• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2011년도 제40회 동계학술대회 초록집
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• pp.457-457
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• 2011

단일벽 탄소나노튜브(SWNTs)는 직경 및 키랄(chiral)특성에 따라 반도체성 튜브와 금속성 튜브로 구분되며, 작은 직경의 SWNTs는 큰 직경의 튜브에 비하여 일반적으로 기계적 특성이 뛰어나다고 알려져 있다. 따라서, 합성하는 단계에서 SWNTs의 직경 및 chiral 특성의 제어가 가능 하게 된다면 전자소자로의 응용을 한층 앞당길 수 있을 것으로 예상하고 있다. 이와 더불어 SWNTs의 수평배향성장은 SWNTs의 집적(integration)을 용이하게 할 수 있기 때문에 향후 나노전자소자 개발을 목표로 최근 많은 연구결과들이 보고되고 있다. 하지만 현재는 SWNTs가 고밀도로 합성되기 때문에, 우수한 개별 (individual) SWNT의 전기적 특성보다는 집단적(ensemble) 특성을 얻고 있다. 따라서, 합성기판 위에서 개별적인 SWNT를 낮은 밀도로 수평배향 성장하는 일은 향후 나노튜브기반의 고성능 전자소자 개발에 중요한 과제이다. 나아가, 수평배향 성장 된 개별 SWNT의 직경 및 키랄 특성까지 함께 제어할 수 있다면 곧바로 응용에 적용할 수 있는 획기적인 기술이 될 것이다. 본 연구에서는, SWNTs의 수평배향도 및 직경을 제어하여 성장시키는 것을 목표로 하였다. 합성기판은 퀄츠를 이용하였고, 합성촉매로는 나노입자의 밀도를 비교적 쉽게 제어할 수 있고, 균일한 크기를 갖는 페리틴 단백질을 이용하였다. 단분산(monodispersion) 된 촉매 나노입자를 얻기 위해서 스핀코팅 조건과 페리틴 용액농도를 조절하여 퀄츠기판 위에 분산시킨 후, 아르곤 분위기 하에 열처리를 통하여 촉매 나노입자의 크기 감소를 유도하였다. 그 결과 열처리 시간이 증가함에 따라 촉매 나노입자의 크기가 감소하는 것을 알 수 있었고, SWNTs의 직경 또한 감소하는 것을 확인하였다. 또한 퀄츠기판 위에 직경제어 합성 된 수평배향 SWNTs를 다른 기판으로 전사하는 기술을 확립함으로써, 향후 SWNTs기반의 소자 제작기술의 바탕을 마련하였다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2001년도 하계학술대회 논문집 C
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• pp.1448-1450
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• 2001

본 연구에서는 알루미늄 마스크를 이용하여 다결정 실리콘 결정립의 수평성장을 유도하는 새로운 엑시머 레이저 어닐링 방법을 제안한다. 제안된 방법은 비정질 실리콘 박막 위에 알루미늄 패턴을 형성하여 선택적으로 레이저 빔을 차단시키고, 액상 실리콘의 열을 금속박막을 통해 방출시킴으로써 다결정 실리콘 결정립의 수평성장을 유도할 수 있다. 제안된 레이저 결정화 방법을 이용하여 최대 1.6${\mu}m$의 수평성장 결정립을 형성하였고, 알루미늄 패턴의 경계로부터 결정립을 성장시킴으로써 결정립 경계의 위치를 제어하였다. 제안된 방법을 이용하여 제작한 다결정 실리콘 박막 트랜지스터는 기존의 다결정 실리콘 박막 트랜지스터에 비해 전계효과 이동도 및 온/오프 전류비 등의 전기적 특성이 우수하였다.

• 한국결정학회지
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• 제7권1호
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• pp.64-72
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• 1996

증기압 제어를 위한 저온부를 없애고, 고온부의 단일 온도영역만으로 GaAs 단결정을 성장 시키는 단일 온도대역 수평 Bridgman(1-T HB: single temperature zone horizontal Bridgman)방식에서는 증기압에 상응할만한 반응관 내부의 압력을 As 초과 유입량의 기화에 의하여 유지해야 하므로 그 양을 정밀하게 결정해 주어야 한다. 이것을 위하여, 우선적으로 Ga-As 계에서의 열화학적 특성을 규명하였고, 이에 근거하여 단일 온도대역 수평 Bridgman 법으로 결정성장할 때의 As 초과 유입량을 GaAs 장입량, 반응관 칫수, 온도구배 등에 의한 일반해로 유도하였다. 따라서 단일 온도대역 수평 Bridgman 법에 의한 GaAs 단결정 성장의 이론적 근거를 마련하였다.

