수직 Bridgman법에 의한 InSe 단결정의 성장 및 Sn 도핑에 따른 전기.광학적 특성에 관한 연구 (A study on the growth and electrical-optical characteristics of undoped-InSe and Sn-doped Inse single crystals by vertical bridgman method)
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- 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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- 한국전기전자재료학회 1999년도 춘계학술대회 논문집
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- pp.481-484
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- 1999