• Journal of Digital Convergence
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• v.10 no.4
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• pp.257-263
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• 2012

Smart phones become popular all over the world recently. At the same time, demand of various additional services, such as SNS by utilizing low-cost reliable Wi-Fi network and position information, is expected to keep growing. In this paper, Implementation of SNS based on an Open Wi-Fi & Position Information was proposed. This service is achieved by constructing an Open Wi-Fi network based on a built AP access information database. And in order to provide durable connection in mobile environment, RSS detect AP switching module and mobile IP are utilized in the proposed service. Furthermore, with the utilization of GPS information of AP, AP providers could delivery various information such as advertisements, promotion events. In addition, it is possible for AP users to communicate with each other, thus a position information based SNS was also proposed in this paper.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2013.02a
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• pp.403-404
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• 2013

최근 scaling down의 한계에 부딪힌 DRAM과 Flash Memory를 대체하기 위한 차세대 메모리(Next Generation Memory)에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다. ITRS (international technology roadmap for semiconductors)에 따르면 PRAM (phase change RAM), RRAM (resistive RAM), STT-MRAM (spin transfer torque magnetic RAM) 등이 차세대 메모리로써 부상하고 있다. 그 중 RRAM은 간단한 구조로 인한 고집적화, 빠른 program/erase 속도 (100~10 ns), 낮은 동작 전압 등의 장점을 갖고 있어 다른 차세대 메모리 중에서도 높은 평가를 받고 있다 [1]. 현재 RRAM은 주로 금속-산화물계(Metal-Oxide) 저항 변화 물질을 기반으로 연구가 활발하게 진행되고 있다. 하지만 근본적으로 공정 과정에서 산소에 의한 오염으로 인해 수율이 낮은 문제를 갖고 있으며, Endurance 및 Retention 등의 신뢰성이 떨어지는 단점이 있다. 따라서, 본 연구진은 산소 오염에 의한 신뢰성 문제를 근본적으로 해결할 수 있는 다양한 금속-질화물(Metal-Nitride) 기반의 저항 변화 물질을 제안해 연구를 진행하고 있으며, 우수한 열적 안정성($>450^{\circ}C$, 높은 종횡비, Cu 확산 방지 역할, 높은 공정 호환성 [2] 등의 장점을 가진 WN 박막을 저항 변화 물질로 사용하여 저항 변화 메모리를 구현하기 위한 연구를 진행하였다. WN 박막은 RF magnetron sputtering 방법을 사용하여 Ar/$N_2$ 가스를 20/30 sccm, 동작 압력 20 mTorr 조건에서 120 nm 의 두께로 증착하였고, E-beam Evaporation 방법을 통하여 Ti 상부 전극을 100 nm 증착하였다. I-V 실험결과, WN 기반의 RRAM은 양전압에서 SET 동작이 일어나며, 음전압에서 RESET 동작을 하는 bipolar 스위칭 특성을 보였으며, 읽기 전압 0.1 V에서 ~1 order의 저항비를 확보하였다. 신뢰성 분석 결과, $10^3$번의 Endurance 특성 및 $10^5$초의 긴 Retention time을 확보할 수 있었다. 또한, 고저항 상태에서는 Space-charge-limited Conduction, 저저항 상태에서는 Ohmic Conduction의 전도 특성을 보임에 따라 저항 변화 메카니즘이 filamentary conduction model로 확인되었다 [3]. 본 연구에서 개발한 WN 기반의 RRAM은 우수한 저항 변화 특성과 함께 높은 재료적 안정성, 그리고 기존 반도체 공정 호환성이 매우 높은 강점을 갖고 있어 핵심적인 차세대 메모리가 될 것으로 기대된다.

