• Korean Journal of Materials Research
• /
• v.3 no.2
• /
• pp.166-174
• /
• 1993

Abstract The crack resistance of PSG(Phosphosilicate Glass) and PE-SiN(Plasma Enhanced CVD S${i_2}{N_4}$)films deposited on aluminium thin films on Si substrate was analyzed in this study. PSG was deposited by AP-CVD and PE- SiN by PE-CVD. All the films underwent repeated heat cycles at 45$0^{\circ}C$for 30 min. Crack formation and development were examined between each heat cycle. The crack behavior was found to be closely related to the stresses in the films. The stress induced by the difference in thermal expansion behavior between the passivation layers and underlying aluminum film may cause the crack. Crack resistance decreases as the thickness of PSG films increases due to the high tensile stress of the films. Phosphorus in the PSG films releases tensile stress and consequently the stress of the films tends to show compressive stress. As a result, crack resistance increased as the concentratin of P in the PSG films increased. Crack resistance in the PE-SiN films also increased with compressive stress. An experimental model to predict crack generation in the PSG and PE-SiN films during heat cycle was suggested.

• The Journal of Korean Institute of Communications and Information Sciences
• /
• v.18 no.4
• /
• pp.549-560
• /
• 1993

A simple closed form approximation is developed by a new approach presented in this paper for the microstrip surface dyadic Green's function which arises in the problem of an electric current point source on an infinite planar grounded dielectric substrate. This closed form approximation includes the effects of the space wave, the surface wave and their coupling within the transition region near the source, and remains accurate as near as $0.1{\pi}_1$ from the source point for a substrate thickness as large as $0.04{\pi}_1$, where, ${\pi}_1$, is the free space wavelength, This result can significantly facilitate the rigorous moment method analysis of microstrip antenna arrays on relatively this substrates of practical interest. Numerical results illustrating the accuracy of the closed form approximation are presented and CPU times associated with some mutual impedance calculations are also included.

• The Journal of the Institute of Internet, Broadcasting and Communication
• /
• v.22 no.6
• /
• pp.149-154
• /
• 2022

Due to high power capabilities and high linearity of GaN devices, GaN Low-Noise Amplifiers (LNAs) without a limiter can be implemented in order to improve noise figure and reduce chip area in radar receivers. In this paper, a GaN LNA is presented for Ka-band radar receivers. The designed LNA was realized in a 150-nm GaN HEMT process and measurement results show that the voltage gain of >23 dB and the noise figure of <6.5 dB including packaging loss in the target frequency range. Under the high-power stress test, measured gain and noise figure of the GaN LNA is degraded after the first stress test, but no more degradation is observed under multiple stress tests. Through post-stress noise and s-parameter measurements, we verified that the GaN LNA is resilient to pulsed input power of ~40 dBm.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
• /
• 2009.11a
• /
• pp.18-18
• /
• 2009

최근 다양하게 연구되고 있는 무분극(nonpolar) 갈륨질화물(GaN) 소재는 자발분극(spontaneous polarization) 및 압전분극(piezoelectric polarization) 등이 발생하지 않아 높은 내부양자효율의 확보가 가능하며, 이러한 장점을 바탕으로 고효율 특성을 갖는 발광다이오드(light-emitting diode) 및 고속 전자소자 등으로의 적용을 위한 연구가 활발히 수행 중 이다. 하지만, 무분극 GaN LED의 구현 시, GaN 박막의 비등방성 성장으로 인한 박막의 막질 저하와 함께 표면에 혼재하는 Ga층과 N층에서 기인되는 절연층의 생성으로 인한 오믹전극 형성의 어려움이 대두되고 있다. 따라서, 고효율의 무분극 GaN LED 구현을 위해서는 무분극 GaN층의 질소층 제거를 위한 표면처리 공정과 더불어 금속/무분극 GaN층 간 발생되는 쇼트키 장벽층의 높이(Schottky barrier height)를 제어하는 연구가 선행되어야 한다. 본 논문에서는 무분극 GaN LED 적용을 위한 n-형 전극물질 및 오믹조건 구현을 위한 금속/무분극 GaN층간 SBH의 제어방법에 대한 연구를 수행하였다.

• Proceedings of the KIEE Conference
• /
• 2011.07a
• /
• pp.2166-2167
• /
• 2011

급격히 증가해온 사고전류로부터 전력망을 보호하기 위한 해결책으로 초전도 한류기가 제시되어 왔다. 초전도체의 영저항 특성을 이용한 초전도 한류기는 정상상태시 무손실로써 동작하기 때문에 전력 공급의 효율성을 저하시키지 않는 장점이 있다. 이러한 초전도 한류기를 전력망에 적용하기 위해서는, 용량증대의 문제가 우선적으로 해결되어야 하는 바, 초전도 소자의 직 병렬 연결과 더불어 변압기를 이용한 여러 타입의 초전도 한류기가 제시 및 연구되어 왔다. 본 논문에서는 변압기형 초전도 한류기와 자속결합형 초전도 한류기를 구성하여 단락사고 발생시 각 초전도 한류기의 회복성능을 비교 분석 하였다. 각 초전도 한류기는 사고전류 제한 동작특성에 따라 회복시간의 차이를 보였다.

