한 Haynes rule에 의해 구한 불순물의 활성화 에너지는 130 meV 였다.다.