• 제목/요약/키워드: 스퍼터링법

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RF 스퍼터링법에 의해 증착한 ZIO 박막의 물성에 미치는 In 함량과 기판온도의 영향 (Effects of In concentration and substrate temperature on properties of ZIO films deposited by RF magnetron sputtering)

  • 박세훈;박지봉;송풍근
    • 한국표면공학회:학술대회논문집
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    • 한국표면공학회 2009년도 춘계학술대회 논문집
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    • pp.135-135
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    • 2009
  • ZIO 박막은 RF 마그네트론법으로 다양한 $In_{2}O_{3}$ 함량을 소결체 ZIO 타겟을 사용하여 유리 기판위에 증착되었다. $In_{2}O_{3}$ 9.54 wt%를 함유한 ZIO 타겟을 이용하여 PT에서 증착한 박막이 가장 낮은 비저항 $9.13{\times}10^{-4}{\Omega}cm$를 나타내었다. 전기적 특성을 향상시키기 위하여 기판온도를 상승하였으나 오히려 전기적 특성이 저하되는 결과를 나타났다. 게다가 기계적 특성 역시 기판온도 상승에 따라 저하되었다. 한편 XRD 측정을 통하여 기판온도 200과 $300^{\circ}C$에서 ZnO (002) 면과 $In_{2}O_{3}$ (400) 면이 동시에 관찰되었다. 그러므로 전기적, 기계적 특성의 저하는 상분리, 결정립크기의 감소와 같은 결정성 저하에 기인한다고 생각된다.

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폴리이미드 기판위에 증착한 고온내구성 비정질 ITO:Ce 박막의 특성 (High Temperature Durability Amorphous ITO:Ce Films Deposited on Polyimide Substrate)

  • 강용민;권세희;송풍근
    • 한국표면공학회:학술대회논문집
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    • 한국표면공학회 2009년도 춘계학술대회 논문집
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    • pp.133-133
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    • 2009
  • DC 마그네트론 스퍼터링법을 이용하여 투명 폴리이미드 기판위에 $CeO_2$가 0.5, 3.0, 4.0, 6.0wt% 도핑된 고밀도 ITO 타켓으로 증착된 ITO:Ce 박막의 구조적, 기계적 특성, 전기적 특성을 연구하여싸. ITO 박막 내에 Ce 함량이 증가할수록 결정성이 감소하였으며 $CeO_2$가 3.0wt% 도핑된 ITO타켓으로 증착한 박막의 경우 비정질구조로서 $3.96{\times}10^{-4}{\Omega}cm$의 가장 낮은 비저항 값을 관찰할 수 있었고, 기계적 내구성 또한 가장 우수하였다.

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DC Pulsed Magnetron Sputtering 법으로 제조된 B-C 박막과 B-C/DLC 다층막의 물성에 관한 연구

  • 김강삼;조용기
    • 한국진공학회:학술대회논문집
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    • 한국진공학회 2012년도 제42회 동계 정기 학술대회 초록집
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    • pp.311-311
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    • 2012
  • Boron carbide (B-C) 박막은 높은 경도, 열적 안전성, 화학적 안전성이 우수한 하드 코팅 소재로 사용되고 있다. 우수한 특성을 가지는 B-C 박막에 대한 연구는 B4C 비전도성 타겟을 이용하여 RF Sputtering 법으로 증착 공정변수에 대해서 박막의 물성에 관해 일부 연구자들이 진행하였으나, Pulsed dc margnetron sputtering 법으로 증착 공정변수에 대한 물성의 연구는 미진하였다. 반면에, DLC 박막은 우수한 특성을 가지는 하드 코팅 소재이나 400도 이상에서는 내열성이 떨어지는 단점을 가지고 있다. 연구에서는 B-C 박막의 내열성이 우수한 특성을 이용하여 DLC 박막의 내열성을 높이기 위한 목적으로 B-C 박막과 DLC 박막을 다층막으로 제조함으로서 DLC 박막을 구조적으로 안정화를 시키고자 하였다. 그리고 비전도성 B4C 타겟으로 Pulsed dc 마그네트론 스퍼터링법을 이용하여 증착기술을 개발하기 위해서 공정압력과 인가전력에 따른 B-C 박막을 제조하여 그 물성을 조사하였고, B-C/DLC 다층막을 제조하여 DLC 박막의 내열성을 증가시키고자 하였다. B-C 박막과 B-C/DLC 다층막의 경도와 탄성율은 나노인덴테이션과 마이크로 비커스를 이용하였으며, 박막의 성장구조와 박막의 구조를 조사하기 위해 SEM과 FTIR 및 XRD 을 이용하여 측정하였다.

