• 전자공학회논문지
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• 제50권12호
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• pp.49-55
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• 2013

초음파 의료 영상 응용 분야를 위한 고전압 고집적 아날로그 front-end 집적회로를 0.18-${\mu}m$ 표준 CMOS 반도체 공정을 이용하여 구현하였다. 제안 된 아날로그 front-end 집적회로는 2.6 MHz에서 15 Vp-p 전압까지 동작하는 트랜지스터 stacking구조를 이용한 고전압 펄서와, 저전압에서 동작하는 저잡음 transimpedance 증폭기, 그리고 송신부와 수신부의 분리를 위한 고전압 차단 스위치로 구성되어 있다. 설계 된 집적회로는 $0.15mm^2$ 이하의 작은 면적을 사용함으로써 휴대용 영상 시스템을 포함한 다중 어레이 초음파 의료 영상 시스템에 적용이 가능하다.

• 센서학회지
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• 제8권4호
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• pp.341-346
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• 1999

일반적으로 FET형 전해질 이온 센서는 유리전극에 비하여 여러 가지 장점을 가지고 있으나 드리프트 및 기억효과가 있고 재현성이 부족한 단점을 가지고있어 이온 측정 시스템에 적용한 경우 전체적인 시스템의 신뢰성 저하를 가져온다. 이러한 점을 개선하기 위하여 본 논문에서는 8개의 동종 FET형 전해질 이온 센서 어레이를 사용하여 높은 신뢰성을 가지며 4종류의 이온($H^+$, $Na^+$, $K^+$, $Ca^{2+}$) 농도 측정이 가능한 시스템을 개발하였다. 개발된 측정 시스템은 전자식 스위치를 사용하여 단일의 신호 검출회로로 8개의 센서 신호를 검출하는 방법을 채택하였다. 또한 8개의 센서 신호를 삽입 정렬을 하여 신뢰성이 낮은 센서를 제외시키는 신호 처리 알고리즘을 개발하여 신뢰성을 향상시켰다. 제작된 시스템으로 3종류의 이온($H^+$, $Na^+$, $K^+$) 농도를 측정한 결과 개발된 신호처리 알고리즘은 여러 개의 센서 신호를 단순히 산술 평균을 취하는 방식에 비하여 오차의 범위를 더욱 줄일 수 있는 것으로 나타났으며, 기존의 단채널 방식의 전해질 이온 측정 시스템과 비교해볼 때 우수한 신뢰성을 가짐을 알 수 있었다.

• 한국통신학회논문지
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• 제11권3호
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• pp.172-178
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• 1986

스위치드 커패시터 필터(Switched-capacitor filter)의 유리한 점은 IC화 할 때 능동 RC회로의 RC적(RC Product)에 해다아는 것이 커패시턴스의 비로 되어 정확하게 그 값을 유지하는 것이 쉽고 클럭주파수에 의하여 중심주파수를 선형적으로 변화시킬 수 있다는 것이다. 본 논문에서는 프로그램 가능한 2차 SC필터를 구성한 후 디지털 신호에 의하여 중심주파수, 선택도 및 최대이득이 제어가능함을 실험을 통하여 입증하였다. 실험결과 필터의 ${omega}_0$는 모든 수동소자에 대해 저감도를 유지할 수 있었으나 스위치의 기생용량이 커패시터의 비에 미치는 영향은 피할 수 없었다. SC 필터는 클럭주파수, 저항 어레이등에 의하여 전달특성을 가변시킬 수 있으므로 디지탈 신호의 처리나 음성의 분석 및 합성에도 이용될 수 있을 것이다.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제47권4호
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• pp.26-33
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• 2010

본 논문은 SoC 응용에 가능한 멀티 채널 용량형 터치 센서 유닛과 간단한 공통프로세스 유닛, 스위치 어레이를 포함하여 C-T 방법으로 터치 입력을 처리하는 ASIC을 제안하였다. 본 터치 센서 ASIC은 작은 전류와 칩 면적의 장점을 갖는 C-T 변환 방식에 기반 하여 설계하였으며, 최소 센싱 해상도는 한 카운터 당 41 fF이며, 외부 부품 없이 동작하기 위해 내부 발진기 및 LDO 레귤레이터, $I^2C$를 내장하였다. 본 ASIC은 0.18 um CMOS공정으로 구현되어 있으며, 1.8 V와 3.3 V 전원을 사용한다. 전체 소비 전력은 60 uA이고, 면적은 0.26 $mm^2$이다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 1998년도 하계학술대회 논문집 G
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• pp.2518-2520
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• 1998

Silicon can be reactive ion etched (RIE) either isotropically or anisotropically. In this paper, a new micromachining technology combining these two etching characteristics is proposed. In the proposed method, the fabrication steps are as follows. First. a polysilicon layer, which is used as the bottom electrode, is deposited on the silicon wafer and patterned. Then the silicon substrate is etched anisotropically to a few micrometer depth that forms a cavity. Then an PECVD oxide layer is deposited to passivate the cavity side walls. The oxide layers at the top and bottom faces are removed while the passivation layers of the side walls are left. Then the substrate is etched again but in an isotropic etch condition to form a round trench with a larger radius than the anisotropic cavity. Then a sacrificial PECVD oxide layer is deposited and patterned. Then a polysilicon structural layer is deposited and patterned. This polysilicon layer forms a pivot structure of a rocker-arm. Finally, oxide sacrificial layers are etched away. This new micromachining technology is quite simpler than conventional method to fabricate joint structures, and the devices that are fabricated using this technology do not require a flexing structure for motion.