• 한국결정성장학회지
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• 제10권5호
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• pp.350-355
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• 2000

수평 Bridgeman방식으로 성장된 C축 방향의 사파이어 결정기판을 연마 가공하였으며, 또한 유기금속 기상화학 증착 방법으로 사파이어 기판 위에 GaN 박막을 증착하였다. 사파이어 인고트를 성장하여 2인치 사파이어 기판으로 이용하였으며 웨이퍼 절편장치 및 연마장치를 개발하였다. 이러한 다단계의 연마 가공은 기판 표면을 경면화하였다. 표면 평탄도 및 조도는 원자힘현미경으로 측정하였다. 개발된 사파이어 기판위에 성장된 GaN 박막의 특성 및 청색광소자로의 응용 가능성을 확인하였다.

• 한국축산시설환경학회지
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• 제6권3호
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• pp.201-209
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• 2000

수평아리 사체를 이용한 효모의 최적 배양 조건과 효모배양물이 육계의 성장에 미치는 영향을 조사하였다. 수평아리 추출물의 단백질 농도는 72시간 동안 추출되었을 때 가장 높았으며, 수평아리 사체에서 추출물을 얻기 위한 물의 첨가 비율은 수평아리 사체의 무게에 1.5배(v/w ratio)가 적당하였다. 수평아리 사체의 추출물에서 지방은 효모의 성장에 영향을 미치지 못하였다. 수평아리 사체의 추출물과 4% sugarcane molasses로 구성된 SCELP2 배지는 1% yeast extract, 2% bacto pepton 그리고 2% glucose로 구성된 YEPD 배지보다 효모수가 26% 더 증가하였다. 또한 SCELP2 배지에 4% 폐이스트를 첨가한 SBYW2 배지는 SCELP2 배지보다 효모수가 8% 증가하였다. SBYW2 배지에서 배양된 효모배양물을 5주 동안 육계에 급여한 결과 종체량은 4% 첨가구가 대조구보다 9% 증가하였다. 따라서 본 연구 결과 부화부산물로 발생되는 수평아리 사체는 사료용 효모배양물을 생산하기 위한 효모배양 배지의 질소원으로서 이용될 수 있음을 의미한다.

• 대한치과교정학회지
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• 제29권4호
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• pp.503-510
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• 1999

이 연구의 목적은 II급 부정교합의 치료를 위해 경부견인 헤드기어(cervical pull headgear)를 사용할 때, 치료에 불리한 요인으로 작용한다고 언급되는 효과들이 실제로 발현되는지의 여부와 안모의 성장유형에 따라 그 차이가 존재하는 지를 알아 보고자 함에 있다. 이를 위해서 삼성서울병원 치과교정과에서 II급 부정교합으로 진단되어 경부견인 헤드기어로 치료받은 환자중, 성장기에 있으면서 비발치 치료를 받은 환자를 연구대상으로 선별하였다. 그리고 연구대상을 "후안면/전안면 고경비" 에 따라 수직성장군과 수평성장군으로 분류하였다. 수직성장군 15명(남자 5명, 여자 10명)과 수평성장군 11명(남자 4명, 여자 7명)의 치료전, 후의 두부방사선규격사진상에서 SN-PP angle, SN-GoGn angle, SN-MP angle, PFH/AFH ratio, SN to 6, PP to 6 등을 계측하고, 비교분석하여 다음의 결과를 얻었다. 1)수직성장군에서 구개평면이 전하방으로 경사되었다. 2)수평성장군에서 후안면/전안면 고경비가 증가하였다. 3)수직성장군과 수평성장군 모두에서 하악평면각은 변화하지 않았다. 4)상악대구치의 정출양에 있어서 수직성장군과 수평성장군의 차이는 없었다.

• 한국결정성장학회지
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• 제5권4호
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• pp.306-317
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• 1995

수평 브릿지만법은 갈륨 비소 반도체 결정을 성장시키는데 많이 사용된다. 수평 브릿지만 법에 의하여 성장된 단결정 내에서 불순물 분포를 알아보기 위하여 성장 과정 중의 액상에서 열전달, 물질전달, 유체흐름과 고상에서 열전달을 의사 정상상태를 가정하여 2차원 및 3차원 모델을 세우고 유한요소법에 의하여 수치모사하였다. 이때 고-액 계면의 위치와 형태도해의 일부분으로 다른 해들과 동시에 구하였다. 2차원 단열 경계조건에서는 3차원의 계면이 2차원의 경우보다 덜 휘어졌고, 대류 강도는 비슷하였다. 대류강도의 증가에 따라 수직 편석은 최대값을 보였으나 계면이 2차원에서 더 휘어져 최대값은 2차원에서 대류 강도가 더 작을 때 나타났다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2010년도 하계학술대회 논문집
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• pp.222-222
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• 2010