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이온 빔 스퍼터링 방법으로 제작한 Mo 박막의 특성조사

  • 조상현;김효진;윤영목;이성호
    • 한국진공학회:학술대회논문집
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    • 한국진공학회 2012년도 제42회 동계 정기 학술대회 초록집
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    • pp.304-304
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    • 2012
  • CIGS(CuInGaSe2) 태양전지의 후면전극(Back contact)으로 널리 사용되는 Mo 박막은 낮은 면저항, 높은 반사율, 광흡수층 Na-path 제공 등의 조건이 요구된다. 일반적으로 Mo 박막 제작은 DC 마그네트론 스퍼터링 방법이 가장 널리 사용되며, 제작조건에 따라 태양전지 효율에 강한 영향을 미치는 것으로 보고되고 있다. 본 연구에서는 DC 마그네트론 스퍼터링 시 기판에 이온빔(Ion-beam)을 동시 조사하는 이온 빔 스퍼터링 증착(Ion-beam sputter deposition)법으로 Mo 박막을 제작하였다. 제작된 박막의 전기적 및 광학적 특성은 4-point probe, UV-Vis-NIR spectrometer로 각각 조사하였으며 Na-path 제어를 위한 구조적 특성은 XRD, FE-SEM으로 분석하였다. 분석결과에 따르면 기존 DC 마그네트론 스퍼터링 방법보다 상대적으로 더 치밀한 구조와 높은 반사율을 가지는 박막이 제작됨을 알 수 있었다. Mo 박막의 최적조건은 DC power 300 W, Ion-gun power 50 W, Ar flow rate 20 sccm 였다.

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Synthesis of CuInSe2 Thin Film by Non-vacuum Precursor Coating and Oxidation Treatment

  • 이동욱;용기중
    • 한국진공학회:학술대회논문집
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    • 한국진공학회 2011년도 제40회 동계학술대회 초록집
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    • pp.400-400
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    • 2011
  • 조성에 따른 밴드갭 조절이 용이하고 광흡수율이 결정질, 비결정질 실리콘보다 높으며 황동광 구조를 갖는 CuIn1-xGaxSe2 계 물질은 박막형 태양전지의 광흡수층으로 널리 쓰이고 있다. 기존 동시증발법, 스퍼터링법 등 진공 공정 기반 기술이 갖는 고비용 문제와 대면적화 필요성에 대한 대안으로 비진공 박막 증착법이 활발히 연구되고 있는 가운데, 본 연구에서는 닥터블 레이드 코팅법을 이용하여 상온 및 상압 환경에서 쉽게 전구체 박막을 코팅한 후 열처리함으로써 CuInSe2 박막을 얻을 수 있었다. 고분자로 이루어진 바인더(binder) 물질과 금속 아세테이트 (metal acetate)계 전구체를 용매에 용해시킨 후 이를 도포하고, 추가적인 산화 열처리 과정 (oxidation)을 통해 최근 문제가 되고 있는 잔류탄소층 문제를 해결할 수 있었다. XRD 분석 결과, 금속 전구체들은 산화 과정 통해 금속산화물로 변환되고, 이후 셀렌화(Selenization)과정에서 산소(Oxygen)가 셀레늄(Selenium)으로 치환되는 반응이 일어나는 것으로 관찰되었다. 또한 SEM 분석을 통해 잔류 탄소층이 존재하지 않으며 결정립 크기가 최대 수백nm 정도임을 확인하였다.

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이원 동시 마그네트론 스퍼터링법을 이용하여 증착한 In-Sn-Zn-O 박막의 열전 특성 (Thermoelectric and electrical properties of In-Sn-Zn-O thin films deposited by magnetron co-sputtering)

  • 변자영;송풍근
    • 한국표면공학회:학술대회논문집
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    • 한국표면공학회 2015년도 추계학술대회 논문집
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    • pp.297-298
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    • 2015
  • 우수한 열전 성능의 소자가 되기 위해서는 높은 전기 전도도 및 제백상수 그리고 낮은 열 전도도를 가져야한다. 본 연구에서는 DC 마그네트론 스퍼터링 법을 이용하여 비정질 구조를 갖는 ITZO 박막을 제작하였으며, 전기적 특성과 열전 특성을 조사하였다. 그 결과 ITO에 ZnO 첨가시 전기적 특성 및 열전 특성이 향상 되었다. 또한 비정질 구조를 가지므로 격자에 의한 열 전도도가 낮아 전체 열 전도도가 낮을 것이며 이는 높은 열전 성능 지수(ZT)를 가질 것이라 예상된다.