• The Journal of the Convergence on Culture Technology
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• v.6 no.2
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• pp.515-520
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• 2020

CMOS used in digital circuit design technology has reached the limit of integration due to quantum tunneling. Quantum-dot cellular automata (QCA), which can replace this, has many advantages such as low power consumption and fast switching speed, so many digital circuits of CMOS have been proposed based on QCA. Among them, the multiplexer is a basic circuit used in various circuits such as D-flip-flops and resistors, and has been studied a lot. However, the existing multiplexer has a disadvantage that space efficiency is not good. Therefore, in this paper, we propose a new multilayered multiplexer using cell interaction and D-latch using it. The multiplexer and D-latch proposed in this paper have improved area, cell count, and delay time, and have excellent connectivity and scalability when designing large circuits. All proposed structures are simulated using QCADesigner to verify operation.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2008.06a
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• pp.151-151
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• 2008

갈륨-질화물(GaN) 기반의 고속전자이동도 트랜지스터(high electron mobility transistor, HEMT)는 마이크로파 또는 밀리미터파 등과 같은 고주파 대역의 통신시스템에 널리 사용되는 전자소자로 각광받고 있다. GaN HEMT는 AlGaN/GaN 또는 AlGaN/InGaN/GaN 등과 같은 이종접합구조(heterostructure)로부터 발생하는 이차원 전자가스(two-dimensional electron gas, 2DEG) 채널을 이용하여 캐리어 구속효과(carrier confinement) 및 이동도의 향상이 가능하다. 또한 높은 2DEG 채널의 면밀도(sheet concentration) 와 전자의 포화 속도(saturation velocity)를 바탕으로 고출력 동작이 가능하여 차세대 이동통신용 전력 증폭기로 주목받고 있다. 그러나 이론적으로 우수한 특성과 달리, 실제 소자에서는 epi 성장시의 결함이나 전위, 표면 상태에 따른 2DEG 감소 등의 영향으로 이론보다 높은 누설 전류와 낮은 항복 전압 특성을 가진다. 특히, 기존의 GaN HEMT 구조에서는 Drain-Side Gate Edge에서의 전계 집중이 항복 전압 특성에 미치는 영향이 크다. 본 논문에서는 이러한 문제를 해결하기 위해 Trapezoidal Gate구조를 이용하여 Drain 방향의 Gate Edge가 완만히 변하는 구조를 제안하였다. 이를 위해 $ATLAS^{TM}$ 전산모사 프로그램을 이용하여 Trapezoidal Gate 구조를 구현하여 형태에 따른 전류-전압 특성 및 소자의 스위칭 특성 및 Gate 아래 채널층에 형성되는 Electric Field의 분산을 조사하고, 이를 바탕으로 고속 동작 및 높은 항복 전압을 갖는 AlGaN/GaN HEMT의 최적화된 구조를 제안하였다. 새로운 구조의 Gate를 적용한 AlGaN/GaN HEMT는 Gate edge에서의 전계를 분산시켜 피크 값이 감소되는 것을 확인하였다.

• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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• 2009.05a
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• pp.21.1-21.1
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• 2009

상변화 메모리는 비휘발성 메모리이면서 빠른 동작 속도, 낮은 동작 전압 등 다양한 장점을 지니고 있어 차세대 메모리로 주목 받고 있다. 최근 상변화 메모리의 동작 전류를 감소시키기 위해 상변화 물질 및 전극 물질에 대한 연구를 진행하고 있으며, 소자의 크기를 최소화 하기 위한 연구가 진행되고 있다. 본 연구에서는 나노 임프린트 리소그래피와 전도성 AFM을 이용하여 나노급 상변화 물질의 특성을 평가하였다. 나노급 상변화 물질을 형성하기 위해 열경화성 나노 임프린트 리소그래피를 이용하여 $Ge_2Sb_2Te_5$(GST)/Mo/SiO2 기판 위에 200nm급 홀 패턴을 형성하였다. 홀 패턴에 Cr을 증착하여 리프트 오프 한 뒤 Cr을 하드 마스크로 사용하여 GST를 식각하였다. 그 결과, Mo 하부 전극 위에200nm 지름과 100nm 높이를 가지는 GST 나노 기둥을 형성하였다. GST 나노 기둥의 전기적 특성 평가를 위해 저항 측정 장비 및 펄스 발생기와AFM을 사용하였다. AFM은 접촉 모드로 설정하였으며, Pt가 코팅된 AFM tip을 사용하여 Cr 하드 마스크와 함께 상부 전극으로 사용하였다. GST 나노 기둥을 초기화 시키기 위해 I-V sweep을 하였으며, 그 결과 $1M\Omega$에서 $10\;k\Omega$으로 저항이 변화함을 확인하였다. GST 나노 기둥은 2V, 5ns의 리셋 펄스에서 비정질로 변화하였으며, 1.3V, 150ns의 셋 펄스에서 결정질로 변화하였다. 이 동작 전압으로 5번의 스위칭 특성을 평가하였으며, 이 결과는 소자 형태의 200nm 급GST의 특성과 유사하여 나노급 상변화 물질을 테스트하는 새로운 방법으로 사용될 수 있을 것이다.

