• Title/Summary/Keyword: 실리콘 미세구조

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Effects of Electron-beam. Patterns on Microstructures of Silicon for Photovoltaic Applications (전자빔패턴에 따른 태양전지용 실리콘의 미세구조)

  • Choi, Sun-Ho;Jang, Bo-Yun;Kim, Joon-Soo;Ahn, Young-Soo
    • Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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    • 2010.06a
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    • pp.224-224
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    • 2010
  • 야금학적 정련은 태양전지 소재인 실리콘의 저가화를 통한 태양전지의 단가를 낮추는데 유망한 공정이다. 이중에서도 실리콘의 전자빔정련은 고순도의 실리콘 정련에 효과적인 기술이다. 본 연구에서는 전자빔용융법을 이용하여 실리콘 정련을 수행하였으며, 제조된 실리콘의 미세구조 및 분순물농도를 측정하였다. 고진공의 챔버 하부에 수냉동도가니가 위치해있고, 상부에 100 kW출력의 전자총이 설치되었다. 실리콘은 분쇄 및 세척과 같은 전처리 없이 수냉동도가니에 250g 이 장입되었다. 전자빔때턴은 소프트웨어를 통한 헌혈, 나선형의 경로(path)와 원형의 형상(Shape)이 결합하여 원형패턴과 나선형패턴의 형상으로 실리콘에 조사되었다. 전자빔의 출력을 15 kW로 실리콘을 용융하였고 분당 0.5 kW의 속도로 서냉하였다. 제조된 실리콘은 지름 100 mm, 높이 25 mm의 버튼형상이었으며, 횡방향으로 절단하여 미세구조와 불순물거동을 분석하였다. 미세구조는 광학현미경 (OM) 과 전자현미경 (SEM)을 통하여 관찰하였고 불순물거동은 유도결합플라즈마 분광분석기(ICP-AES) 을 통하여 분석하였다. 장입된 실리콘의 초기순도는 99.5 %이고, 전자빔정련 공정 후 99.996 %까지 향상되었다. 전자빔패턴을 이용한 고순도 실리콘의 정련은 태양전지 소재 개발에 유망한 기술로 활용될 것이다.

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Microstructures of Horizontally Grown Multicrystalline Silicon Ribbon Molten Silcon (용융 실리콘으로부터 수평 성장 된 다결정 실리콘 리본의 미세구조)

  • Ko, Seung-Jin;Jang, Bo-Yun;Kim, Joon-Soo;Ahn, Young-Soo
    • Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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    • 2010.06a
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    • pp.222-222
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    • 2010
  • 수평성장 방식을 이용하여 다결정 실리콘 리본을 제조하였으며, 제조된 리본의 미세구조 및 결함을 분석하였다. 기존 잉곳 성장 및 절단 공정을 통해 제조된 실리콘 웨이퍼는 절단 중 실리콘의 손살 때문에 단가를 상승 시킨다. 따라서 실리콘 용탕으로부터 직접 웨이퍼를 제조하는 리본 기술이 활발히 연구되고 있다. 본 연구에서는 수명 성장 법을 이용하여 용융 실리콘으로부터 다결정 실리콘 리본을 제조 하였다. 제조 된 리본의 크기$50{\times}50$ mm였으며 두께는 $375{\pm}50{\mu}m$ 이었다. 또한, 미세구조 분석 결과 결정들의 형상이 불규칙적 이었으며, 바닥에서부터 윗부분까지 한 방향으로 성장되었다. 수직성장된 결정들의 평균 입경은 $50.2{\mu}m$ 이었다. 전위 (dislocations ), 이중(twins), 그리고 기공 (pores) 같은 구조적 결점들과 SiC, 탄소, 그러고 산소와 같은 불순물 결함 등이 관찰 되었다. 본 연구를 통해 제조된 다결정 실리콘 리본은 태양전지용 웨이퍼로 응용 가능 할 것으로 판단된다.

