• Journal of the Korean Chemical Society
• /
• v.21 no.5
• /
• pp.307-319
• /
• 1977

The crystal structure of $N-({\alpha}-dimethyl\;{\beta}-hydroxy)ethyl\;N'-cyclohexyl\;thiourea,\;C_{ll}H_{22}N_2OS)$, has been determined by X-ray diffraction method. The compound crystallizes in the orthorhombic space group Pbca with a = 10.33(3), b = 11.82(3), c = 22.57(4)${\AA}$ and Z = 8. A total of 1414 observed reflections collected by the Weissenberg photographs and was solved by heavy atom method and refined by block diagonal least-squares methods to the R value of 0.13. The cyclohexane ring has a normal chair conformation and the thiourea unit is planar. The primary alcoholic group O-H bonded to C(l) makes an intramolecular hydrogen bond with N(2), which leads to stablize the molecule. There are two independent hydrogen bonds in the structure. One of them is of the type N-H${\cdot}{\cdot}{\cdot}$O intramolecular hydrogen bond with the length 2.71${\AA}$, another is of the type O-H${\cdot}{\cdot}{\cdot}$S intermolecular hydrogen bond with the length 3.21${\AA}$ parallel to the b axis. Apart from the hydrogen bonding system the molecules are held together by van der Waals forces in the crystal.

• Journal of the Korean Magnetics Society
• /
• v.11 no.4
• /
• pp.146-150
• /
• 2001

The effect of H$_2$ content in Ar sputtering gas on exchange coupling field(H$_{ex}$) for NiFe/FeMn interface was studied. When NiFe layer of Si(100)/Ta(50 $\AA$)/NiFe(60 $\AA$)/FeMn(250 $\AA$)Ta(50 $\AA$) was deposited at 8% H$_2$ in sputtering gas, the maximum exchange coupling field(H$_{ex}$) and minimum coercivity(H$_{c}$) were obtained. When Si(100)/Ta(50 $\AA$)/NiFe(60 $\AA$)/FeMn(250 $\AA$)/NiFe(70 $\AA$)/Ta(50 $\AA$) was deposited at 5% H$_2$ in sputtering gas, the maximum exchange coupling field(H$_{ex}$) of 148 Oe was obtained. The (111) preferred orientation and grain size of underlayer NiFe were increased and the internal stress was reduced by H$_2$ in sputtering gas. And the (111) preferred orientation and grain size of FeMn layer were also increased.d.ased.

• Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
• /
• v.29 no.6
• /
• pp.239-244
• /
• 2019

Two hydrogenation surface modifications, namely hydrogen atmosphere heat treatment and hydrogen plasma treatment, were found to lead to improved dispersion of nanodiamond (ND) seed particles and enhanced nucleation density for deposition of smooth ultrananocrystalline diamond (UNCD) film. After hydrogenation, the C-O and O-H surface functionalities on the surface of nanodiamond particles were converted to the C-H surface functionalities, and the Zeta potential was increased. As the degree of dispersion was improved, the size of nanodiamond aggregates decreased significantly and nucleation density increased dramatically. After hydrogen heat treatment at 600℃, average size of ND particles was greatly reduced from 3.5 ㎛ to 34.5 nm and a very high nucleation of ~3.9 × 10¹¹ nuclei/㎠ was obtained for the seeded Si surface.

• Journal of the Korean Chemical Society
• /
• v.36 no.5
• /
• pp.627-631
• /
• 1992

A simple one dimensional model was proposed to describe a hydrogen bonding in crystals, which was based on the Lippincott's empirical potential. The model was used to calculate internal stretching vibrational frequencies of $NH_4I$ crystal at high pressures. The calculated results were in agreement with Raman experimental results qualitatively. At relatively lower high pressures, as pressure increases internal stretching vibrational frequencies shift lower due to increase of the hydrogen bonding effect. At higher pressures, the frequencies shift higher due to the repulsive contribution of interatomic potential induced by the reduction of interatomic distance as pressure increases.

• Proceedings of the Korea Crystallographic Association Conference
• /
• 2002.11a
• /
• pp.21-21
• /
• 2002

극축을 따라 나타나는 결정학적 이방성이 결정성장에 미치는 영향을 알아보기 위해서 SiO₂막 위에서 GaN 미소결정들을 성장시켰다. 미소결정을 구성하는 면들은 PBC이론이 예측한 바와 같이 {10-11], {0001}, {10-10}이었다. 극축인 c축을 따라서 현저한 성장의 이방성을 관찰할 수 있었으며 (0001)면이 매우 빨리 성장 하여 사라지는 현상을 확인하였다. 이것은 sp3결합에서 나타나는 고립전자쌍이 (000-1)면의 성장을 저지함으로서 나타나는 현상이라고 생각된다. 성장 중 결정표면의 전자상태에 따라 수소흡착이 일어날 수 있는데, 특히 {10-11}면과 같은 한 개의 전자로 이루어진 sp3결합 팔은 매우 많은 양의 수소를 흡착하여 {10-11}면의 성장을 저지한다. 따라서 ＋c축 방향의 경우 빨리 성장하고 수소흡착을 위한 전자가 없는 (0001)면 대신 {10-11}면이 외형상 매우 중요한 면으로 나타나게 된다. 저온에서는 {10-10}, {10-12}면들도 나타났으며 극축을 따라 나타나는 쌍정을 대부분의 미소결정 성장과정에서 관찰 하였다. r-plane 사파이어 기판 위에서 성장시킨 GaN 미소 결정을 통하여 극성과 GaN의 성장속도 차이를 확인할 수 있었다.

