• 한국건설관리학회논문집
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• 제20권1호
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• pp.124-132
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• 2019

해외건설업이 국가경제에 기여하는 중추 산업임에도 불구하고, 기존의 해외건설 실적에 관한 연구는 단편적인 동향이나 특정 시점의 시장 점유율을 분석하는데 집중해왔다. 해외건설업은 프로젝트 기반산업으로 분절적이고(fragmented), 여러 다른 업체로 구성되며(heterogeneous), 업황에 따라 시장 구조가 역동적으로 변화하는(dynamic) 특성을 가지고 있어 특정 시점에 대한 정태적 분석과 함께 동태적 시장 변화의 고려가 필수적이다. 본 연구에서는 2000년부터 2017년까지 국내 건설기업이 계약을 체결한 9,173건의 프로젝트 정보를 활용하여 우리나라 해외건설 계약실적 구조를 분석하였다. 산업 차원의 실적정보를 정태적(시장 집중도), 동태적(시장 이동성 및 불안정성)으로 구분하여 분석하였으며, 구체적인 방법론을 기술하였다. 분석 결과, 정태적 측면에서는 국내 건설기업의 해외건설 경쟁구도가 최근 더욱 치열해지고 있으며, 동태적 측면에서는 주요 지역 및 공종을 제외한 대부분의 경우 시장 지위가 미약하고 불안정한 것으로 밝혀졌다. 본 연구는 정태적 동태적 분석의 조합을 통해 건설 관련 주체들의 시장 이해도를 제고하고, 향후 경쟁전략 수립을 위한 기초자료를 제공하였다는 점에서 의의가 있다.

• 대한토목학회논문집
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• 제39권5호
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• pp.623-630
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• 2019

아시아 건설시장의 전략적 중요성이 높아지면서 기업 간 경쟁이 더욱 치열해지고 있다. 기존의 아시아 건설시장에 대한 연구는 주요 국가로의 진출전략 도출, 분야별 리스크 평가에 대한 정성적 접근이 주류를 이루었던 반면, 다수 기업의 역동적인 경쟁구도를 정량적으로 설명한 연구는 드물었다. 이에 본 연구는 국내 건설기업이 2009년부터 2017년까지 계약을 체결한 3,996건의 프로젝트 정보를 바탕으로 아시아 지역의 계약실적 구조를 분석하였다. 정태적 분석에는 시장 집중도, 동태적 분석에는 시장 이동성 및 불안정성 개념을 각각 활용하였으며, 이에 대한 수학적 모델을 소개하였다. 분석 결과, 정태적 측면에서는 아시아 건설시장에서 국내 상위 기업군의 시장 점유율 집중 현상이 나타나고 있으며, 동태적 측면에서는 산업설비 공종을 제외한 대부분의 경우 시장 지위가 약하고 안정성이 떨어지는 것으로 밝혀졌다. 본 연구에서 제시한 분석 방법론과 결과는 산업 차원의 실적에 대한 체계적 진단을 가능케 하며, 향후 경쟁전략 수립을 위한 기초자료를 제공하였다는 점에서 의의가 있다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2016년도 제50회 동계 정기학술대회 초록집
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• pp.263-263
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• 2016

최근 반도체 시장에서는 저비용으로 고성능 박막 트랜지스터(TFT)를 제작하기 위한 다양한 기술들이 연구되고 있다. 먼저, 재료적인 측면에서는 비정질 상태에서도 높은 이동도와 가시광선 영역에서 투명한 특성을 가지는 산화물 반도체가 기존의 비정질 실리콘이나 저온 폴리실리콘을 대체하여 차세대 디스플레이의 구동소자용 재료로 많은 주목받고 있다. 또한, 공정적인 측면에서는 기존의 진공장비를 이용하는 PVD나 CVD가 아닌 대기압 상태에서 이루어지는 용액 공정이 저비용 및 대면적화에 유리하고 프리커서의 제조와 박막의 증착이 간단하다는 장점을 가지기 때문에 활발한 연구가 이루어지고 있다. 특히 산화물 반도체 중에서도 indium-gallium-zinc oxide (IGZO)는 비교적 뛰어난 이동도와 안정성을 나타내기 때문에 많은 연구가 진행되고 있지만, 산화물 반도체 기반의 박막 트랜지스터가 가지는 문제점 중의 하나인 문턱전압의 불안정성으로 인하여 상용화에 어려움을 겪고 있다. 따라서, 본 연구에서는 기존의 산화물 반도체의 불안정한 문턱전압의 문제점을 해결하기 위해 마이크로웨이브 열처리를 적용하였다. 또한, 기존의 IGZO에서 suppressor 역할을 하는 값비싼 갈륨(Ga) 대신, 저렴한 지르코늄(Zr)과 하프늄(Hf)을 각각 적용시켜 용액 공정 기반의 Zr-In-Zn-O (ZIZO) 및 Hf-In-Zn-O (HIZO) TFT를 제작하여 시간에 따른 문턱 전압의 변화를 비교 및 분석하였다. TFT 소자는 p-Si 위에 습식산화를 통하여 100 nm 두께의 $SiO_2$가 열적으로 성장된 기판 위에 제작되었다. 표준 RCA 세정을 진행하여 표면의 오염 및 자연 산화막을 제거한 후, Ga, Zr, Hf 각각 suppressor로 사용한 IGZO, ZIZO, HIZO 프리커서를 이용하여 박막을 형성시켰다. 그 후 소스/드레인 전극 형성을 위해 e-beam evaporator를 이용하여 Ti/Al을 5/120 nm의 두께로 증착하였다. 마지막으로, 후속 열처리로써 마이크로웨이브와 퍼니스 열처리를 진행하였다. 그 결과, 기존의 퍼니스 열처리와 비교하여 마이크로웨이브 열처리된 IGZO, ZIZO 및 HIZO 박막 트랜지스터는 모두 뛰어난 안정성을 나타냄을 확인하였다. 결론적으로, 본 연구에서 제안된 마이크로웨이브 열처리된 용액공정 기반의 ZIZO와 HIZO 박막 트랜지스터는 추후 디스플레이 산업에서 IGZO 박막 트랜지스터를 대체할 수 있는 저비용 고성능 트랜지스터로 적용될 것으로 기대된다.