수평성장 방식을 이용하여 다결정 실리콘 리본을 제조하였으며, 제조된 리본의 미세구조 및 결함을 분석하였다. 기존 잉곳 성장 및 절단 공정을 통해 제조된 실리콘 웨이퍼는 절단 중 실리콘의 손살 때문에 단가를 상승 시킨다. 따라서 실리콘 용탕으로부터 직접 웨이퍼를 제조하는 리본 기술이 활발히 연구되고 있다. 본 연구에서는 수명 성장 법을 이용하여 용융 실리콘으로부터 다결정 실리콘 리본을 제조 하였다. 제조 된 리본의 크기$50{\times}50$ mm였으며 두께는 $375{\pm}50{\mu}m$ 이었다. 또한, 미세구조 분석 결과 결정들의 형상이 불규칙적 이었으며, 바닥에서부터 윗부분까지 한 방향으로 성장되었다. 수직성장된 결정들의 평균 입경은 $50.2{\mu}m$ 이었다. 전위 (dislocations ), 이중(twins), 그리고 기공 (pores) 같은 구조적 결점들과 SiC, 탄소, 그러고 산소와 같은 불순물 결함 등이 관찰 되었다. 본 연구를 통해 제조된 다결정 실리콘 리본은 태양전지용 웨이퍼로 응용 가능 할 것으로 판단된다.

• 한국결정성장학회지
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• 제6권1호
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• pp.19-31
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• 1996

갈륨 비소 반도체 결정을 성장시키는 데 많이 사용되는 수평브렷지만법에 의하여 성장된 갈륨비소 단결정 내에셔 불순물 분포를 알아보기 위하여 액상에서 열전달, 물질전달, 유 체흐름과 고상에서 열전달을 묘사하는 과도기 모탤을 수립하였고 유한요소법과 음함수 척분법 에 의하여 수치모사를 행하였다. 그 결과 Gr이 작은 경우에는 확산조절성장의 특성을 보였으며 G Gr이 1,700 정도만 되어도 농도의 최소값이 계면 근처로 이동하였다. 응고가 진행됨에 따라 계 면의 곡률이 증가하였고, 흐름에 의한 혼합이 안정될 때까지 수직편석이 증가하였다. 수펑편석 은 응고가 진행됨에 따라 증가하였지만 흐름의 강도가 강한 경우에는 곧 일정하게 유지되였다. G Gr이 아주 작거나 큰 경우에는 Smith식과 Scheil식의 경우와 잘 일치하였다.

• 한국패류학회지
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• 제29권4호
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• pp.273-281
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• 2013

갯벌양식 굴의 생산성을 향상시키고자 2011년 9월부터 12월까지 어장환경이 서로 상이한 해면 가두리 중간육성장에서 성장과 폐사를 비교하고 2012년 1월 갯벌 수평망식 본양성장에 이식하여 7월까지 조간대 노출시간 별 갯벌양식 굴의 순응 결과를 조사하였다. 해면 가두리 중간육성장의 경우 각 양식장간에 수온과 영양 염류를 제외한 환경요소가 뚜렷한 차이가 없음에도 불구하고 참굴의 성장에 차이가 있었다. 해면 가두리 중간육성장의 수온은 원산도리에서 가장 높게 나타났고 염분은 세 지역 모두 안정적인 변화 양상을 보였으며 Chlorophyll-a 농도는 수온과 비례하는 경향을 보였다. 갯벌지역의 수온은 해면지역에 비해 변화 폭이 큰 것으로 나타났다. 해면 가두리 중간육성장 갯벌 양식 굴의 성장은 원산도리, 창리, 파도리 순으로 나타났으며 시간이 지남에 따라 성장이 감소하였다. 갯벌 수평망식 본양성장 갯벌양식 굴의 성장은 3시간, 1시간, 5시간 대기노출 순으로 나타났으며, 수온과 밀접한 관계가 있었다. 수온이 $5^{\circ}C$ 이하로 내려간 1월에는 성장이 크게 낮아졌으나 폐사율의 뚜렷한 경향은 보이지 않았고, 수온이 올라가는 3월부터 성장률이 증가하였으나 월평균 수온의 변동폭이 높았던 4-6월에 폐사율이 급증하였다. 한편, 해면 가두리 중간육성장에서 수용한 참굴은 각장 대비 각고가 길게 성장하는 경향을 보였으나 다시 갯벌 수평망식 본양성장에 이식 후 수용하면서 각고 대비 각장이 크게 성장하였다.