• Transactions of the Korean Society for Noise and Vibration Engineering
• /
• v.22 no.9
• /
• pp.817-824
• /
• 2012

Transmission of unwanted vibration to sensitive systems can cause various problems including performance degradation and system malfunction. The most common approach to limit the transmission of harmful vibration disturbances to the sensitive system is adapting passive vibration isolator. The classical passive vibration isolator comprising a viscous damper and spring element in parallel, however, exhibits conflicting performance characteristics in that low amplification at the resonance, which is desirable, can only be achieved at the sacrifice of vibration isolation performance in high frequency region, which is undesirable. In this paper, vibration isolation characteristics of various passive isolator schemes in literature to circumvent this conflict are introduced and compared.

• Proceedings of the Korean Society for Noise and Vibration Engineering Conference
• /
• 2012.04a
• /
• pp.232-237
• /
• 2012

Transmission of unwanted vibration to sensitive systems can cause various problems including performance degradation and system malfunction. The most common approach to limit the transmission of harmful vibration disturbances to the sensitive system is adapting passive vibration isolator. The classical passive vibration isolator comprising a viscous damper and spring element in parallel, however, exhibits conflicting performance characteristics in that low amplification at the resonance, which is desirable, can only be achieved at the sacrifice of vibration isolation performance in high frequency region, which is undesirable. In this paper, vibration isolation characteristics of various passive isolator schemes in literature to circumvent this conflict are introduced and compared.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
• /
• 2012.02a
• /
• pp.358-359
• /
• 2012

최근 분극 특성이 상이한 무분극 GaN 에피성장에 관한 심도 있는 연구와 함께 전자-전공 캐리어의 주입 및 캐리어의 거동, 방출되는 편광 특성 및 다양한 물리적 특성들에 대해 보고되고 있으며, 광학적 특성 및 물리적 특성의 확보를 위한 많은 연구가 활발히 진행 중이다 [1]. GaN의 ohmic 접촉(ohmic contact)의 형성은 발광 다이오드(light emitting diode), 레이저 다이오드(Laser), 태양전지(solar cell)와 같은 고신뢰도, 고효율 광전자 소자를 제조하기 위해서는 매우 중요하다 [2]. 그러나 이와 함께 병행 되어야 할 무분극 p-GaN 의 ohmic contact에 관한 연구는 많이 이루어지고 있지 않는 실정이다. 따라서 본 논문에서는 r-plane 사파이어 기판 상에 성장된 p-GaN에서의 ohmic 접촉 형성 연구를 위하여 Ni/Au ohmic 전극의 접촉저항 특성을 연구하였다. 본 실험에서는 성장된 a-plane GaN의 Hole농도가 $3.09{\times}1017cm3$ 인 시편을 사용하였다. E-beam evaporation 장비를 이용하여 Ni/Au를 각각 20 nm 그리고80 nm 증착 하였으며 비접촉저항을 측정하기 위해 Circle-Transfer Length Method (C-TLM) 패턴을 사용하였다. 샘플은 RTA (Rapid Thermal Annealing)를 사용하여 $300^{\circ}C$에서 $700^{\circ}C$까지 온도를 변화시키며 전기적 특성을 비교하여 그림 1(a) 나타내었다. 그림에서 알 수 있듯이 $400^{\circ}C$에서 가장 낮은 비접촉저항 값인 $6.95{\times}10-3{\Omega}cm2$를 얻을 수 있음을 발견하였다. 이 때의 I-V curve 도 그림1(b)에 나타낸 바와 같이 열처리에 의해 크게 향상됨을 알 수 있다. 그러나, $500^{\circ}C$ 이상 온도를 증가시키면 다시 비접촉 저항이 증가하는 것을 관찰하였다. XRD (x-Ray Diffraction) 분석을 통하여 $400^{\circ}C$ 이상열처리 온도가 증가하면 금속 표면에 $NiO_2$가 형성되며, 이에 따라 오믹특성이 저하 된다고 사료된다. 또한 $Ni_3N$의 존재를 확인 하였으며 이는 nonpolar surface의 특성으로 인해 nitrogen out diffusion 현상이 동시에 발생하여 계면에는 dopant로 작용하는 질소 공공을 남기고 표면에 $Ni_3N$을 형성하여 ohmic contact의 특성이 저하되기 때문인 것으로 사료된다.