• Journal of the Korean Vacuum Society
• /
• v.10 no.2
• /
• pp.194-200
• /
• 2001

In this study, the optical properties of diamond-like carbon(DLC) films, which was synthesized by 13.56 MHz rf plasma enhanced chemical vapor deposition system(PECVD), were investigated. We observed the variation of the transmittance and optical band gap with respect to deposition condition. The change of the transmittance and optical band gap of the DLC films were investigated as a function of RF power, working pressure, and additional gas. The optical band gap decreased with the increase of RF power and working pressure. We could verify the bond structures change of DLC films by observing the content of hydrogen using FT-IR spectroscopy. And the addition of hydrogen and nitrogen decreased the optical band gap by the breakage of C-H bond of DLC films during the deposition.

• Korean Journal of Crystallography
• /
• v.2 no.2
• /
• pp.28-31
• /
• 1991

4-크로로-4'-메톡시-2-니트로디페닐아민, (C12H11N2O3CL, FW=278.70)의 단것세포 상수는 a=8,169(3), b=8.883(1), c=9.150(1) h, α =82. 98(1), β=104.80(2), y=101.43(2)", V=627.3 A3, F(000)=288.0, Dc=1.48g/cm3, u=3.06cm-1, 7=295" K, 공간군 Pi, 번호 2, 삼사 정계 이며, Z=2이다. λ (Mo-Ka)=0.7107A을 사용 하여 수집한 독립적인 회절 반점 1541개로 구조분 석한 최종 신뢰도 값은 각각 R=0.032, Rw=0.033 이며, S=0.46이다. 본 화합물은 암모니아의 두개 의 수소 대신에 4-크로로-페닐기와 4-메톡시-페닐기로 치환된 물질로써, 질소와 두 페닐기 사이의 각과 결합거리 들은 각각 125.42", 1.362 및 1.428 A 인바 수소와 함께 SP2_혼성결합을 하고있다. 질소를 포함한 두 면간 각은 63.29"이다. 분자간 어 떠 한 수소결합을 하고 지지 않다.

• Applied Chemistry for Engineering
• /
• v.4 no.2
• /
• pp.409-415
• /
• 1993

A potential function is applied to a hydrogen bonded system such as O-H---O and is slightly modified to provide a good understanding of a range of data. The use of this model requires a knowledge of terms describing the Van der Waals repulsion and the electrostatic interaction and the determination of these terms form the equilibrium conditions is described. Using this simple model, it will be shown that the relationship between the frequency shift and enthalpy of hydrogen bond formation is predicted to be linear and this is in reasonable agreement with experimental results in the literature.

• 한국신재생에너지학회:학술대회논문집
• /
• 2009.06a
• /
• pp.782-786
• /
• 2009

Thiocapsa roseopersicina NCIB 8347은 purple sulfur bacteria이며 광합성종속영양 조건에서는 nitrogenase 효소계가 유도되어 질소를 고정하며, 수소를 발생한다. 또한 광합성독립영양 조건에서는 hydrogenase 효소계가 유도되어 3~4개 종류의 특성이 다른 hydrogenase가 membrane에 결합되어 있거나, cytoplasma에 존재하며, 이 중의 일부는 산소농도와 온도의 상승에도 비교적 안정하다. 본 연구에서는 T. roseopersicina NCIB 8347이 광합성종속영양 조건에서 수소를 생산할 수 있는 제반 배양조건을 최적화하고, nitrogenase와 일부 hydrogenase역가를 측정하여 purple non-sulfur bacteria, Rhodobacter sphaeroides KD131의 nitrogenase와 비교하여 수소생산을 최적화하였다. 할로겐램프를 8-9 $Klux/m^2$로 조사할 때와 배양온도 $26{\sim}30^{\circ}C$, 배양시간 72시간에서 균체 성장과 수소생산이 가장 높았다. T. roseopersicina NCIB 8347는 광합성 독립영양, 종속영양 조건에서 모두 성장 할 수 있었다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
• /
• 1997.02a
• /
• pp.68-68
• /
• 1997

pp-typpe Si(100) Metal-Oxide-Semiconductor(MOS) 구조에서 산화막과 실리콘 사이의 계면상태 및 결함상태를 Isothermal Cappacitance Transient Sppectroscoppy (ICTS)방법을 이용하여 조사하였다. 특히 pplasma를 이용한 수소화이후 이 구조의 계면상태와 결함상태의 변화를 연구하였다. 상온에서 수소화한 MOS 구조의 경우 결함 상태의 농도가 급속히 감소함을 알 수 있었다. 이 구조에서 나타나는 모든 결함상태의 농도가 급격하게 감소하는 반면에, 수소화에 의한 새로운 깊은준이 결함상태도 관측되었다. 이 깊은 준위 결함 상태는 가전자대 위로부터 0.38eV 위치에 존재하였으며, 열적으로 안정된 결함상태로서, 해리에너지가 2.15$\pm$0.05 eV 이었다. 수소화이후 나타난 이 결함상태는 수소 플라즈마에 의해 구속된 Si원자가 수소원자와 결합하여 outdiffusion함으로 나타난 결함상태로 생각된다.