Sol-Gel 법으로 형성한 $Ta_{2}O_{5}$ 게이트 ISFET의 pH 드리프트 특성
(pH-Drift Characteristics of Sol-Gel-Deposited $Ta_{2}O_{5}$ -Gate ISFET)
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- 센서학회지
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- 제5권2호
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- pp.15-20
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- 1996