• 한국결정학회지
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• 제3권1호
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• pp.44-52
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• 1992

Ti(C, N)-Cr3C2계 ceramics 의 소결에 있어 서, 소결 분위기가 소결체의 물성에 미치는 영 향과 Cr3c2월 상변화 현상을 검토하였다. Ti(C, N)-Crsc2 혼합분말을 진공 및 질소 분위기에서 소결할 경우 치밀한 소결체를 얻을 수 있었으나, 아르곤 분위기에서는 치밀한 소결체를 얻을 수 없었다. 이들 소결체의 X-선 회절 분석결과, 진공 분위기에서는 Cr3c2가 CrIC3로 변화하 였으며 질소 및 아르곤 분위기에서는 상변화가 거의 없었다 이는 진공소결시 Ti(C, N)에서 탈질 현상이 일어나고 이에 따라 Cr3c2중의 C의 이동에 의해 CrTCE 상으로 변하며, 따라서 활발 한 Ti 및 Cr의 이동으로 인해 치밀한 소결이 이루어지는 것으로 해석되며 반면 질소분위기에서는,가질 현상이 일어나고 이에 따라 유리탄 소의 생성, 이 유리탄소에 의한 입계 내의 산소 의 제거 및 입계 사이의 유리탄소의 잔존 등의 소결기구에 의해 치밀화가 이루어 지는 것으로 해석된다.

• 한국산학기술학회논문지
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• 제5권1호
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• pp.65-68
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• 2004

피스톤(piston)과 리바운드(rebound)를 1체형 소결품으로 제조하기 위하여는 후가공시 발생하는 홀(hole)부분의 막힘 현상, 홀 부분의 치수 편차 현상, 가공 응력 집중에 의한 부품 모서리(edge)부의 크랙 발생 현상 둥의 문제가 있다. 본 연구에서는 이와 같은 문제를 해결하기 위하여 성형체 및 소결체의 밀도 평가, hole 부분의 조직 평가(홀 내부 단차, 홀 내부의 버(burr) 발생 및 홀 크기), 소결체의 감쇠력 및 내구성 평가 등을 체계적으로 실시하여, 성형에서 발생하는 크랙, 홀 내부의 단차, 홀 크기의 문제점을 해결하였다.

• 전력전자학회:학술대회논문집
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• 전력전자학회 2001년도 전력전자학술대회 논문집
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• pp.146-150
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• 2001

전기집진기는 여타의 집진 설비에 대한 집진 효율과 유지 보수성이 우수한 설비이며 소결공장의 배출분진과 같은 고온($120{\~}160^{\circ}C$)의 미세분자($5{\~}12{\mu}m$) 및 고비저항($10^{12}{\~}10^{13} {\Omega}cm$)을 포집할 때 DC 하전에 비해 Pulse 하전이 효과적이며 Energy 절감이($60{\~}90\%$) 된다. 본 논문은 소결공장의 DC 하전에서 Pulse 하전으로 전환 시 EP 특성 및 부하변화에 따른 제어방안을 제시한다. 현재 제철소의 소결 전기집진기 경우 정수 직후에는 전압이 정상적으로 공급하다가 시간이 지남에 따라서 DC 전압이 낮아지고 Back Corona 현상이 발생하여 서서히 분진농도는 급격히 상승하는 문제점을 가지고 있다. 이에 비해 Pulse 하전으로 운전할 경우에는 Back Corona 현상 발생억제로 출구농도 상승 기울기를 조장방법 및 Ramping 장치와 관련장치 등을 최적으로 운용할 수 있는 방법을 소결공장 실험하였다.

• 한국세라믹학회지
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• 제36권3호
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• pp.284-292
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• 1999

고체함량을 변화시킨 NiCuZn 페라이트 페이스트를 사용하여 스크린 인쇄법으로 7.7$\times$4.5$\times$1.0 nm 크기의 칩인덕터를 제조한 후, 페라이트 페이스트의 고체함량에 따른 수축률, 소결밀도, 미세구조, 계면반응 등의 물리적 특성 및 자기적 특성 변화를 분석하였다. 조온소결을 위하여 attrition milling 공정을 통하여 미세분말을 준비하였으며, 소결온도는 880~94$0^{\circ}C$로 변화시켰다. 90$0^{\circ}C$에서 2시간 열처리된 페라이트 후막의 소결밀도는 고체함량이 50,55,60%로 증가할수록 5.12,5.14,5.18g/㎤로 증가하였으며, 이에 따라 칩 인덕터 시편들의 주파수 10 MHz에서 L값이 2.1,2.3,2.5 $\mu$H로 커졌다.Q값은 소결밀도 증가에 의한 Q값 증가효과와 아울러 입자가 커짐에 따른 반대효과로 인하여 고체함량에 따라 87,90,94로 큰 변화가 없었다. 페라이트 페이\ulcorner의 고체함량 및 소결온도와 무관하게 Ag 성분의 페라이트 쪽으로의 확산현상은 나타나지 않았다.

• 대한전자공학회논문지
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• 제16권6호
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• pp.11-15
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• 1979

700°∼850℃의 온도구간에서 소결한 Fe2O3-Bi2O3 소결체에서 전기적 Switching 현상이 관찰되었다. 30°∼200℃의 주위온도구간에서 이들 소결체의 직류전도도는 소결온도가 증가함과 주위온도의 증가함에 따라 증가하였다. Current channel의 형성과 Switching 전압의 주위온도 의존성에 의해 Fe2O3-Bi2O3 소결체의 주된 전기적 Switching 기구는 열적효과로 생각된다.