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The effect of hydrogen on microstructure of nc-Si:H thin films deposited by ICP-assisted magnetron sputtering (유도결합 플라즈마가 결합된 마그네트론 스퍼터링에 의해 합성된 미세결정질 실리콘 박막의 미세구조에 미치는 수소의 영향)

  • Sin, Gyeong-Sik;Choe, In-Sik;Choe, Yun-Seok;Han, Jeon-Geon
    • Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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    • 2012.05a
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    • pp.351-352
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    • 2012
  • 유도결합 플라즈마(ICP)가 결합된 마그네트론 스퍼터링법으로 수소와 알곤의 혼합비율에 따라 기판 가열 없이 유리기판 위에 실리콘 박막을 증착하였다. 수소 유량에 따른 실리콘 박막의 미세구조 변화는 XRD, Raman spectroscopy, FT-IR 등의 분석을 통해 확인하였다. 수소 유량이 증가할수록 박막의 증착률은 감소하였으며, 수소 혼합비율이 60% 이상일 때 비정질 실리콘이 미세결정질 실리콘으로 전이되는 것을 확인하였다.

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Microstructure of polysilicon prepared by low pressure chemical vapor deposition using silane and disilane (Silane과 Disilane을 사용하여 저압 화학 기상 증착법으로 제작한 다결정 실리콘의 미세구조)

  • 이은구;라사균;노재성
    • Electrical & Electronic Materials
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    • v.6 no.1
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    • pp.15-21
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    • 1993
  • Silane과 Disilane를 사용하여 화학증착법으로 제작한 다결정 실리콘의 미세구조를 증착온도의 변화에 따라 조사하였다. Silane과 Disilane의 증착온도는 각각 550에서 640.deg.C와 485에서 620.deg.C로 변화시켰다. Disilane은 silane에 비해 반응성이 크고 비정질에서 결정으로 변하는 전이온도는 약 20.deg.C정도 높았다. 전이온도에서 증착한 시편은 실리콘 source에 관계 없이 (311)조직의 거친 표면으로 되어있었다. 900.deg.C에서 열처리하는 동안 비정질로 부터는 (111)쌍정립계를 갖는 수지상의 결정성장을 하였다. 반면에 다결정 상태로 증착한 시편은 열처리하는 동안 구조가 거의 변하지 않았고 매우 작은 결정립으로 이루어진 주상구조를 하였다.

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Microstructures of Crystalline Silicon Thin Film using Silicon Nanoink (실리콘 나노잉크를 이용한 결정질 실리콘 박막의 미세구조)

  • Lee, Hyeon-Kyeong;Jeong, Ji-Young;Jang, Bo-Yun
    • Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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    • 2010.06a
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    • pp.266-266
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    • 2010
  • 실리콘 나노잉크를 이용한 프린팅 공정을 적용하여 결정질 실리콘 박막을 제조하였으며, 다양한 공정조건에 따른 박막의 특성을 연구하였다. 기존의 실리콘 박막형 제조 기술은 고가의 진공프로세스이므로, 비진공 프린팅 공정의 대체를 통하여 박막 태양전지의 제조원가를 획기적으로 절감할 수 있다. 실리콘 나노입자는 저온 플라즈마를 사용하여 합성하였으며, 스핀코팅 (spin coating), 드롭핑 (dropping), 딥핑 (dipping) 등의 프린팅 공정을 이용하여 단결정 실리콘 웨이퍼 위에 박막을 형성하였다. 사용된 실리콘 나노입자는 10 ~ 50 nm 의 크기와 단결정 구조를 갖는다. 이러한 실리콘 나노입자는 Propylene Glycol 용매에 분산시켜 하부기판에 프린팅 하였다. 이렇게 증착된 나노입자들은 $600{\sim}1000^{\circ}C$의 온도와 다양한 분위기에서 열처리되어 고밀도화 되었다. 제조된 실리콘 박막의 물성 분석은 SEM, EDX, 그리고 X-ray 회절 측정을 통하여 수행되었다.

