• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2006.02a
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• pp.216-216
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• 2006

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2008.02a
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• pp.96-96
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• 2008

• Proceedings of the Optical Society of Korea Conference
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• 2001.08a
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• pp.88-89
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• 2001

• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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• 2008.05a
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• pp.26.2-26.2
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• 2008

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2016.02a
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• pp.321-321
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• 2016

한경오염의 증가에 따라 광촉매 물질을 이용한 환경 정화의 필요성이 대두되고 있다 [1]. 광촉매와 전기화학셀은 빛을 이용하여 다른 에너지를 생산하는 능력을 가지고 있다. 이 전기화학셀의 성능향상을 위해서는 적절한 밴드갭을 이용한 광흡수의 증가, 전자재결합의 감소, 전기화학적 반응 표면의 증가가 필요하다. 산화 아연은 잘 알려진 n형 산화물 반도체로서 좋은 전기적 특성과 광촉매 성능으로 전기화학셀에 적합한 소재이다. 그러나 산화 아연은 액체 전해물질 상에서 안정성이 좋지 못하다 [2]. 이를 해결하기 위해 단층 그래핀 혹은 풀러렌(C60)을 이용하여 산화아연을 코팅하는 방법을 제안하였는데, 풀러렌을 사용 시 단층 그래핀에 비하여 전기화학셀의 전기화학적 반응은 높았으나 안정성은 더 떨어지는 모습을 보였다 [3]. 본 연구에서는 다층 그래핀을 이용하여 전기화학적 반응도 높고 안정성도 높은 산화아연-다층 그래핀 양자점의 합성 및 이를 이용한 전기화학셀 소자의 특성을 연구하였다. X선 회절법, 라만 분광법, 투과 전자 현미경, 광발광 분광기, 시간-분해성 광발광 분광기를 이용하여 산화아연-다층 그래핀 양자점의 특성을 분석하였고, 이를 이용하여 광양극을 제작하여 전기화학적 특성을 관측하였으며 로다민 B 염료를 이용한 분해 테스트를 통하여 광촉매 성능을 확인하였고 사이클 테스트를 통하여 안정성을 확인하였다.

• JOURNAL OF ELECTRICAL WORLD
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• s.306
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• pp.73-80
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• 2002

인터넷으로 대표되는 네트워크와 휴대전화의 결합으로 문자 그대로 지구규모의 디지털사회가 출연하게 되었고 사회제도와 공공의 정보기반도 그것을 반영한 형태로 변화하고 있다. 차후 디지털사회를 얼마나 안전한 것으로 만들어 가는가는 국가$\cdot$사회의 기반으로서 그 존속에 관계되는 중대한 문제이며, 기업 비즈니스에서는 사활(死活)을 건 비즈니스 문제가 되었다. 이들을 지탱하는 정보기반의 핵이 바로 암호를 중심으로 하는 정보시큐리티이다. 여기서는 현대 사회에서는 왜 암호$\cdot$정보시큐리티가 필요한가, 그 역할과 의미는 무엇인가, 어떠한 응용분야, 과제가 있는가를 전망해본다. 또한 암호란 무엇인가, 그 안전성의 의미란 무엇인가, 컴퓨터나 통신의 디지털기술과는 어떤 관련이 있는가를 역사적 배경과 최근의 동향을 바탕으로 언급하고, 현대암호의 성립, 정보시큐리티의 적용형태, 미쓰비시(삼릉)전기의 기술적 활동에 대하여 언급한다. 앞으로 전개되는 디지털 사회의 동향으로는 두 가지의 특징을 들 수 있다. 우선 휴대전화의 세계적 보급, 인터넷접속기능 장비의 발달로 현재 인터넷 유저(사용자)의 규모를 훨씬 능가하는 음성교신이 가능한 모바일인터넷의 출현이 예상된다. 모바일인터넷이 잠재적으로 갖는 안전상의 취약성을 극복하기 위해서는 암호$\cdot$정보시큐리티 기술은 보다 고도의 것이 요구된다. 또한 장래의 양자(量子)컴퓨터이 출현 등 분자레벨로 육박해 오고 있는 반도체$\cdot$광소자$\cdot$통신기술에 앞서 현재의 디지털암호에 의한 시큐리티기반의 안전성에 대한 한계가 거론되고 있다. 디지털사회의 안전성을 확보하기 위해서는 장래를 내다본 기술의 추구가 요청되고 있으며 그 대표적인 것으로 양자역학의 원리, 광기술, 디지털기술을 통합한 양자암호가 있다. 미쓰시비전기는 2000년 9월에 일본 최초로 양자암호의 실증실험에 성공하여 조기 실현화를 지향하고 있다.

• Review of KIISC
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• v.33 no.6
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• pp.37-43
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• 2023

