• 제목/요약/키워드: 소성스핀

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MOD법에 의한 BaTiO3 박막 제조 및 특성에 대한 연구 (A Study on the BaTiO3 Thin Film by MOD Process)

  • 정영길
    • 마이크로전자및패키징학회지
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    • 제1권2호
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    • pp.113-124
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    • 1994
  • MOD법을 마이크로회로용 티탄산 바륨 콘덴서 박막형성에 적용하였다. Barium decanoate barium 2-ethylhexanoate titanium dimethoxy didecanoate 및 titanium dimethoxy di-2-ethylhexanoate와 같은 여러 가지 금속유기화합물들을 합성하고 동정한 다 음 공통용매에 대한 용해도를 시험하였다. 이금속유기화학물들 가운데 barium 2-ethylhexanoate와 titanium dimethoxy di-2-ethylhexanoate가 xylene-pyridine 혼합용매에 잘녹고 MOD법에 의한 BaTiO3 박막형성에 매우 안정한 조성을 이룸을 확인하였다. 이 조 성을 스핀코팅에 의하여 백금박과 실리콘 웨이퍼상에 금속유기화학물 막을 형성하고 최고 온도와 유지시간에 따라 소성하여 형성된 유전체 박막들의 전기전 특성을 측정하고 고찰하 였다.

홍성 토날라이트에서 관찰되는 화성기원의 엽리와 조직

  • 김장하;조문섭
    • 한국광물학회:학술대회논문집
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    • 한국광물학회.한국암석학회 2003년도 공동학술발표회 논문집
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    • pp.52-52
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    • 2003
  • 경기육괴 서남부에 위치한 홍성지역의 기반암은 선캠브리아 화강암질 편마암으로 이루어진 것으로 알려져 왔으나, 적어도 일부는 신원생대(약820 Ma) 시기에 관입한 토날라이트질 심성암체로 구성된다. 토날라이트의 주 구성광물은 석영, 사장석, 흑운모, 각섬석이며, 저어콘, 스핀, 녹니석, 인회석 등이 소량으로 산출한다. 이 연구에서는 야외 및 미세구조 관찰을 통해, 홍성 화강암질암에서 나타나는 구조적 요소들이 화성기원임을 보고한다. 홍성 토날라이트에서 관찰되는 구조들이 화성기원인 증거는: (1) 엽리가 연속성이 부족하고 주향과 경사가 불규칙하며, 드물게는 사층리처럼 보이기도 한다. (2) 자형 내지 반자형의 장석과 각섬석이 엽리면에 평행 또는 준평행하게 배열되어 있으며, 반정 주변에는 음영대(pressure shadow)가 발달하지 않는다 (3) 고철질 포획체(mafic enclave)는 주변암의 엽리에 평행하게 신장되어 있고, 완전히 고화 되지 않은 상태에서 형성되는 불꽃 구조(flame structure)가 드물게 관찰된다. (4) 고철질 포획체의 주 구성광물인 흑운모와 각섬석은 주변암의 엽리와 평행하게 배열되어 있으나, 소성변형의 증거를 보이지 않는다. 홍성 토날라이트에서 관찰되는 모든 조직들이 화성기원이라고 주장하기는 어렵지만, 모두 고체상태에서의 변형작용으로 설명하기는 더욱 힘들다. 후자가 화성기원의 조직에 어느 정도 영향을 주었는지는 추후의 연구를 통해 밝혀져야 할 것이다.

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차단층 처리를 통한 표면 개선 및 전극 접합성 향상 (High adhesion and stability improvement of TiO2layerbyblockinglayer)

  • 강정현;이현정;전유택
    • 한국표면공학회:학술대회논문집
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    • 한국표면공학회 2012년도 춘계학술발표회 논문집
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    • pp.232-233
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    • 2012
  • 금속기판 염료감응형 태양전지 서브모듈 제작 시, 금속기판 차단층 처리 유,무에 따른 전극 상태를 비교하였다. 차단층은 titanium diisopropoxide bis(acetylacetonate) 용액을 IPA 용매에 녹여 0.15M 농도로 만들어졌으며, 스핀코팅법을 이용하여 금속기판에 박막으로 코팅되었다. 차단층 코팅을 하지 않은 금속기판의 산화전극은 소성 후 깨짐현상이 발생하였으나, 차단층 코팅한 금속기판의 산화전극은 깨짐현상이 발생하지 않았고, 그 기판을 적용하여 염료감응형 태양전지 서브모듈을 제작, 성능 평가를 진행하였다.