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반응성 RF 마그네트론 스퍼터링법을 이용하여 MgO 기판위에 증착한 TiO2 박막의 구조와 광촉매 특성 (Structure and Photo-catalytic Activity of TiO2 Films Deposited by Reactive RF Magnetron Sputtering)

  • 이정철;송풍근
    • 한국표면공학회지
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    • 제40권3호
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    • pp.113-116
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    • 2007
  • Titanium dioxide ($TiO_2$) films were deposited by RF reactive magnetron sputtering on non-alkali glass and single crystal MgO (100) substrate at substrate temperature of $400^{\circ}C$. Micro structures of $TiO_2$ films were investigated by XRD, FE-SEM, and Pole figure measurements. $TiO_2$ films deposited on glass substrate showed preferred orientation of anatase (101), whereas $TiO_2$ films deposited on the MgO single crystal substrate showed hetero-epitaxial anatase (100). $TiO_2$ film grown on MgO substrate showed higher photoctalytic activity than that of glass substrate.

아크이온플레이팅법에 의한 CrTiAlSiN 박막의 Si 함량 변화에 따른 특성 연구 (The Study on the properties of CrTiAlN Thin Films with Si Contents Variation by Cathodic Arc Ion Plating)

  • 조용기;유광춘;정동근
    • 한국표면공학회:학술대회논문집
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    • 한국표면공학회 2012년도 추계총회 및 학술대회 논문집
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    • pp.110-110
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    • 2012
  • 아크이온플레이팅법과 스퍼터링법을 이용하여 금형의 보호코팅으로서 CrTiAlSiN 박막을 합성하였다. 연구는 CrTiAlN 피막에 Si이 첨가됨에 따른 농도변화가 피막의 경도 및 내열성에 미치는 영향을 조사하였다. Si 함유량 변화에 따른 특성의 변화에 대해 XRD, TGA, 경도분석, 윤활성의 분석을 통해 조사하였으며, 함성된 피막은 기존 CrN 박막 대비 내열성이 우수하게 향상되었으며 경도의 향상과 낮은 윤활성을 보였다.

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PVD 스퍼터링법에 의해 제작된 Zn계 박막의 결정구조와 표면특성에 미치는 인히비더의 영향 (The Effect of Inhibitor on the Crystal Structure and Surface Properties Zn Alloy Films Prepared by PVD Sputtering Method)

  • 배일용;표성욱;이운기;임경민;이명훈
    • 한국표면공학회:학술대회논문집
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    • 한국표면공학회 2014년도 추계학술대회 논문집
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    • pp.38-38
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    • 2014
  • SPCC강판상에 PVD 스퍼터링법으로 Zn계 박막을 제작하였고, Zn계 박막의 결정구조와 표면특성에 미치는 산소의 영향을 해석하였다. 실험결과, 진공쳄버 내부에 있는 대부분의 Zn 이온중에서 Mg 이온이 증가할 때, Mg의 증발 및 흡착으로 인한 Zn의 증착핵 성장 억제와 Zn-Mg 금속간 화합물의 분산분포는 Zn-Mg막의 결정입자의 크기를 작게 만들었다. 산소가 쳄버내부에 존해하는 경우에는 XRD 피크는 상대적으로 감소되면서 브로딩하게 나타났다. 또한, 표면특성인 몰포로지의 경향을 분석해 보면 결정입도는 작아지는 현상을 보였다. 이것은 챔버 내부에 존재하는 잔류가스인 산소가 Zn 및 Mg과 같은 증착입자와 결합 및 흡착이 이루어지고, Zn 및 Mg 등이 증착핵의 마이그레이션 효과를 감소시켜 결정입도의 크기가 감소되는 것으로 나타났다.

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저온공정에서 플라즈마 변수에 의한 ZnO 박막의 결정성 연구 (The crystallization characteristic of ZnO films deposition at low temperature by plasma parameters)

  • ;이준석;진수봉;최윤석;최인식;한전건
    • 한국표면공학회:학술대회논문집
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    • 한국표면공학회 2012년도 추계총회 및 학술대회 논문집
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    • pp.194-195
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    • 2012
  • 대향 타겟 스퍼터링법 (Facing Targets Sputtering)을 이용하여 저온 공정에서 ZnO 박막을 증착하였다. 이 실험에서 두 개의 타겟의 거리를 70nm로 고정하고 박막의 증착두께를 150nm로 정하였다. 인가전압을 변수로 하였을 경우 ZnO 박막의 방향성과 결정성을 XRD로 측정하고 분석하였고 OES로 플라즈마 진단을 하였다. 그 결과 인가전압의 증가에 따라 결정성은 증가하였다.

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