현재 사용되고 있는 RSA, ECC 등 비대칭키 암호알고리즘은 앞으로 나올 양자컴퓨터와 양자알고리즘의 빠른 계산 속도로 알고리즘의 비가역성이 깨질 수 있음이 알려졌다. 이는 공개키로부터 비밀키를 계산할 수 있음을 의미한다. 이를 극복하기 위해 미국 국립표준기술연구소 (NIST)는 최근에 양자 내성 암호 (PQC) 알고리즘 선정과 표준화 작업을 진행해 왔으며, 4차 라운드에 진입해 있다. PQC 알고리즘에 필요한 PQC 비밀키는 PQC 알고리즘이 구현된 칩 외부에서 주입하거나 칩 내부에서 자체 생성을 하여 사용하는데, 이 비밀키를 비휘발성 메모리 (NVM) 등에 저장한다. 만약 시스템의 보안 취약성으로 인해 비밀키가 노출된다면 아무리 PQC 알고리즘이 강력해도 전체 시스템이 무너진다. 즉, 알고리즘의 수학적 능력과 무관하게 해당 보안 시스템은 무력화되는 것이다. 본 논문에서는 물리적 복제 방지 기능 (PUF)을 사용하여PQC 비밀키를 안전하게 보호하고, 이를 기반으로 전체 시스템을 보호할 것을 제안한다. PQC 비밀키가 외부에서 주입되면 해당키는 NVM에 저장되기 전에 PUF 키로 암호화 될 수 있다. PUF 값에서 파생되는 PUF 키는 필요할 때 마다 다시 만들어서 사용이 가능하므로 메모리에 저장할 필요가 없으며, 따라서 외부 공격에 PUF 키가 노출 되지 않는다. 반도체 수동소자로 이루어지는 Via PUF 기술은 최악의 환경 변화에도 그 특성이 유지되는 가장 최적의 PUF 기능을 제공한다.

• Journal of the Korean Vacuum Society
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• v.15 no.2
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• pp.216-222
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• 2006

In this paper, we investigated the effect of hydrogen-plasma (H-plasma) treatment on the electrical and optical properties of a quantum dot infrared photodetector (QDIP) with a 5-stacked InAs dots in an InGaAs/GaAs well structure and $Al_{0.3}Ga_{0.7}As/GaAs$ SL (superlattice) current blocking layer. It has been observed that H-plasma treatment didn't affect the band structure of QDIP. It has been also observed that the H-plasma treatment on the QDIP not only enhance the electrical property of QDIP by curing the defect channels in $Al_{0.3}Ga_{0.7}As/GaAs$ SL but also introduce defects in QDIP structure. The H-plasma treatment for 10 min with 20 W of RF power provided the lowest dark current, which made it possible to measure the photo-current (PC) of QDIP whose PC was not detectable without the H-plasma treatment due to the high dark current.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2011.02a
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• pp.161-162
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• 2011

최근 광전자 분야에서는 미래 에너지 자원에 대한 관심과 함께 GaN 기반 태양전지 연구가 활발히 진행되고 있다. GaN 물질은 높은 전자 이동도와 높은 포화 속도 등 광전자 소자에 유리한 광, 전기적 특성들을 가지고 있다. 또한, In의 함량을 변화시켜가며, 0.7eV에서 3.4eV까지 밴드갭을 조절함으로써, 자외선부터 적외선까지 태양빛 스펙트럼의 대부분을 흡수할 수 있는 장점이 있다. InGaN 태양전지의 효율을 높이기 위해서는 In의 함량을 늘려 밴드갭을 줄이는 것이 중요하다. 하지만 GaN 와 InN 간의 격자 부정합으로 인해 In 함량이 높은 단결정 InGaN 층을 두껍게 성장 하는 것이 어렵다. 때문에 GaN 기반 태양전지 관련 연구 그룹들이 태양전지의 효율 향상을 위해 활성층에 양자우물(MQWs) 구조, Supper Lattice (SLs) 구조와 같이 얇은 InGaN/GaN 층을 주기적으로 반복하여 적층함으로써 높은 조성의 In을 함유한 상질의 InGaN/GaN 층을 성장하는 연구들을 진행해 왔다. 본 연구에서는, p-i-n 구조와 MQW 구조를 갖는 InGaN 기반 태양전지를 제작하여, 각각의 특성을 분석해 봄으로써, In0.1Ga0.9N 태양전지 활성층의 구조에 따른 장/단점에 대해 논의하였다. 먼저 MOCVD를 이용하여 200 nm의 i-In0.1Ga0.9N 활성층을 갖는 p-i-n 구조와 In0.19Ga0.81N/GaN(3 nm/8 nm) MQWs (8 periods) 구조를 갖는 태양전지 에피를 각각 성장하였고, 그 후 공정을 통해 그림 1과 같이 InGaN 태양전지 소자를 제작하였다. 그 후, 각 태양전지의 전류/전압 곡선과 외부양자효율을 측정하여 그림 2와 같은 결과를 얻었다. p-i-n과 MQW 샘플의 외부양자효율은 각각 ~70%, ~25%로 측정 되었다. MQW 샘플의 외부 양자효율이 높지 않음에도 불구하고 p-i-n 구조에 비해 높은 In 함량을 가지고 있으므로, 더 넓은 파장의 빛을 흡수하여, 높은 단락전류(0.778 mA/cm2)를 보이고 있다. 또한 p-i-n 구조에 비해 높은 개방전압(2.3V)를 가지고 있으므로, MQW 샘플이 약 17% 정도 높은 변환효율(1.4%)를 보이고 있다. 이후 추가적으로 p-i-n 과 MQW 구조의 InGaN 태양전지에 나타나는 Voc와 Jsc의 차이를 Polarization 효과를 비롯한 다양한 측면에서 분석해 보고자 한다.

• The Journal of Korean Institute of Communications and Information Sciences
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• v.18 no.7
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• pp.1036-1043
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• 1993

GaAs/AIGaAs resonant tunneling structures have been grown by atmospheric pressure MOCVD. Resonant tunneling diodes fabricated with the structure grown at 650t showed a high peak-to-valley (P/V) current ratio of 2.35 at room temperature. P/V current ratio increased to 15.3 at 77K. Numerically calculated peak current agrees well with the experimental result. Resonant tunneling diodes with AIGaAs as a barrier and InGaAs as a quantum well and a spacer layer yielded a high P/V current ratio of 4.0 and a peak current density of 8.6KA/c# at room temperature because of increased carrier supply.