양안 굴절이상 차이에 의한 안광학상수 변화도 분석을 통한 양안 굴절이상 차이의 특성을 이해 할 수 있는 기초자료를 제공하고자 하였다. 20-59세의 건강한 성인 100명을 대상으로 KR-8800을 이용하여 등가구면 굴절력과 각막곡률 반경을, IOL Master를 사용하여 안축장길이와 전방깊이를 측정하였으며, 측정값의 차이는 우안 측정값-좌안 측정값의 차이값에 절대 값을 구하여 사용하였다. 전체 대상자의 등가구면 굴절력은 $-1.83{\pm}2.17D$이고, 안축장길이는 23.00~24.99mm, 각막곡률반경은 7.50~7.89mm, 전방깊이는 3.60~4.09mm의 범위에서 가장 많았다. 양안 등가구면 굴절력 차이에 따른 양안 안축장길이 차이와 양안 전방깊이의 차이가 유의한 상관관계가 있었다. 또한, 양안 굴절력 차이에 의한 양안 안축장 길이 차이가 가장 크고, 가장 높은 상관성이 있었다. 양안 굴절력 차이는 안광학 상수와 밀접한 관계가 있고, 양안 굴절력 차이에 의하여 여러 가지 시기능 문제가 발생 할 수 있으므로, 양안 굴절이상 차이에 따른 요인별 분류를 통한 융복합 연구가 필요하다.
안경렌즈의 무반사 코팅물질로 사용되는 황화아연(Zinc Sulphide : ZnS)의 단일박막을 실리콘과 슬라이드 유리 기판위에 스핀코팅방법으로 증착하였다. 박막 증착 후 변입사각분광타원계(VASE : Variable Angle Spectroscopic Ellipsometer)를 사용하여 1.5~5.0 eV 광 에너지 영역에서 타원 각(ellipsometry angle) ${\Delta}$, ${\Psi}$를 측정하였다. 이 측정결과들을 Jellison Modine 분산관계식을 사용하여 최적맞춤하고, 매개변수들을 구하여 박막의 광학상수인 굴절계수 $n({\lambda})$와 소광계수 $k({\lambda})$를 결정하였다.
유기발광물질 $Alq_3$(alumina quinoline)의 단일박막을 열 증착(thermal evaporation)방법에 의하여 실리콘(c-Si)기판과 슬라이드유리(slide glass) 기판위에 제작하였다. 박막 제작 후 가변입사각운광타원계(VASE : Variable Angle Spectroscopic Ellipsometer)를 사용하여 1.50~5.0 eV 광 에너지 영역에서 타원 각(ellipsometry angle) ${\Delta}$, ${\Psi}$를 측정하였다. 이 측정결과들을 Jellison Modine 분산관계식을 사용하여 최적맞춤하고, 매개변수들을 구하여 박막의 광학상수인 굴절계수와 소광계수를 결정하였다. 결정한 광학상수의 정확성올 확인하기 위하여 투과율을 전산 시늉하고, 흡수계수(absorption coefficient)와 분광광도계로 측정한 흡광도(absorbance)의 스펙트럼 비교로 분석의 정확성을 확인하였다.
금속테의 황색도금물질로 사용되는 티타늄질화물(titanium nitride: $TiN_x$)의 단일박막을 질소가스의 양을 달리 공급 하여 Si(100) 기판위에 초고진공 RF 마그네트론 스퍼터링(ultra high vacuum radio frequency magnetron sputtering) 방법으로 증착하였다. 박막 증착 후 가변입사각분광타원계를 사용하여 1.5-5.0 eV 에너지 영역에서 타원 각 ${\Delta}$와 ${\Psi}$를 측정하였다. 이 측정결과들을 Drude+Lorentz oscillator 분산관계식을 사용하여 최적 맞춤하고, 매개변수들을 구하여 박막의 광학상수인 굴절계수 $n({\lambda})$과 소광계수 $k({\lambda})$를 각각 결정하였다.
IV-VI족 화합물인 PbSnSe는 흥미 있는 물리적 특성을 가지고 있는 화합물 반도체로써 본 실험에서는 HWE 방법으로 성장시킨 PbSnSe 박막에 대한 특성을 조사하였다. 원료부와 열벽부 그리고 기판의 온도를 변화시키며 단결정 박막을 성장시켰다. Rutherford back scattering (RBS)을 측정하여 Pb:Sn:Se의 조성비를 확인하였다. 특히 좁은 에너지 대역을 측정하기에 매우 용이한 Fourier transform infra red (FT-IR)측정 장치를 이용하여 에너지 갭을 측정하였다. 박막의 표면 상태는 atomic force microscopy (AFM) 사진과 주사 전자 현미경 (SEM) 사진으로 관찰하여 결정구조와 성장 용도와의 연관성을 조사하였다. 광학 상수는 Spectroscopic ellipsometry (SE) 방법을 이용하여 박막의 광학 상수를 측정했다. PbSnSe 화합물 에피층 시료의 굴절률(n), 유전상수(${\varepsilon}$), 반사율(R) 그리고 흡수 계수(${\alpha}$)등 광학상수를 측정하였다.
