Purpose: The aim of the study is to determine factors influencing quality of caregiving by caregivers for the elderly with dementia. Methods: Data were collected from 87 caregivers for elders with dementia who had visited in Busan Metropolitan Center for Dementia and D-University hospital outpatient center from July 10 to September 30, 2015. A self-reported questionnaire was used to assess the severity of the elders' dementia and knowledge of dementia, burdens and quality of caregiving by the caregivers. The SPSS 21.0 version program was used for data analysis. Data were analyzed using descriptive statistics, Pearson's correlation, t-test, ANOVA and multiple regression. Results: Significant predictors of quality of caregiving by caregivers included caregivers' burdens (explanation power 25%), knowledge of dementia (explanation power 4%) and levels of education (explanation power 3%). These factors explained 32.3% of the variances in quality of caregiving. Conclusion: Burdens on caregivers were a major factor that decreased quality of caregiving, and knowledge of dementia was a factor that increased it. These findings show that educational programs and intervention for reducing burdens and improving knowledge of dementia are necessary to improve quality of caregiving by caregivers.
하계 동지나해에서 가장 중요한 해양학적 현상들을 재검토하였다. 계절적 수 온약층 상부 표층수는 태양가열과 주로 양자강으로 부터의 담수의 유입 그리고 하 계 계절풍에 의해 지대한 영향을 받고 있다. 수온약층 하부층에는 여러가지 해양역 학적 작용에 대한 질량장의 조정에 의해서 몇가지 분명히 구별되는 수괴들 즉 쿠로 시오 표층수, 서북태평양 중앙수, 황해저층 냉수등이 잠입되고 있다. 잠입된 황해저 층 냉수와 서북태평양 중앙수와의 전선역 혼합이 제주 남방 대륙붕상의 저층에서 일어난다. 이 혼합수는 제주 주변과 한국 남해안 중저층의 해수 특성에 커다란 영 향을 미칠 것으로 보인다.
수산진흥원에서 15년간(1961-1975) 정기적으로 관측한 한국 주변 182정점의 염분 자료에 대한 조화 분석을 통하여, 한국 주변 동.서.남해표면과 30메타층 염분의 연변화를 분석하였다. 서해 염분의 연평균은 동해에서 보다 낮으며 남해와 동해에서 대마난류의 하류방향으로 갈수록 염분 연변화의 진폭이 줄어들고 위상이 지연된다. 30메타층의 염분은 표면염분에 비하여 평균치는 높으나, 년교차의 폭이 작고 위상이 지연되고 있다. 한국 주변 남해와 동해 염분의 연변화는 주로 국지적 강우량 및 양자강 담수 유출의 계절적인 변화 때문에 일어난다.
Purpose: Recently energy consumption is rapidly increasing due to continuous development of social evolution in various field. In this situation, there is a lot of effort to reduce this energy consumption in many ways, especially in building energy. Preceding studies already started to analyze the housing area such as zero energy house and passive house by researching annual building energy consumption, but to apply the results of housing to office building is insufficient since it has different consumption tendency. Method: In this study, eQuest program was used for simulation and the base model is selected among standard office building in ASHRAE 90.1. Variables are divided into passive and active factors for comparison. Result: In passive factors, glazing system showed the highest energy saving rate by 21.3% with triple low-e glass and enhancing wall u-value showed the lowest energy saving rate by 3.6% with 0.15 m2/K. In active factors, VAV system showed 30.9% energy saving rate when compared to CAV system, and heat exchanger showed 10.2% energy saving rate. For regeneration energy part, photovoltaic panel generated 10.4% of base annual energy usage.
본 논문은 AMR-WB+ 코덱의 오디오 품질을 개선하기 위하여 TCX모듈 변환계수 양자화기에 8차 및 16차 Pyramid VQ방식을 제안하였다. 제안된 Pyramid VQ 방식은 AMR-WB+ 코덱에 적용된 $RE_8$ Lattice VQ 방식과 비교 평가되었으며, 8차 및 16차 Pyramid VQ 방식의 사용시 Mean Squared Error (MSE)는 각각 4% 및 5.7% 개선되었고, Perceptual Evaluation of Audio Quality(PEAQ) 값은 각각 3.3% 및 4.7% 개선되었다.
