• 대한전기학회논문지:전기물성ㆍ응용부문C
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• 제52권12호
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• pp.559-561
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• 2003

We report a new excimer laser annealing method which successfully results in a single grain boundary formation in the channel of polycrystalline silicon thin film transistor. The proposed method is based on lateral grain growth and employs aluminum patterns which act as selective beam mask and lateral heat sink. The maximum grain size obtained by the proposed method is about 1.6${\mu}{\textrm}{m}$ in the length. The grainboundaries should be arranged parallel with the direction of current flow for the best device performance, so we propose a new device fabrication method and a new poly-Si TFT structure. Poly-Si TFT fabricated by the proposed method exhibits considerably improved electrical characteristics, such as high field effect mobility exceeding 240 $cm^2$/Vsec.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2001년도 추계학술대회 논문집 전기물성,응용부문
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• pp.106-108
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• 2001

본 실험에서는 플라즈마 화학기상증착(PECVD)으로 증착한 비경질 실리콘(amorphous silicon, a-Si) 박막에 국부적으로 Si+ 이온을 주입한 후 엑시머 레이저 어닐링(exicimer laser annealing, ELA)을 수행하여 그레인의 수평 성장(lateral growth)에 미치는 영향을 관찰한다. Si+ 이온 주입은 비정질 실리콘 박막의 원자 결합 에너지를 효과적으로 감소시키는 역할을 하여 박막이 녹기 시작하는 문턱(threshold) 에너지가 $105mJ/cm^2$에서 $85mJ/cm^2$ 까지 낮아지는 것을 확인하였다. 결과적으로 선택적인 Si 이온 주입을 통해 비정질 박막의 결정화 시 온도 구배에 의한 결정핵(nucleation) 형성의 차이를 유발시킴으로써 위치 제어가 가능한 1um 크기를 갖는 수평 성장 그레인을 얻었다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2002년도 하계학술대회 논문집 C
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• pp.1410-1412
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• 2002

TFT의 게이트 전극을 형성하기 전에 소오스/드레인 이온 주입과 ELA를 수행함으로써 이온 주입에 의해 발생하는 결정 결함을 줄이는 새로운 poly-Si TFT를 제안한다. 한번의 ELA 공정을 통해서 채널 실리콘 박막의 결정화와 소오스/드레인의 불순물 활성화를 동시에 이루어 접합부의 결함을 치유하였고, 이온 주입에 의해서 비정질화된 소오스/드레인 실리콘과 채널 비정질 실리콘의 용융조건 차이를 이용하여 소오스/드레인 접합부에 실리콘 그레인의 수평성장을 유도하였다. 제안된 소자는 기존의 소자(이동도 : 86 $cm^2/V{\cdot}S$, ON/OFF 전류비 $6.1{\times}10^6$)에 비해 우수한 특성(이동도 : 171 $cm^2/V{\cdot}S$, ON/OFF 전류비 $4.1{\times}10^7$)을 나타내었다. LDD나 off-set 구조 없이도 소오스/드레인 접합부의 결함이 완전히 제거되어 누설전류가 감소하였고 소오스/드레인 접합부 결함이 있던 자리에 1 ${\mu}m$ 이상의 수평성장 그레인이 위치함으로써 ON 전류도 증가하여 ON/OFF 전류비가 크게 개선되었다.

• 암석학회지
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• 제19권4호
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• pp.283-292
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• 2010

국보 제34호 창녕 술정리 동삼층석탑에는 다수의 수직, 수평, 대각선 균열이 발달하고 있으며, 일부 부재들이 떨어져 나감에 따라 이에 대한 보존처리가 시급한 실정이다. 이 석탑은 중립질이며 등립질 조직을 나타내는 담홍색의 흑운모 화강암을 석재로 사용하였다. 석재에 대한 전암대자율 측정결과 2~9(${\times}10^{-3}$ SI unit) 사이의 값을 가지며, 감마스펙트로미터 측정결과 K는 3~7%, eU는 8~19 ppm, eTh는 11~35 ppm의 범위를 가진다. 석탑이 위치한 인근 화왕산 일대에 분포하는 흑운모 화강암과 석탑의 석재에 대한 암석기재적 특징, 전암대자율 및 감마스펙트로미터 측정 자료를 비교 분석한 결과, 화왕산 서쪽 사면의 등립질 흑운모 화강암이 석탑부재와 가장 유사한 암석으로 판단된다. 석탑에는 수직, 수평 및 대각선 균열이 발달하고 있는데 주로 석탑 하부인 기단부와 1층 탑신을 이루는 부재들에 집중되어 나타난다. 석탑에 사용된 석재는 원래부터 리프트 결과 그레인 결의 방향으로 미세균열이 잘 발달된 암석으로 이 두 결이 균열성장과 그에 따른 손상을 야기한 것으로 판단된다. 수직 균열은 주 압축응력에 평행한 방향으로 석재의 미세균열이 성장한 결과로 해석되는 반면 수평 균열의 경우 주 압축응력에 대한 반발 인장력이 균열의 성장을 촉진시킨 것으로 해석할 수 있다. 한편, 상하 대각선 방향의 균열은 리프트 결과 그레인 결이 부분적으로 사교하면서 나타나는 양상으로 해석된다.

• 헤리티지:역사와 과학
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• 제46권2호
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• pp.136-149
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• 2013

보물 제499호로 지정되어 있는 낙산사 칠층석탑에 대해 표면풍화로 인한 표면균열 발달 양상을 연구하였다. 이 석탑의 석재는 흑운모 화강암과 각섬석-흑운모 화강암으로, 중립질 이상의 입자크기와 회백색을 띄며 특징적으로 거정의 장석 반정을 수반하는 반상조직이 나타난다. 석탑에 나타나는 표면균열은 기단부 및 1층 탑신에서 많이 관찰되며, 대부분 수직, 수평, 대각선 방향으로 발달하고 있다. 석탑에 사용된 석재 내부의 미세균열은 원래부터 리프트 결과 그레인 결의 방향으로 잘 발달한 것이며, 이 두 결이 균열성장과 그에 따른 손상을 야기한 것으로 판단된다. 이와 더불어 석탑에서 나타나는 수직균열은 탑의 자체 하중에 의한 압축응력과 평행하게 미세균열이 성장하였으며, 수평균열은 주 압축응력에 대한 반발 인장력이 균열의 성장을 촉진시킨 것으로 판단된다. 한편, 석탑의 남동쪽 부재 탈락은 압축과 인장에 의한 것과 더불어 거정질 알칼리장석 반정의 벽개와 쌍정면의 영향으로 인해 발생한 것으로 해석된다.