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Fabrication of Single-Crystal Silicon Microstructure by Anodic Reaction in HF Solution (HF 양극반응을 이용한 단결정 실리콘 미세구조의 제조)

  • Cho, Chan-Seob;Sim, Jun-Hwan;Lee, Seok-Soo;Lee, Jong-Hyun
    • Journal of Sensor Science and Technology
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    • v.1 no.2
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    • pp.183-194
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    • 1992
  • Some silicon micromechanical structures useful in sensors and actuators have been fabricated by electropolishing or porous silicon formation technique by anodic reaction in HF solution. The microstructures were lightly doped single crystal silicon and the formation was isotropic independent of crystal directions. Porous silicon layer(PSL) was formed selectively in $n^{+}$ region of $n^{+}/n$ silicon structure by anodic reaction in concentrated HF(20-48%) solution. Characteristics of the formed PSL were investigated along with change of the reaction voltage, HF concentration and the reaction time. PSL was formed only in $n^{+}$ region. The porosity of the PSL was decreased with the increase of HF concentration and independent of reaction voltage. For the case of $n/n^{+}/n$ structures, the etched surface of silicon was fairly smooth and a cusp was not found. The thickness of the microstructures was the same as that of the epitaxial n-Si layer and good uniformity. We have fabricated acceleration sensors by anodic reaction in HF solution(5 wt%) and planar technology. The process was compatible with conventional It fabrication technique. Various micromechanical structures, such as rotors of motor, gears and linear actuator, were also fabricated by the technique and examined by SEM photographs.

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피라미드 구조로 에칭된 실리콘 기판 위에 성장 시킨 ZnO 나노막대 제작 및 표면분석

  • Choe, Hyeon-Ji;Lee, Yul-Hui;Kim, Dong-In;Lee, Yong-Min;Kim, Ji-Yun;Hwang, Gi-Hwan;Seo, Hyeon-Jin;Yu, Jeong-Hun;Nam, Sang-Hun;Bu, Jin-Hyo
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 2015.08a
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    • pp.116.2-116.2
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    • 2015
  • 우리는 실리콘 마이크로구조-ZnO 나노막대 피라미드 구조의 제작 및 표면 특성에 대해서 연구했다. 실리콘 마이크로 피라미드 배열을 구성하는 에칭된 기판 위에 임의의 주기적인 계층 구조로 된 ZnO 나노막대를 성장시켰다. 습식 화학 에칭은 피라미드의 Si 미세 구조를 제작하기 위해 사용되며, 산화 아연 나노막대를 $90^{\circ}C$에서 수열 합성 방법으로 성장시켰다. 본 연구에서는 성장 시간과 피라미드 크기에 따라 ZnO 나노막대 길이와 두께를 조절하여 표면적을 넓히는 실험을 진행하였다. 성장시킨 ZnO 나노 구조들은 XRD (X-ray diffraction), FE-SEM (Field Emission Scanning electron microscopy), WCA (Water contact angle)를 통해 특성을 분석하였다. 젖음성 연구를 통해 ZnO 나노구조가 짧고 긴 성장 시간에 따라 친수성과 초친수성임을 확인하였다.

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Enhancement of n-i-p flexible microcrystalline silicon thin film solar cell efficiency through improved light trapping (Light trapping 개선을 통한 n-i-p 플렉서블 미세결정질 실리콘 박막 태양전지의 효율 향상)

  • Jang, Eunseok;Baek, Sanghun;Lee, Jeong Chul;Park, Sang Hyun;Song, Jinsoo;Rhee, Young Woo;Cho, Jun-Sik
    • 한국신재생에너지학회:학술대회논문집
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    • 2010.11a
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    • pp.58.1-58.1
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    • 2010
  • Stainless Steel의 유연한 기판을 사용하여 ZnO:Al/Ag의 후면전극에서 Ag 증착 실험조건 변화를 통해서 light trapping을 개선한 n-i-p 구조의 플렉서블 미세결정질 실리콘 박막 태양전지를 제작하였다. 실험 방법으로 마그네트론 스퍼터를 사용하여 Stainless Steel 기판 위에 ZnO:Al/Ag를 증착하여 후면전극으로 사용되는 back reflector를 제작하였으며 그 위에 미세결정질 실리콘 박막을 증착하였다. Back reflector에서 Ag 박막의 증착 온도가 증가할수록 표면결정 성장으로 roughness가 증가하여 반사도를 증가하였다. 또한, Ag 박막 증착 두께와 압력 변화에 따른 광학적 특성변화를 Atomic Force Microscope(AFM), Scanning Electron Microscopy(SEM),UV-visible-nIR spectrometry로 조사하여 최적의 조건을 찾았으며 개선된 back reflector의 특성이 n-i-p 구조의 플렉서블 미세결정질 실리콘 박막 태양전지에 적용하여 light trapping의 증가가 태양전지에서 광학적인 특성 변화 및 효율 향상에 영향을 주는지 Photo IV와 EQE(External Quantum Efficiency)를 통하여 조사하였다.

