• Journal of the Korean Magnetics Society
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• v.21 no.2
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• pp.67-76
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• 2011

Semiconductor spintronics is an emerging interdisciplinary technology based on the electron spin degree of freedom, combining the magnetic materials and semiconductors. The spin transistor represents a novel semiconductor device, in which the electron spin is injected, manipulated, and detected, and thereby a memory function and data processing function are enabled in one device. Particularly, the spin transistor based on Silicon, the mainstream semiconductor, might have a significant impact on information technology. This review introduces the major progresses of Silicon spintronics in recent years, and describes the technical issues for the future.

• The Science & Technology
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• v.35 no.10 s.401
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• pp.6-9
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• 2002

지구 허리부분 계속 팽창/소행성 2002 NT7, 지구충돌 가능성 희박/복어 유전자지도 제작/맹인을 위한 인공 망막/1억년전 새의 화석에 식물의 씨/간암 세포만 파괴하는 물질 개발/알래스카의 빙하가 녹고 있다/살찌게 하는 유전자 발견/과거에는 빛의 속도가 더 빨랐다/스핀트로닉스 연구에 돌파구 열려/빛을 정지시켰다/스핀트로닉스에 큰 진전/토마토에서 해충 퇴치제 추출

• Proceedings of the Korean Society of Machine Tool Engineers Conference
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• 2005.05a
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• pp.324-328
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• 2005

스핀 밸스 트랜지스터를 소형화 할 수 있는 공정 기술을 소개한다. 스핀 밸브 트랜지스터는 두 개의 실리콘 에미터, 컬렉터 사이에 다층 자성 금속 박막이 존재하는 구조를 갖고 있는 스핀트로닉스 소자이다. SU8을 절연층으로 사용한 접촉 패드의 도입, 실리콘 온 인슐레이터의 사용, 그리고 이온빔/습식 복합에칭 공정의 적용으로 수 ${\mu}m$까지 소형화 할 수 있었다. 트랜지스터의 소형화에 따른 특성 변화는 관찰되지 않았으며, 기존의 트랜지스터와 동일한 $240\%$의 자기전류값을 나타내었다.

• Proceedings of the Korean Magnestics Society Conference
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• 2002.12a
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• pp.224-225
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• 2002

강자성체의 스핀 분극을 이용하는 스핀트로닉스에 대한 연구는 매우 활발히 이루어지고 있다. CoFe 합금은 큰 포화자화와 스핀분극 때문에 스핀트로닉스 재료로 널리 이용되고 있다. 본 연구에서는 Ion Beam Etching 방법으로 CoFe 박막을 미세 가공 할 때 에칭 조건에 따른 CoFe 박막의 자기적 특성 변화를 조사하였다. 에칭 변수가 에칭에 미치는 영향을 사전에 조사하기 위하여 Cu 박막에 대하여 에칭시간, 기울임 각도, 가속 전압을 변화시키면서 식각한 후 거칠기 변화를 조사하였다. (중략)

• Electrical & Electronic Materials
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• v.21 no.5
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• pp.14-20
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• 2008

• Electrical & Electronic Materials
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• v.18 no.11
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• pp.3-16
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• 2005

• Proceedings of the Korean Magnestics Society Conference
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• 2016.11a
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• pp.5-5
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• 2016

• Proceedings of the Korean Magnestics Society Conference
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• 2004.12a
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• pp.148-149
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• 2004

• Journal of the Korean Magnetics Society
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• v.12 no.3
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• pp.117-126
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• 2002

• Journal of the Korean Magnetics Society
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• v.17 no.5
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• pp.210-214
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• 2007

Recent years have seen a rapid development of spintronics. One of the major achievements of this field is the understanding of spin dependent process in various physical systems, for example, metallic multilayers showing the giant magnetoresistance (GMR). Today devices based on the GMR are revolutionizing electronic data storage. In this paper, we review recent developments in the research on GMR of low dimensional structures. We describe the magnetoresistance properties of magnetic multilayers, multilayered nanowires and nonopillars, etc.