본 논문에서는 generalized analysis-by-synthesis (AbS) 개념을 algebraic CELP 부호화기에 도입한 새로운 4kb/s 음성 부호화기를 설계하였다. 전체적인 구조는 G.729를 부분적으로 이용하였고, line spectrum pair (LSP) 양자화기와 적응코드북 및 여기코드북을 4kb/s 전송속도에 맞게 새로이 설계하였으며, 20㎳ 프레임 크기와 5㎳ lookahead를 고려해서 총 25㎳의 알고리즘 전송지연을 갖는다. 제안된 방식은 일반적인 AbS방식을 사용하는 CELP구조의 음성 부호화기가 4kb/s이하의 전송률에서 성능이 급격하게 떨어지는 단점을 보완하기 위해 저속에서 좋은 특성을 보이는 generalized AbS구조를 사용하였다. 그리고 LPC 계수는 LSP 계수로 변환한 후 예측 2단 VQ를 통해서 양자화하며, 여기 신호는 음질 저하를 최소화하며 복잡도를 감소시킨 shift 방식의 대수적 고정 코드북 구조를 사용하고, 적응코드북과 여기코드북의 이득은 VQ로 양자화 하였다. 본 논문에서 제시된 4kb/s 음성 부호화기의 주관적인 성능을 시험하기 위해 고정률 8kb/s QCELP와 A-B 선택 시험을 실시한 결과 전체적인 음질 성능이 거의 비슷한 수준을 가지는 것으로 나타났다.
본 연구에서는 입자 침전법으로 제작된 HgO와 PbO 기반 영상 센서의 유방촬영 영역에서의 적용 가능성을 조사하였다. 이를 위하여, 다양한 두께에 따른 HgO와 PbO 필름의 물리적 특성과 x선에 대한 양자 효율을 측정하였으며, 몬테카를로 시뮬레이션 결과와 비교 평가하였다. 또한, 입자 침강법을 이용하여 인듐 주석 산화물로 코팅 된 투명 유리기판 위에 대면적 다결정 박막을 제작하였다. 본 연구에서는 단결정의 효율과 비슷한 양자 효율을 얻기 위하여 필름의 두께와 제작 조건을 변화시켜 최적화 하였다. 본 연구의 결과를 기반으로 차후 대면적 a-Si:H 패널에 적합한 대면적 필름의 제작 기술과 최적화 연구가 가능할 것으로 판단된다.
분자선 에피택시 방법을 이용하여 GaAs 기판 위에 GaAs 및 AlGaAs 에피층을 성장하면서 성장 멈춤 효과를 연구하였다. 성장 멈춤 시간에 따른 에피층 성장 과정은 반사 고에너지 전자회절로 측정하였다. 성장 멈춤 시간은 0, 15, 30, 60초로 하였다. 그리고 성장 멈춤 시간을 달리하여 GaAs/$Al_{0.3}Ga_{0.7}As$ 다양자우물을 성장한 후 양자우물의 특성을 조사하였다. 반사 고에너지 전자회절의 강도 진동은 성장 멈춤 시간에 영향을 받고 있었다. 그리고 양자우물의 광특성도 성장 멈춤 시간에 의존하고 있었다. 성장 멈춤 시간이 30초일 때 우물과 장벽층 사이에 급준한 계면을 가지는 에피층을 얻을 수 있었다.
본 연구에서는 무기(강, 아스베스트와 카본) 및 유기(폴리아크릴과 폴리아마이드) 섬유가 포트랜드 시멘트의 물성 보강에 미치는 영향을 조사하였다. 각 시편의 하중-변형 관계도로부터 굽힘강도, 탄성계수, 파괴에너지 및 파괴인성 값을 구하여 서로 비교하였다. 그리고 따로 충격에너지 실험도 수행하였으며 파괴에너지와 비교하였다. 휨강도 개선에는 무기(아스베스트) 섬유보강이 가장 효과적이었으며, 충격에너지의 보강섬유로는 유기(폴리아크릴) 섬유가 가장 좋았다. 한편 강 섬유는 휨 강도와 충격에너지 양자를 동시에 보강하는 데에 가장 적합했다. 또한 강 섬유는 모든 섬유 중에서 가장 높은 파괴에너지와 파괴인성 값을 나타내었다.
