• ESCO지
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• 통권64호
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• pp.36-39
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• 2010

에너지, 열병합, ESCO에 대해 조금이라도 관심을 지닌 이들이라면 한 번쯤은 들어봤을 이름. 손학식 박사가 에너지관리본부장으로 새로 취임했다. 저탄소, 녹색성장과 연계한 사업을 확장해 나가고, 모든 기업에게 도움이 되는 제도를 마련해 나가며, 후배 양성에 힘을 쏟을 것임을 천명한 손 본부장. 에너지관리본부를 새롭게 이끌어 나갈 리더, 손학식 본부장을 만나보았다.

• 건축사
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• 통권482호
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• pp.11-11
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• 2009

• 정보화사회
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• 통권108호
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• pp.48-51
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• 1996

우리의 전자산업은 빠른 속도로 변하고 있다. 과거에는 컴퓨터, 통신, 반도체를 전자산업의 핵심으로 보고 있었으나 최근에는 양상이 바뀌고 있다. 과거에는 컴퓨터는 컴퓨터 산업대로 성장을 해왔고, 통신은 통신대로 성장을 해왔으나 최근에는 컴퓨터와 커뮤니케이션이 통합이 되어 어떤 것이 컴퓨터고 어느 것이 커뮤니케이션인지 구분이 가지 않을 정도로 통합이 되고 있다.

• TTA 저널
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• 통권170호
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• pp.108-109
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• 2017

인간은 왜 모여서 살까? 서로가 필요하기 때문이다. 혼자 모든 것을 다 하면서 살 수는 없다. 개인의 경제활동이 그러한데 기업의 경제활동도 마찬가지다. 서로 경쟁할 때가 많지만 경쟁사끼리도 때로 손을 잡아야 할 때도 있다. 서로 서로 좀 더 큰 이익을 창출해 나누기 위해 손을 잡는 '전략적 제휴'는 예전부터 있어왔지만, 이제 기업환경은 일시적 제휴가 아닌 지속적 성장 가능성을 내다본 협업이 대세다.

• 한국방사선학회논문지
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• 제9권6호
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• pp.349-356
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• 2015

본 연구는 TW3법에서 골성숙 가중치가 가장 높은 7부위를 선정하여 성장판과 골 말단부 사이의 길이를 측정하여 연령과의 상관관계를 알아보고자 하였다. 실험은 2014년 3월에서 2015년 3월까지 성장판검사를 시행한 소아 72명(남 36명, 여 36명)을 대상으로 하였으며, 소아 손 전후영상에서 성장판과 골 말단부 사이의 길이를 측정하여 회귀분석을 하였다. 그 결과 각 연령마다 특정범위에 상응하는 평균과 표준편차 값이 나타났으며, 연령이 증가할수록 성장판과 골 말단부 사이 길이가 감소하였다. 또한 여아가 남아에 비해 평균값이 작게 나타났으며, 회귀분석 결과에서 성장판과 골 말단부 부위 측정 길이와 연령이 통계적으로 유의(p<0.001)한 것으로 나타났다. 따라서 소아 손 전후영상에서 TW3법의 응용을 통한 회귀방정식으로 골연령의 예측이 가능함을 알 수 있었다.

• 한국반도체및디스플레이장비학회:학술대회논문집
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• 한국반도체및디스플레이장비학회 2005년도 추계 학술대회
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• pp.63-67
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• 2005

Pentacene channel OTFT(organic thin film transistor)을 SiOC 절연박막 위에서 film by thermal evaporation 방법을 이용하여 성장시켰다. CVD 방법으로 증착시킨 SiOC 절연막은 조성비에 따라 특성이 달라지므로 절연막 위에서의 펜타센의 화학적 반응을 조사하기 위해서 inorganic-type인 $O_2/(BTMSM\;+\;O_2)$ = 0.5의 비율을 갖는 SiOC 박막을 사용하였다. 팬타센 분자의 말단에서 SiOC 표면에서 Diels-Alder 반응에 의한 이중결합이 깨어지면서 안정된 성장을 하지만 온도가 높아감에 따라 표면에서의 $SN_2$(bimolecular nucleophilic substitution) 반응과 연쇄적인 화학반응에 의해 팬타센의 성장을 방해하는 것으로 나타났다.

• 한국재료학회:학술대회논문집
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• 한국재료학회 2003년도 춘계학술발표강연 및 논문개요집
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• pp.105-105
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• 2003

InGaN/GaN MQW 구조는 청색 및 녹색 범위의 밴드 갭을 가지는 반도체로 최근 LED 및 LD 제조 등에 이용되고 있다. InGaN/GaN MQW은 InGaN와 GaN의 최적 성장온도의 중간온도에서 실행된다. InGaN와 GaN는 최적 성장온도의 차이가 크므로 중간온도에서 성장 시에 많은 결함이 생긴다. 성장온도가 높으면 InN가 분해되고 낮을 경우에는 질소의 결핍이 일어난다. 최적성장온도의 선택이 매우 중요한 문제로 주목되었다. Si 도핑으로 중간온도 성장 시에 형성되는 결함을 감소시키고 광학적 특성을 향상시킨다고 보고되었다. 그러나, Si 도핑효과에 대한 구체적이고 체계적인 연구는 부족한 실정이다. MQWs 구조의 GaN 장벽층에 미치는 성장온도와 Si 도핑 효과를 이해하기 위해서는 고온에서 성잠시킨 GaN박막(HT-GaN) 위에 중간온도에서 성장된 GaN 에피층(IT-GaN)의 구조에 관한 연구가 선행되어야한다. 본 연구에서는 HT-GaN 위에 성장된 GaN 에피층에 미치는 성장 온도와 Si 도핑 효과에 관해 연구하였다.

• 대한방사선방어학회:학술대회논문집
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• 대한방사선방어학회 2011년도 추계 학술발표회 및 심포지엄
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• pp.156-157
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• 2011

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 1995년도 제9회 학술발표회 논문개요집
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• pp.34-34
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• 1995

• 자연과 농업
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• 제26권3호통권206호
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• pp.14-17
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• 2005