• Proceedings of the Korean Powder Metallurgy Institute Conference
• /
• 2001.11a
• /
• pp.28-28
• /
• 2001

$Bi_2Te_3$계 열전반도체 재료는 200 ~ 400K 정도의 저온에서 에너지 변환 효율이 가장 높은 재료로서 열전냉각 및 발전재료로 제조볍 및 특성에 관한 많은 연구가 진행되어 왔다. 전자냉각 모듈의 제조에는 P형 및 N형 $Bi_2Te_3$계 단결정이 주로 사용되고 있으나. $Bi_2Te_3$ 단결정은 C축에 수직한 벽개면을 따라 균열이 쉽게 전파하기 때문에 소자 가공사 수윤 저하가 가장 큰 문제점으로 지적되고 있다. 이에 따라 최근 열전재료의 가공방법에 따른 회수율 증가 및 열전특성 향상에 관한 열간압출, 단조와 같은 연구가 활발히 이루어지고 있다. 본 연구는 가스분사법(gas atomizer)을 이용하여 용질원자 편석의 감소, 고용도의 증가,균일고용체 형성, 결정립미세화 둥 급속응고의 장점을 이용하여 화학적으로 균질한$Bi_2Te_3$계 열전재료 분말을 제조하고, 제조된 분발을 압출가공하여 기계적성질, 소자의 가공성 및 열전 성능 지수율 향상시키는데 연구 목적이 있다. 본 설험에서는 99.9%이상의 고순도 Bi. Te. Se. Sb를 이용하여, 고주파 유도로에서 Ar 분위기로 용융하고, 가스분사법를 이용하여 균질한 $Bi_2Te_3$계 열전재료 분만을 제조하였다. 분말표면의 산화막을 제거하기 위하여 수소분위기에서 환원처리를 행하였고, 된 분말을 Al 캔 주입하여 냉간성형 한 후 진공중에서 압출온도를 변화시켜 열간압출 가공을 행하였다. 압출 온도변화에 따른 압출재의 미세조직 및 열전특성에 중요한 영향을 미치는 C면 배향에 대한 결정방위 해석, 압출재의 압축강도 등을 분석하였으며, 압출온도에 따삼 미세조직 변화와 결정방위의 변화에 따른 열전특성의 관계를 해석하였다성시켰고 이들이 산인 HNO3에서 녹았기 때문이다. 본 연구에서 개발된 새로운 에칭 용액인 90H2O2 - 10HNO3 (vol%)의 에칭 원리가 똑같이 적용 가능한 다른 종류의 초경 합금에서도 사용이 가능할 것으로 판단된다.로 판단된다.멸과정은 다음과 같다. 출발물질인 123 분말이 211과 액상으로 분해될 때 산소가스가 배출되며, 이로 인해 액상에서 구형의 기공이 생성된다. 이들 중 일부는 액상으로 채워져 소멸되나, 나머지는 그대로 남는다. 특히, 시편 중앙에 서는 수십-수백 마이크론 크기의 커다란 기공이 다수 관찰된는데, 이는 기공의 합체로 만들어진 것이다. 포정반응 열처리 시 기공 소멸로 만들어진 액상포켓들은 주변 211 입자와 반응하여 123 영역으로 변한다. 이곳은 다른 지역과 비교하여 211 밀도 가 낮기 때문에, 미반응 액상이 남거나 211 밀도가 낮은 123 영역이 된다. 액상으로 채워지지 못한 구형의 기공들 중 다수가 123 결정 내로 포획되며, 그 형상은 액상/ 기공/고상 계면에너지에 의해 결정된다.단의 경우, 파단면이 매끄럽고 파변상의 결정립도 매우 미세하였으며, 산확물 의 용집도 찾아보기 어려웠 나, 접합부 파단의 경우에는 파변의 굴곡이 비교척 심하고 연성 입계파괴의 형태를 보였￡며, 결정립도 모채부 파단의 경우에 비해 조대하였다. 조대하였다. 셋째, 주상기간 중 총 에너지 유입률 지수와 $Dst_{min}$ 사이에 높은 상관관계가 확인되었다. 특히 환전류를 구성하는 주요 입자의 에너지 영역(75~l13keV)에서 가장 높은(0.80) 상관계수를 기록했다. 넷째, 회복기 중에 일어나는 입자들의 유입은 자기폭풍의 지속시간을 연장시키는 경향을 보이며 큰 자기폭풍일수록 현저했다. 주상에서 관측된 이러한 특성은 서브스톰 확장기 활동이 자기폭풍의

• The Journal of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science
• /
• v.29 no.4
• /
• pp.277-284
• /
• 2018

This paper reports the transparent electrode, which would be applied to transparent displays and smart glasses. Herein, a squared metal mesh with the most widely used copper wire in microwaves is studied for the alternating thin-film-type transparent and conducting indium tin oxide(ITO), with a low conductivity(sheet resistance > $5{\Omega}/sq.$). The electromagnetic performance of a patch antenna with metal mesh is analyzed. This paper presents the results of the optical(OT, optical transparent) and electrical(sheet resistance) characteristics of a squared metal mesh, which is a basic design. To improve the OT, copper wire(w=0.2 mm) is used in fabricating the squared metal mesh and the relationship between the OT and the antenna performance(radiation gain, radiation pattern) was analyzed according to the mesh size(l=1, 2 mm). The measurement results show that the antenna performance and the optical characteristic are in inverse proportion to each other. In real applications, the optical and electrical characteristics, and the costs of production are to be considered.