IIIN계 물질 기반의 광 반도체는 직접 천이형 넓은 밴드갭 구조를 갖고 있기 때문에 적외선부터 가시광선 및 자외선까지를 포함한 폭 넓은 발광파장 조절이 가능하여 조명 및 디스플레이 관련 차세대 광원으로 많은 관심을 받고 있다. 일반적인 청색 및 녹색 발광영역의 활성층으로는 InGaN/GaN 다중양자우물구조를 사용하고 있으나, 장파장의 녹색 발광을 얻기 위해서는 인듐의 함유량이 증가하여야 한다. 하지만, 인듐의 함유량이 증가함에 따라서 InGaN/GaN 다중양자우물 구조내에서 인듐의 편석현상의 발생이 용이하게 되어 계면 특성을 저하할 뿐 아니라, 비발광 센터를 증가하여 발광 효율을 급격히 감소시키는 원인이 되고 있다. 또한, InGaN과 GaN의 큰 성장온도의 차이에 따라 800도 부근의 저온 영역에서 성장된 InGaN층이 1,000도 이상의 고온 영역에서 GaN층이 성장시 InGaN층의 열화 현상이 급격히 발생되고 있다. 이를 억제하기 위해서 금속유기화학증착법의 성장 변수 최적화, 응력제어, 도핑 등의 편석 억제기술 및 보호층이 사용되고 있다. 본 연구에서는 인듐함유량이 증가된 녹색 InGaN/GaN 다중양자우물구조에서 InGaN 우물층 상하부에 도입된 GaN 보호층에 따라 발생되는 양자우물구조의 광학 및 결정학적 특성 분석을 통해 GaN 보호층의 역할을 분석하고자 한다. 본 연구에서는 금속유기화학증착장치를 이용하여 사파이어 기판위에 GaN 템플릿을 성장하고, n-형 GaN, InGaN/GaN 다중양자우물구조 및 p-형 층을 성장하였다. 앞선 언급하였듯이, InGaN/GaN 다중양자우물구조내에 GaN 보호층의 역할을 규명하기 위하여 샘플 A의 경우는 보호층이 전혀 없는 구조이고, 샘플 B의 경우는 InGaN 우물층의 상단부에만, 샘플 C의 경우에는 우물층 상부 및 하단부 모두에 약 2.0 nm 두께의 GaN 보호층을 형성하였다. 이 보호층의 유무에 따른 다중양자우물구조의 계면 특성을 확인하기 위한 X-선 회절을 이용하였고, 광학적 특성을 확인하고 상온 포토루미네선스법을 이용하여 녹색 발광 파장의 변화 및 발광세기를 관찰하였다. 우선적으로, 상온 포토루미네선스법을 이용하여 각 샘플의 발광특성을 확인한 바 상하부 모두에 GaN 보호층이 존재하는 샘플 C의 경우 약 510 nm 부근에서 발광이 관찰되었지만, 상단부에 GaN 보호층이 존재하는 샘플 B는 약 495 nm영역에 발광이 확인되었다. 특히, 전혀 보호층이 존재하지 않는 샘플 A의 경우 약 440 nm에서 발광하는 현상을 관찰하였다. 이는 우물층 상단부 및 하단부에 존재하는 GaN 보호층이 In의 확산을 억제하는 것으로 판단된다. 또한, 발광파장 및 세기를 확인한 바, 보호층의 존재하지 않을수록 단파장화가 발생함에도 불구하고 발광세기는 급격히 약해지는 것으로 보아 계면특성이 저하되어 비발광센터가 증가되는 것으로 판단된다. 이를 구조적으로 확인하기 위하여 X-선 회절법을 통한 ${\omega}$/$2{\Theta}$ 스캔의 결과는 In의 0차 피크가 GaN 보호층이 없을 경우 GaN의 피크 방향으로 이동하는 것으로 보아 GaN 보호층은 우물층 성장 후 GaN 장벽층을 성장하기 위해 온도를 증가시키는 과정에서 In의 확산되는 것으로 판단된다. 또한, 하부 GaN 보호층의 경우 GaN 장벽층 성장 후 온도를 감소시키는 과정에서 성장되므로, 우물층으로부터 In의 탈착현상이 아닌 장벽층과의 상호 확산으로 판단된다. 또한, 계면특성을 확인하기 위해 InGaN의 X-선 위성 피크를 확인한 바 샘플 A의 경우 매우 넓고 약한 피크가 관찰된 반면, 보호층이 존재하는 샘플 B와 C의 경우 강하고 얇은 피크가 확인되었다. 이는 GaN 보호층의 도입으로 인해 계면특성이 향상되는 것으로 판단된다. 따라서, 우리는 InGaN/GaN 다중양자우물구조에서 GaN 보호층은 상부의 열화 억제 뿐아니라, 하부의 장벽층 및 우물층 사이의 상호확산을 억제하는 GaN 보호층의 도입을 통하여 우수한 계면 특성 및 비발광센터의 억제를 얻을 수 있을 것으로 생각되며, 이는 향후 GaN계 발광다이오드의 전계 발광특성을 증가하여 우수한 발광소자를 개발할 수 있을 것으로 기대된다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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