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전사 공정을 이용한 산화막 정렬 패턴 제작과 액정 배향 특성 연구 (Parallel pattern fabrication on metal oxide film using transferring process for liquid crystal alignment)

  • 오병윤
    • 전기전자학회논문지
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    • 제23권2호
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    • pp.594-598
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    • 2019
  • HfZnO 박막 위 패턴 전사 기법을 이용하여 기존의 러빙법을 대체하는 배향 공정에 대하여 연구하였다. 정렬 패턴은 레이저 간섭 리소그래피를 이용하여 실리콘 웨이퍼 위에 제작하였다. 졸겔 공정을 이용하여 HfZnO 용액을 제작하였고, 유리기판 위에 스핀코팅하였다. 미리 제작한 정렬패턴을 스핀코팅된 HfZnO 위에 올려놓고, $100^{\circ}C$에서 30분간 소성하였다. HfZnO 박막에 평행한 그루브가 형성되었음을 atomic force microscopy 와 scanning electron microscopy로부터 확인할 수 있었다. HfZnO 박막을 이용하여 액정 셀을 제작하였으며, POM 분석으로부터 액정이 균일하게 정렬되었음을 확인할 수 있었다. 액정은 $0.25^{\circ}$의 프리틸트 각을 가졌으며, 수평배향 특성을 보여주었다. 액정 분자는 평행한 그루브에 의한 HfZnO 박막 표면 이방성에 의하여 균일하게 정렬되었음을 확인할 수 있었다.

바나듐 함유 MFI형 제올라이트의 제조 및 촉매적 특성 (Preparation and Catalytic Properties of Vanadium-Containing MFI Type Zeolite)

  • 김건중;고완석;조병린
    • 공업화학
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    • 제5권2호
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    • pp.361-372
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    • 1994
  • 수열합성법 및 탈알루미늄 처리 이후 $NH_4VO_3$담지법으로 바나듐이 함유된 MFI형 제올라이트를 제조하였다. X선 회절분석, 시차 열분석, 적외선 분광분석 및 전자스핀공명분석을 수행하여 바나듐의 격자구조 내로의 도입을 검토하였다. 탈알루미늄된 ZSM-5에 $NH_4VO_3$를 담지시키고 소성한 경우에도 수열합성법으로 제조한 시료와 같이 바나듐이 구조 내로 도입될 수 있었다. 제올라이트 구조 중의 바나듐은 고온처리에 의해 산화-환원과정을 거칠 수 있으며, 이들은 원자단위로 분산되어 고정됨을 나타내었다. 벤젠 수산화반응과 hexane 및 알코올의 산화반응을 바나듐 함유 MFI형 제올라이트의 특성 검토를 위한 시험반응으로 이용하였다.

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ESR, ESEM을 이용한 이온 교환된 MoH-SAPO-34에 대한 Mo의 화학종, 위치 및 흡착상호작용에 관한 연구 (Study on Mo(V) Species, Location and Adsorbates Interactions in MoH-SAPO-34 by Employing ESR and Electron Spin-Echo Modulation Spectroscopies)

  • 백건호;장창기;류창국;조영환;소현수
    • 대한화학회지
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    • 제46권1호
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    • pp.26-36
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    • 2002
  • $MoO_3$와 H-SAPO-34의 고체상 반응은 상자기성의 Mo(V) 화학종을 띤다. 탈수하면 Mo(V) 화학 종이 약하게 나타나지만 계속적으로 활성화 시키면 ESR로 규명할 수 있는 $Mo(V)_{5c}$$Mo(V)_{6c}$와 같은 Mo(V) 화학종이 생성된다. ESR과 ESEM 자료들은 $(MoO_2)^+$$(MoO)^{3+}$ 같은 옥소-몰리브덴 화학 종을 보여준다. $(MoO_2)^+$ 화학 종이 다음과 같이 더 합리적인 것 같이 보여진다. H-SAPO-34는 낮은 골격전하를 갖기 때문에 높은 양전하를 갖는 $(MoO)^{3+}$는 쉽게 안정화 되지 못한다. 소성된 H-SAPO-34와 도데카몰리브덴 규산 용액 사이의 용액 상태 반응은 단지 $MoO^{2+}$ 화학 종만을 발생한다. 마름모형 ESR 신호는 $D_2O$, $CD_3OH$, $CH_3CH_2OD$$ND_3$를 흡착할 때 관측되었다. Mo(V) 화학 종의 배위구조와 위치는 트리 펄스 전자 스핀반향 자료로 측정하였다. MoH-SAPO-34에 메탄올, 에틸렌 암모니아와 물이 흡착될 때 3분자, 1분자, 1분자와 1분자가 $(MoO_2)^+$에 각각 직접 배위하였다.