• Journal of Practical Engineering Education
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• v.10 no.2
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• pp.125-129
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• 2018

This paper is about the numerical analysis on optimized internal flow of LTP furnace and uniformity of temperature. The LTP Furnace is the device that generates heat by electricity. And performs an annealing function for annealing the silicon wafer in the pre-semiconductor manufacturing process. Especially, the maximum temperature inside the chamber is maintained at a high temperature of about $400^{\circ}C$ to strengthen the wafer. When the process is completed at high temperature, the operation is repeated to reduce the temperature through the heat exchanger and carry it out. From this analysis, the ultimate goal is to derive the optimum design of the insulation volume supply/exhaust structure of the chamber through the flow analysis of the LTPS furnace. And to find cases for curriculum development.

• Korean Journal of Materials Research
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• v.6 no.2
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• pp.133-137
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• 1996

본연구에서는 n-type 세라믹 초전도체인 Nd2-xCexCuO4상의 산소함량에 따른 \ulcorner기적저항의 변화를 고찰하고자 하였다. 일반적인 소결과 어닐링과정을 결쳐 제조된 Nd1.85Ce0.15CuO4-x 시편을 여러 온도와 산소분압의 분위기하에서 어닐링시킴으로써 산소의 함유량이 다른 시편들을 준비하였고 각각의 시편의 산소함량은 TGA(Thermogravimetric Analysis0에 의해 측정하였다. Nd1.85Ce0.15CuO4-x시편의 전기적 저항 측정은 표준 4-탐침방법을 이용하여 액체헬륨을 주입시켜 상온으로부터 4K까지 측정하였다. Nd1.85Ce0.15CuO4-x시편의 산소함량, 3.96$\leq$4-x$\leq$4.0의 범위에서 전기적저항을 측정한 결과 초전도특성이 나타나기 시작한 임계산소함량은 4-x=3.990이었고 이때의 임계온도 Tc=12K이었다. 또한 임계온도, Tc는 산소함량 4-x=3.96에서 24K로 측정되었다. 특이할 만한 현상은 CuO/Cu2O 열역학적 상전이가 일어나는 조건이 Nd1.85Ce0.15CuO4-x 시편의 초전도가 일어나는 임계와 일치하였다. 즉, Cu2O가 안정한 영역에서는 초전도특성이 나타났고 CuO가 안정한 영역에서는 초전도특성이 나타나지 않았다.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2009.06a
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• pp.337-337
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• 2009

가시광선영역에서 매우 균일한 높은 투과성뿐만 아니라 근적외선영역에서 가파른 홉수성 엣지와 함께 낮은 투과율을 제공하는 산화구리(II)를 함유하는 포스페이트 유리는 컬러 비디오 카메라의 컬러 보정 필터, 발광 컬러 디스플레이용 보호판(sheild), 모노크로메이터의 미광 필터, 플라스틱 복합재 필터의 무기 성분 및 CCD(전하 결합 소자) 및 CMOS(상보성 금속 산화물 반도체) 카메라 및 검출기 분야용 필터 유리로서 사용된다. 용융온도 및 산화구리(II) 첨가량에 따른 투과율을 측정하기 위해 포스페이트 유리 시료를 $1100\sim1500^{\circ}C$ 용융한 후 $400^{\circ}C$에서 2시간 동안 어닐링 공정을 거쳐 제조하였다. 제조된 시료는 두께 0.3mm로 폴리싱하여 자외선-적외선 분광 광도기를 이용하여 광학적 특성을 측정하였다. 본 실험을 통하여 용융온도에 따라 가시광선영역 및 근적외선영역에서의 투과율 거동을 비교한 결과 $1100\sim1200^{\circ}C$에서의 우수한 투과율 특성을 나타냈다. 용융온도가 내려감에 따른 가시광선영역 (400~600nm)에서 높은 투과율 및 근적외선영역 (750~1100nm)에서 낮은 투과율과 가파른 흡수성 엣지를 나타냈다.