Sodium borate silicate 유리는 $10Na_2O-39B_2O_3-50SiO_2-CoO$ mol%와 $20Na_2O-14B_2O_3-65SiO_2-CoO$ mol%의 조성비로 혼합한 후 전기로에서 $1210^{\circ}C$ 온도로 2시간 동안 용융하여 공기 중에서 급냉 시켜 제작하였다. 급냉한 유리의 유전적 거동을 조사하기 위하여 온도와 주파수 함수로 유전상수와 비저항을 측정하였다. 유전율 스펙트럼에서 유리전이온도는 $Na_2O$ 20 mol%시료가 낮아졌으며 $Na_2O$ 함량이 증가함에 따라 유전상수는 크게 나타났다. 유리의 비저항 주파수 의존성은 non-Debye형 완화를 보였다.
현재 점차적으로 보급되어지고 있는 자동렌즈메타를 국산화하기 위해 저자들은 수 년 전부터 자동렌즈메타를 연구해왔으며, 소형이면서 값이 저렴한 "PC를 이용한 자동렌즈메타"를 개발하였다. 자동렌즈메타에서 가장 중요한 광소자의 원리와 렌즈의 굴절력을 측정하는 광학적 원리를 소개하였고, LED 광원세트와 광소자회로 제작에 대해 설명하였으며, 제작한 자동렌즈메타를 이용하여 렌즈의 굴절력에 따른 PSD의 변위를 측정하였고, 그 결과 자동렌즈메타의 굴절력상수가 약 30Diopter/mm 임을 알았다.
광속의 수렴 발산을 판단하기 위하여 무아레 무늬 발생기(moir$\acute{e}$ deflectometry)를 가상격자를 사용하는 제작하였다. 광원으로 He-Ne laser(3mW)와 무아레 무늬 발생기 광학계 중 광속확대기를 구성하기 위하여 제1렌즈와 제2렌즈의 초점거리는 각각 18 mm, 250 mm인 것을 사용하였다. 가상격자(virtual grating)를 발생시키기 위하여 회절격자(격자상수=$1.6{\mu}m/line$)와 전면 평반사경을 결합하여 무아레 무늬 발생기를 제작하였다. 광학계를 사용하여 시험렌즈의 유효초점거리를 측정하였고, 이 측정값과 유도된 식에 의한 이론값을 비교하였다.
본 실험에서는 HWE 방법으로 성장시킨 SnSe 단결정 박막에 대한 특성을 조사하였다. 성장된 박막의 결정 구조와 격자 상수를 알아보기 위하여 X-ray diffraction(XRD)에 의한 회절 패턴을 측정하고, 단결정 박막의 결정성을 확인하기 위하여 double crystal X-ray diffraction(DCXRD)에 의한 회절 패턴을 측정하여, 원료부와 열벽부 그리고 기판의 온도 변화에 따른 반치폭을 알아보았다. Rutherford back scattering(RBS)을 측정하여 Sn과 Se의 조성비를 확인하고, 실험값과 이론값의 차이를 조사하였다. 박막의 표면 상태는 atomic force microscopy(AFM) 사진과 주사 전자 현미경(SEM) 사진으로 관찰하여 결정구조와 성장 온도와의 연관성을 조사하였다. 광학 상수는 Spectroscopic Ellipsometry(SE) 방법을 이용하여 단결정 박막의 굴절률(n), 유전상수(${\varepsilon}$), 반사율(R) 그리고 흡수 계수(${\alpha}$) 등 광학 상수를 측정했다.
ZnS 화합물은 근자외선 영역의 직접천이형 띠 간격을 갖으며 청색 발광 다이오드나 레이저의 소재로 기대되는 물질이다. 결정구조는 X선 회절무늬를 분석한 결과 zinc blonde구조임을 알 수 있었다. 격자상수는 $a_o=5.411{\AA}$이었다. ZnS단결정의 광학적 흡수, 광전류와 광발광 스펙트럼 등 광학적 특성을 조사하였다. 광학적 띠간격 에너지는 3.61eV이었고 $800^{\circ}C$에서 열처리한 ZnS의 띠 간격 에너지는 광전류 측정 결과 as-grown-ZnS에 비하여 0.1eV 정도 작아짐을 알 수 었었다. 광발광 스펙트럼은 30K에서 293K까지 as-grown-ZnS와 $800^{\circ}C$에서 열처리한 경우에 대하여 각각 측정되었다. As-grown ZnS단결정의 광발광 피크는 350nm, 392nm, 465nm에서 $800^{\circ}C$에서 열처리한 경우 349nm, 370nm, 394nm 518nm, 572nm에서 각각 측정되었다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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