• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 2013.05a
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• pp.64-64
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• 2013

아연(Zn)을 대체할 수 있는 물질계 인 알루미늄(Al)과 마그네슘(Mg)을 본 연구에서는 E-beam 증착을 이용하여 냉연강판 위에 코팅하고 열처리를 실시하여 전자현미경 및 X-선 회절분석을 이용한 코팅층의 특성 분석 및 염수분무시험을 통해 내식성을 평가하였다.

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 2008.11a
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• pp.3-4
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• 2008

로직 디바이스에서는 알루미늄을 대신하여 구리로 backend-of-line(BEOL) 금속화공정이 대체되고 있다. 그러나 메모리 디바이스에서 구리 배선으로의 전환이 쉽지 않다. Cu-seed layer는 구리 배선을 메모리 디바이스에 적용하기 위해서 필요한 gap-fill 확장성을 개선하기 위한 중요한 부분을 차지한다. Cu-seed layer 증착을 위한 향상된 PVD 장비인 Eni 스퍼터를 소개한다.

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 2015.05a
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• pp.27-27
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• 2015

아연(Zn)을 대체할 수 있는 물질계 인 알루미늄(Al)과 마그네슘(Mg)을 본 연구에서는 E-beam 증착을 이용하여 냉연강판 위에 코팅하고 열처리를 실시하여 전자현미경 및 X-선 회절분석을 이용한 코팅층의 특성 분석 및 염수분무시험을 통해 내식성을 평가하였다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 1999.07a
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• pp.30-30
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• 1999

알루미늄에 비해 전기저항이 낮고 electromigration 및 stress-migration에 대한 저항서이 높은 구리는 차세대 반도체 소자의 배선금속 재료로 여겨지고 있다. 최근 Chemical Mechanical Polishing (CMP) 기술의 도래로 구리배선 공정의 채택이 더욱 앞당겨질 전망이다. 한편, 구리 MOCVD를 위해 다양한 전구체화합물이 합성되었고, 근래에는 Cu(I)(hfc)L (L은 Lewis base 형태의 ligand) 형태의 전구체를 이용한 많은 증착 연구를 통하여 순수하고 전기저항이 낮은 구리 박막의 증착이 보고되었다. 구리 MOCVD의 가장 큰 문제점은 증착속도가 150-$^{\circ}C$20$0^{\circ}C$에서 500$\AA$/min 이하로 낮고 또한 증착된 필름 표면이 매우 거칠다는 데 있다. 이러한 단점으로 인해 전기화학적 증착후 CMP를 적용하는 것이 더욱 경제적이라는 견해가 우세해 지고 있다. 본 강연에서는 박막의 증착 속도와 표면 거칠기를 동시에 향사시키기 위해 catalytic surfactant를 이용한 새로운 MOCVD 개념을 도입하고, 구리 MOCVD에서 단원자층으로 흡착된 요오드 원자가 그 역할을 수행할 수 있음을 보이겠다. 또 요오드원자가 표면반응을 어떻게 수정하여 활성화에너지를 낮추는가를 반응메카니즘으로 밝히고 표면 평탄화의 미시적 해석을 제공하고자 한다. Catalytic Surfactant의 개념은 다른 박막 재료의 MOCVD에도 적용될 수 있으며, 나아가 적절한 기판 표면처리를 통하여 epitaxy도 가능할 것으로 본다.

• Korean Journal of Materials Research
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• v.9 no.12
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• pp.1263-1269
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• 1999

An FBAR(Solidly Mounted Resonator) was fabricated using reflector layers which prohibit the penetration of bulk acoustic wave into substrate. The SMR consisted of top and bottom electrodes(Al films), a piezoelectric layer (ZnO film), reflector layers(W/$Si_2$ films) and Si substrate. The electrodes were deposited by dc sputtering. The piezoelectric layer and the reflector layers were deposited by rf magnetron sputtering. The control of crystallinity, microstructures and electric properties of each layer was essential for attaining the optimum FBAR characteristics. Under the best deposition conditions for FBAR devices, the ZnO films had highly c-axis preferred orientation(${\sigma}=2.17^{\circ}$), resistivity of $10^4\;{\omega}cm$, and surface roughness of 10.6 ${\AA}$. On the other hand, the surface roughness of W and $Si_2$ films was 16 ${\AA}$ and 33 ${\AA}$, respectively, and the resistivity of Al film was $5.1{\times}10^{-6}\;{\Omega}cm$. The SMR devices were fabricated by the conventional semiconductor processes. In the resonance conditions of the SMR, the series resonance frequency (fs) and the parallel resonance frequency(fp) were 1.244 GHz and 1.251 GHz, respectively and the quality factor(Q) was 1200.

• Proceedings of the Korean Society of Precision Engineering Conference
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• 2012.05a
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• pp.151-152
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• 2012

• Proceedings of the Korean Magnestics Society Conference
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• 2010.06a
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• pp.73-74
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• 2010

• Proceedings of the Korean Fiber Society Conference
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• 1998.10a
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• pp.477-480
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• 1998

전자파장해(Electromagnetic Interference, EMI) 란 전자파 신호가 전자기적 간섭에 의하여 훼손되는 것을 말하며 이러한 전자파 방해의 문제는 통신장애에서부터 인공심장이나 보청기 등의 오동작, 나아가 자동화 공장의 로봇과 군사 무기의 오동작을 일으키는 등 치명적인 피해를 가져올 수 있다. (중략)

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 2012.11a
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• pp.55-55
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• 2012

• Proceedings of the Korean Ceranic Society Conference
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• 2003.10a
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• pp.199.2-199
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• 2003