• Korean Journal of Materials Research
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• v.10 no.5
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• pp.335-342
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• 2000

The microhardness of rhenium sheets was determined as a function of indentation load and temperature. The temperature dependence of the microhardness between room temperatures and $1000 ^{\circ}C$was studied using a hot microhardness tester equipped with a Vickers indenter. The load dependence of the microhardness was investigated using oth a Vickers and a Knoop indenter. The indentation size effect (ISE) was well explained using the normalized Meyers law. The hardness of the annealed rhenium sheet approached that of the as-rolled sheets at large indentation loads because of work-hardening under the indenter during indentation. The hardness at zero load(obtained from extrapolation of the load dependence of the hardness) suggested that the hardness is controlled by two different mech-anisms having different thermal activation. At low temperature the activation energy for the mechanism controlling the hardness was approximately 0.02 eV , Whereas at higher temperatures that was approximately 0.15eV. The tranisi-tion temperature between the two different controlling mechanisms was about $250^{\circ}C$.

• Journal of IKEEE
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• v.19 no.4
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• pp.486-490
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• 2015

Sensitivity characteristics of temperature sensor with $Bi_2Mg_{2/3}Nb_{4/3}O_7$ (BMNO) layer were investigated with low frequency noise measurement. Temperature sensor with BMNO layer had high reliability and high sensitivity comparing with conventional MOS type temperature sensor. Annealing temperature variation effects with $600^{\circ}C$, $700^{\circ}C$ and $800^{\circ}C$ were measured and analyzed. Annealing temperature determines trap distribution and $700^{\circ}C$ annealing sample has different pattern comparing with other samples. Results of low frequency noise can offer the design guide of temperature sensor performance.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2009.06a
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• pp.446-446
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• 2009

표면 패시베이션 기술로 이용되는 수소화된 실리콘 질화막은 제조원가의 절감을 위한 실리콘 기판재료의 두께 감소에 따른 특성상의 문제점을 해결하기 위해 중요한 영향을 미치는 요소이다. 실리콘 질화막은 강한 기계적 강도, 우수한 유전적 특성, 수문에 의한 부식과 유동적 이온에 대한 우수한 저항력 때문에, 반도체 소자 산업에서 널리 사용되고 있다. 수소화된 실리콘 질화막은 반사방지 특성과 함께 표면 패시베이션의 질을 향상시킬 수 있다. 굴절률 1.9 ~ 2.3 범위에서 쉽게 변화 가능한 수소화된 실리콘 질화막은 굴절률 1.4 ~ 1.5 사이의 열적 산화막 보다 효과적인 반사방지막이다. 수소화된 실리콘 질화막을 사용한 태양전지에서는 효율을 높이기 위해서 기판 표면에서의 케리어 재결합이 억제되어져야한다. 또한, 수소화된 실리콘 질화막은 최적화된 두께와 굴절률을 가져야한다. 본 연구에서는 고효율 태양전지에 적용하기 위해 반송자 수명이 향상된 수소화된 실리콘 질화막을 플라즈마 화학 기상 증착법을 이용하여 증착하였다. 박막은 $250^{\circ}C\;{\sim}\;450^{\circ}C$에서 증착되었으며 증착된 박막은 1.94 to 2.05 굴절률 값을 가지고 있다. 반송자 수명을 증가시키기 위해 $650^{\circ}C\;{\sim}\;950^{\circ}C$에서 어닐링 하였고 반송자 수명을 측정하여 패시베이션 특성을 분석하였다. 수소화된 실리콘 질화막은 $850^{\circ}C$의 어닐링 온도와 굴절률 2.0 조건에서 가장 좋은 반송자 수명을 나타냈다.

• Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics
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• v.26 no.7
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• pp.83-89
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• 1989

Ferroelectric $PbTiO_3$ thin film is deposited with rf sputtering at substrate temperature of $100-150^{\circ}C$. It is found that this has pyrochlore structure of amorphous type by X-ray diffractive analysis. Thermal annealing has excellent characteristics at $550^{\circ}C$ and laser annealing has best crystalline structure in case of scanning with 50 watts. Interface states in MFST and MFOST structure with a $PbTiO_3$ ferroelectric thin film gate have been investigated from analysis of C-V data. The interface states density has been drastically reduced by inserting an oxide layer between ferroelectric and semiconductor. The observed effect increase feasibility of employing ferroelectric thin films such as nonvolatile memory field effect transistor, IR optical FET, and Image Devices with a ferroelectric layer.

• The Journal of Korea Institute of Information, Electronics, and Communication Technology
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• v.17 no.3
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• pp.155-165
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• 2024

A hybrid thin film was prepared by doping reduced graphene oxide (rGO) into a sol-gel solution mixed with aluminum, titanium, and strontium using a brush coating method. The annealing temperature was carried out at 160, 260, and 360℃, and the difference in oxidation reaction was observed. The sol-gel solution created during the membrane manufacturing process generates a contractile force due to the shear stress of the brush bristles, forming a microgroove structure. This structure was confirmed through scanning electron microscopy analysis, and the presence of rGO was clearly revealed. As the annealing temperature increases, the oxidation and reduction reactions on the thin film surface become more active, so the intensity of the surface mixture increases. Moreover, the electro-optical properties were stabilized and improved by increasing the intensity of the mixtures. Likewise, the voltage-capacitance values are also significantly improved. Lastly, the transmittance measurement showed that it was suitable for liquid crystal display application.

• Korean Journal of Materials Research
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• v.9 no.8
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• pp.837-842
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• 1999

The Ta/TaN multilayer structure with repeating layers of a poly-crystalline Ta layer of high ductility and a TaN layer of high hardness is expected to exhibit toughness. This paper reports the results on the hardness and the adhesion strength of Ta/TaN multilayers and compositional gradient Ta/TaN layers deposited on the high speed steel substrate by reactive sputtering as a function of annealing temperature. The TaN film deposited with the $N_2$/Ar ratio of 0.4 in the reactive sputtering process exhibits the highest crystallinity, and the highest hardness and the results of scratch test of the Ta/TaN multilayers. The hardness and adhesion strength of the Ta/TaN multilayers becomes deteriorated with increasing the annealing temperature in the heat treatment right after depositing the layers. Therefore, post-annealing treatments are not desirable in the case of the Ta/TaN multilayers from the standpoint of mechanical properties. Also the hardness of Ta/TaN multilayers increases with decreasing the compositional modulation wavelength, but the adhesion property of the layers is nearly independent of the wavelength. On the other hand, the compositional gradient Ta/TaN film exhibits the highest hardness and the value of scratch test for the post-annealing temperatures of 20$0^{\circ}C$ and 40$0^{\circ}C$, respectively. This tendency of the compositional gradient Ta/TaN films differs from that of the Ta/TaN multilayers.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2001.11a
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• pp.106-108
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• 2001

본 실험에서는 플라즈마 화학기상증착(PECVD)으로 증착한 비경질 실리콘(amorphous silicon, a-Si) 박막에 국부적으로 Si+ 이온을 주입한 후 엑시머 레이저 어닐링(exicimer laser annealing, ELA)을 수행하여 그레인의 수평 성장(lateral growth)에 미치는 영향을 관찰한다. Si+ 이온 주입은 비정질 실리콘 박막의 원자 결합 에너지를 효과적으로 감소시키는 역할을 하여 박막이 녹기 시작하는 문턱(threshold) 에너지가 $105mJ/cm^2$에서 $85mJ/cm^2$ 까지 낮아지는 것을 확인하였다. 결과적으로 선택적인 Si 이온 주입을 통해 비정질 박막의 결정화 시 온도 구배에 의한 결정핵(nucleation) 형성의 차이를 유발시킴으로써 위치 제어가 가능한 1um 크기를 갖는 수평 성장 그레인을 얻었다.