• Transactions of the Korean Society of Mechanical Engineers A
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• v.37 no.9
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• pp.1093-1098
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• 2013

A single-crystal sapphire is used as a transparent bulletproof window material; however, few studies have investigated the dynamic behavior and fracture properties under high-speed impact. High-speed and high-resolution sequential images are required to study the interaction of the bullet with the brittle ceramic materials. In this study, a device is developed to capture the sequence of high-speed impact/penetration phenomena. This system consists of a speed measurement device, a microprocessor-based camera controller, and multiple CCD cameras. By using a linear array sensor, the speed-measuring device can measure a small (diameter: up to 1 2 mm) and fast (speed: up to Mach 3) bullet. Once a bullet is launched, it passes through the speed measurement device where its time and speed is recorded, and then, the camera controller computes the exact time of arrival to the target during flight. Then, it sends the trigger signal to the cameras and flashes with a specific delay to capture the impact images sequentially. It is almost impossible to capture high-speed images without the estimation of the time of arrival. We were able to capture high-speed images using the new system with precise accuracy.

• Proceedings of the KIPE Conference
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• 2017.11a
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• pp.121-122
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• 2017

ITER AC/DC 컨버터(Converter)는 핵융합 발생을 위해 토카막의 초전도코일에 제어된 전류를 공급하여 플라즈마 발생, 형상 유지, 소멸하는 기능을 한다. 만일 컨버터 또는 초전도코일에 이상이 발생하면 즉시 보호동작이 실행되어야 한다. 이를 위해 설계된 F-LIC(Fast Local Interlock Controller)은 즉시 작동하여 Bypass 및 Make Switch 트리거, 차단기 작동 등을 순차적으로 수행한다. ITER Interlock System의 기기는 중요성이 고려되어 높은 신뢰도가 요구된다. 본 논문에서는 F-LIC 회로분석과 Telcordia SR-332 Standard에 의한 부품고장률 산출방법을 사용하여 FMEDA를 분석하고, 이를 통하여 회로구성 부품의 고장이 미치는 영향과 F-LIC 제어모듈의 SIL-2 등급의 적합성을 분석하였다.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2006.07d
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• pp.2207-2208
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• 2006

기존의 Gap switch를 이용한 Marx generator는 트리거-펄스 발생회로가 따로 필요하여 복잡한 구조를 가질 뿐만 아니라, 스위치의 짧은 수명과 스위치 내부의 스파크전류의 Jitter 현상, 그리고 순차적인 스위치 turn-on과 스위치 내외부의 인덕턴스로 인한 전압 상승시간의 지연 등의 단점을 가지고 있다. 본 논문에서는 이러한 단점들을 해결하기 위해 기존의 Gap switch대신 전력용 반도체 소자인 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistors) 스위치를 이용한 Marx generator를 제안하고, 제안된 회로의 동작을 구현하기 위해 전력계통용 전자기과도현상 해석프로그램인 EMTP(Electromagnetic Transient Program)를 사용하여 시뮬레이션 하여 IGBT스위치가 이상적인 동작을 할 때 얻어지는 이점을 알아보기로 한다.

• Proceedings of the Korean Information Science Society Conference
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• 2008.06d
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• pp.126-130
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• 2008

Mobile IP는 단말에게 이동성을 제공해 줌으로써 이동하면서도 인터넷에 접속할 수 있게 해준다. 하지만 L2 연결과 L3 연결이 순차적으로 진행되어 핸드오버시 지연과 데이터 로스의 문제가 발생한다. 이러한 핸드오버 과정에서 발생하는 지연과 데이터 로스를 줄이기 위해 L2 트리거를 이용한 Fast Handover 기술이 개발되었지만 Fast Handover 기술 역시 L2 연결과 L3 연결이 독립적으로 진행된다. 본 논문에서는 Mobile IP의 L3 핸드오버 과정과 이기종 네트워크들의 L2 핸드오버 과정을 통합하고 핸드오버 과정을 최적화하여 성능 개선된 핸드오버 방안을 제안하고 성능평가를 통해 우수함을 보인다.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2006.07b
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• pp.1241-1242
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• 2006

기존의 Gap switch를 이용한 Marx generator는 트리거-펄스 발생회로가 따로 필요하여 복잡한 구조를 가질 뿐만 아니라, 스위치의 짧은 수명과 스위치 내부의 스파크전류의 Jitter 현상, 그리고 순차적인 스위치 turn-on과 스위치 내외부의 인덕턴스로 인한 전압 상승시간의 지연 등의 단점을 가지고 있다. 본 논문에서는 이러한 단점들을 해결하기 위해 기존의 Gap switch대신 전력용 반도체 소자인 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistors) 스위치를 이용한 Marx generator를 제안하고, 제안된 회로의 동작을 구현하기 위해 전력계통용 전자기과도현상 해석프로그램인 EMTP(Electromagnetic Transient Program)를 사용하여 시뮬레이션 하여 IGBT스위치가 이상적인 동작을 할 때 얻어지는 이 점을 알아보기로 한다.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2006.07c
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• pp.1701-1702
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• 2006

기존의 Gap switch를 이용한 Marx generator는 트리거-펄스 발생회로가 따로 필요하여 복잡한 구조를 가질 뿐만 아니라, 스위치의 짧은 수명과 스위치 내부의 스파크전류의 Jitter 현상, 그리고 순차적인 스위치 turn-on과 스위치 내외부의 인덕턴스로 인한 전압 상승시간의 지연 등의 단점을 가지고 있다. 본 논문에서는 이러한 단점들을 해결하기 위해 기존의 Gap switch대신 전력용 반도체 소자인 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistors) 스위치를 이용한 Marx generator를 제안하고, 제안된 회로의 동작을 구현하기 위해 전력계통용 전자기과도현상 해석프로그램인 EMTP(Electromagnetic Transient Program)를 사용하여 시뮬레이션 하여 IGBT스위치가 이상적인 동작을 할 때 얻어지는 이점을 알아보기로 한다.

• Journal of IKEEE
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• v.20 no.3
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• pp.295-298
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• 2016

In this paper, we analysed the properties of the conventional ESD protection devices such as SCR, MVSCR, LVTSCR. The electrical characteristics and the turn-on time properties are simulated by Synopsys T-CAD simulator. As the results, the devices have the holding voltages between 2V and 3V, and the trigger voltage of about 20V with SCR, of about 12V with MVSCR, of about 9V with LVTSCR. The results of the simulation for the turn-on time properties are 2.8ns of SCR, 2.2ns of MVSCR, 2.0ns of LVTSCR. Thus, we prove that LVTSCR has the shortest turn-on time. However, the second breakdown currents(It2) of the devices are 7.7A of SCR, 5.5A of MVSCR, 4A of LVTSCR. This different properties have to be adapted by the operation voltages for I/O Clamps.