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Study on the influence of i/p interfacial properties on the cell performance of flexible nip microcrystalline silicon thin film solar cells (i/p 계면 특성에 따른 nip 플렉서블 미세결정질 실리콘 박막 태양전지의 특성 연구)

  • Jang, Eunseok;Baek, Sanghun;Jang, Byung Yeol;Lee, Jeong Chul;Park, Sang Hyun;Rhee, Young Woo;Cho, Jun-Sik
    • 한국신재생에너지학회:학술대회논문집
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    • 2011.05a
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    • pp.128.2-128.2
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    • 2011
  • 스테인레스 스틸 유연기판 위에 플라즈마 화학기상 증착법 (plasma enhanced chemical vapor deposition)을 이용하여 nip 구조의 미세결정질 실리콘 박막 태양전지 (microcrystalline silicon thin film solar cell)를 제조하고 i ${\mu}c$-Si:H광 흡수층과 p ${\mu}c$-Si:H 사이에 i a-Si:H 버퍼 층을 삽입하여 i/p 계면특성을 개선하고 이에 따른 태양전지 성능특성 변화를 조사하였다. ${\mu}c$-Si:H 박막으로 이루어진 i/p 계면에서의 구조적, 전기적 결함은 태양전지 내에서 생성된 캐리어의 재결합과 shunt resistance 감소를 초래하여 개방전압 (open circuit voltage) 및 곡선 인자 (fill factor)를 감소시키는 것으로 알려졌다. 제조된 미세결정질 실리콘 박막 태양전지는 SUS/Ag/ZnO:Al/n ${\mu}c$-Si:H/i ${\mu}c$-Si:H/p ${\mu}c$-Si:H 구조로 제작되었으며 i/p 계면 사이의 i a-Si;H 버퍼층 두께를 변화시키고 이에 따른 태양전지의 특성을 조사하였다. 태양전지의 구조적, 전기적 특성 변화는 Scanning Electron Microscope (SEM), UV-visible-nIR spectrometry, Photo IV와 Dark IV를 통하여 조사하였다.

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차세대 전자소자용 실리콘 나노와이어 성장 및 특성 분석

  • Seo, Dong-U;Kim, Seong-Bok;Kim, Yong-Jun;Lee, Myeong-Rae;Ryu, Ho-Jun
    • Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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    • 2011.05a
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    • pp.36.1-36.1
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    • 2011
  • 1차원 양자 구속 효과로 인해 우수한 전하 전송 특성을 갖는 나노선을 차세대 전자소자에 응용하기 위한 일환으로, 실리콘 기판 상에 동일한 실리콘 나노선을 성장하고 이의 미세구조 특징을 분석하였다. 실리콘 나노선은 Au 시드층을 형성한 후 화학기상증착법을 이용한 VLS (vapor-liquid-solid) 공법으로 성장시켰으며, 시드층의 크기에 따른 나노선의 구조 특성을 이미지 프로세싱을 통해 통계분석하였다. 성장된 실리콘 나노선의 결정구조와 성분을 고해상도 투과전자현미경과 EDAX를 이용하여 분석하였으며, 성장 온도 조건에 따른 나노선의 morphology 특성도 실시하였다. 그 결과 Au 시드층의 성분이 나노선과 기판의 계면에서 상당 부분 잔류함과, 성장된 나노선에는 쌍정 결함(twin defect) 등의 결정구조 변화가 수반됨을 알 수 있었다. 또한 금속 시드층의 평균 입도와 성장 온도 및 소스 가스 유량 조절함으로써 실리콘 나노선의 직경과 길이를 최적화 할 수 있었다. 이를 통해 향후 공정 스케일 다운의 한계 상황에 도달하고 있는 반도체 트랜지스터 소자를 대체할 수 있는 나노선 반도체 소자에 대한 공정기술 개발과 이를 이용한 다양한 응용 분야도 동시에 제시할 수 있게 되었다.

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