• Journal of IKEEE
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• v.22 no.4
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• pp.1234-1237
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• 2018

For 4H-SiC trench MOSFET which can reduce on-resistance and switching losses compared to 4H-SiC planar MOSFET, the optimization study for decrease of sub-trench was carried out. In order to decrease sub-trench, Ar reshape process was used and trench shapes were observed as a function of temperature and process time. As a result, it was confirmed that the process conditions for $1500^{\circ}C$ and 20 min were most effective for the suitable trench profiles. In addition, dry/wet oxidation was performed at the Ar reshaped-samples to observe the oxidation thickness with different crystal orientations.

• The Journal of the Institute of Internet, Broadcasting and Communication
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• v.21 no.2
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• pp.143-149
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• 2021

BLDC motors are getting better performance due to the improvement of material technology including high performance of permanent magnets, advancement of driving IC technology with high integration and high functionality, and improvement of assembly technology such as high point ratio. While having the advantage of such a square wave driven BLDC motor, interest in the design and development of a square wave driven BLDC permanent magnet motor and development of a position detection circuit and driver is increasing in order to more meet the needs of users. However, in spite of the cost and functional advantages due to reduced efficiency, switching loss and vibration, noise, etc., the application is somewhat limited. Therefore, in this paper, we study a position detection circuit that generates a sinusoidal signal in proportion to the magnetic flux of a BLDC motor rotor using a Hall Effect Sensor that generates a sinusoidal wave to increase the efficiency of the motor, reduce ripple, and drive a sinusoidal current with excellent speed and torque characteristics.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2006.04b
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• pp.402-404
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• 2006

Electro-magnetic launcher(EML)는 전자기력을 이용하여 발사체를 추진시키는 장치이며 그 종류에는 레일건과 코일건이 있다 본 논문에서는 소형, 경량의 발사체를 추진, 가속시키기 위한 솔레노이드형 EML을 설계, 제작하여 시험 발사하고 그 특성을 분석하였다. 개발된 EML은 소형이기 때문에 launcher의 직경이 작아 자기장을 한 지점으로 집중시키는 장치가 필요없고, 전기에너지를 줄이기 위한 별도의 시스템이 필요하지 않으며, 솔레노이드의 형태와 발사체의 위치, 스위칭 시간에 의해 발사체의 추진력과 속도를 조절할 수 있는 장점이 있었다.

• Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea TC
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• v.40 no.10
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• pp.51-58
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• 2003

In this paper, we propose a group scheduling scheme to efficiently utilize network resources for core nodes in optical burst switching networks. This scheme schedules multiple bursts utilizing an interval graph to obtain the maximum stable set using the information such as arrival times and burst lengths from the collected header packets. Simultaneous scheduling of multiple bursts in a scheduling window results in lower burst loss probability and increased channel utilization than those proposed previously using one-to-one mapping. Simulation results for both cases of variable and fixed burst sizes show that the group scheduling scheme is better than the immediate scheduling, so called Latest Available Unused Channel with Void Filling, scheme in both performance metrics above mentioned.

• The Transactions of the Korean Institute of Power Electronics
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• v.6 no.6
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• pp.506-513
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• 2001

The torque of an SRM depends on the phase current and derivative of inductance. But an SRM is difficult to control the desired torques because of saturation in magnetic circuit An SRM is controlled by parameters of input voltage, and switch on , off angle The switch on off angles of an SRM regulate the magnitude and shape of current waveform and decide the magnitude and shape of torque This paper proposes an the optimization control scheme by adjusting both the switch on an switch off angle . The switch off angles are decided by reference of efficiency using simulation and experiments. The switch on angles are decided by load torque , And the dwell angles are controlled for torque control and speed control using GA-neural network which is used to simulated the reasonable switching angle.