• 화약ㆍ발파
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• 제24권2호
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• pp.1-8
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• 2006

본 연구는 규석광의 터널 굴착시 굴진장 향상과 사압현상 및 소결현상을 예방하기 위해 모든 장약공의 장약밀도를 다르게 적용하였다. 이 때 심발공은 동일 장약공내에 2개의 뇌관을 이용한 정기폭과 역기폭의 복합기폭방식을 도입하였다. 자유면 형성이 어려운 공저부분은 높은 장약밀도로 장전하고, 주상부분은 공저보다 낮은 장약밀도로 장전함으로써 폭약의 위력이 효과적으로 암반에 대응할 수 있는 공법인 복합장약기폭시스템을 개발하였다. 그 결과 경암이나 장공발파에서 흔히 발생되는 사압현상 및 소결현상 등을 방지할 수 있었다. 또한 1회 천공장 대비 굴진장을 95% 이상 증대시킴으로써 약 15% 정도의 시공능율이 향상되고 비장약량이 20% 정도 감소되었다.

• ETRI Journal
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• 제13권2호
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• pp.42-53
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• 1991

고유전율 적충세라믹 커패시터 소재인 $BaTiO_3$ 자기물은 일반적으로 큐리오도인 약 $120^{\circ}C$부근에서 유전율이 최고 약 10,000정도로 증가한 다음 급격히 감소하므로 적절한 이동체를 첨가하여 큐리온도를 상온으로 이동시켜 상온에서 최대 유전율을 이용하여야 한다. 그리고$BaTiO_3$ 자기물은 $1300^{\circ}C$이상의 고온소결시 고가인 Pd전극이 요구된다. 그러나 자기물의 소결온도를 저온화화면 저가의 Ag합금으로 전극재료를 대체할 수 있다. 본 연구에서는 이동제로서 $CaSnO_3$ 를 이용하여 큐리온도를 상온으로 이동시켰다. 또한 소결온도를 저온화하기 위하여 $BaTiO_3$ 세라믹에 여러가지 산화물을 첨가하여 소결현상을 살펴보았다. 실험결과 첨가제를 넣지 않은 경우 소결온도는 $1350^{\circ}C$의 고온이 필요한 반면, $CuO,B_2O_3$는 $1050^{\circ}C$의 낮은 온도에서도 치밀화와 입도성장이 잘 일어났다. 특히 $B_2$$O_3$ 를 첨가한 경우는 $1250^{\circ}C$이상에서 소결할 때 절연저항이 낮아 유전손실이 큰 문제점을 보였지만, 최대 유전율이 11,000 정도로 높고, 양호한 유전율의 온도변화 특성을 나타내어 우수한 고유전율 소재의 첨가제로 응용될 가능성을 보였다

• 한국자기학회지
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• 제8권3호
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• pp.125-130
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• 1998

13Cr-1.5Nb-Fe합금분말이 수분사법으로 제조되엇다. 제조된 합금뷴말을 압축기를 이용하여 ring현상으로 성형한후, 진공중에서 소결하였다. as-prepared 분말의 현상, 입도분포, 성분분석 및 포화자화물 조사하였으며, 소결된 시편의 투자율, 교류자기이력손실이 조사되었다. as-prepared 13Cr-1.5Nb-Fe합금분말의 포화자화는 160emu/g이었으며, 산소함유량은 약 600ppm이었다. 입도분포는 약 70$\mu$m에서 50%vol.을 나타낸다. 교류투자율은 소결온도 및 성형온도가 증가할수록 증가한다. 주파수 20KHz에서 교류자기이력손실은 12ton/cm2성령압력 및 120$0^{\circ}C$ 소결온도 조건에서 107W/cc로 가장우수하다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2003년도 춘계학술대회 논문집 센서 박막재료 반도체 세라믹
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• pp.240-244
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• 2003

후막 리소그라피 기술은 기판 위에 감광성 페이스트를 도포한 후 자외선과 패턴마스크를 사용하는 광식각(photolithography) 방법을 이용하여 세부 패턴을 형성시키는 기술이다, 이 기술은 후막기술로서는 높은 해상도인 선폭 $30{\mu}m$ 이하의 미세도선을 구현할 수 있어, 후막기술을 이용한 고주파 모듈의 제조에 있어서 새로운 대안으로 주목받고 있다. 본 연구에서는 알루미나 기판 상에 수십 ${\mu}m$ 이하의 마이크로 비아를 가지는 유전체 층을 형성시킬 수 있는 저온소결용 감광성 유전체 페이스트를 개발하였다. 저온소결용 유전체 파우더와 폴리머, 모노머, 광개시제 등의 양을 조절하여 마이크로 비아를 형성할 수 있는 최적 페이스트 조성을 연구하였으며, 노광량 및 현상시간과 같은 공정변수가 마이크로 비아의 해상도에 미치는 영향을 평가하였다. 알루미나 기판에 전면 프린팅 한 후 건조, 노광, 현상, 소성 과정을 거쳐 소결전 $37{\mu}m$, 소결후 $49{\mu}m$의 해상도를 가지는 마이크로 비아를 형성할 수 있었다.

• 한국세라믹학회지
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• 제38권6호
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• pp.587-592
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• 2001

난소결성의 TiN에 방전 플라즈마 소결법을 적용하여 고밀도 TiN 소결체를 제조하였다. 제조된 TiN 시편의 소결특성 및 입성장 정도를 평가하였으며, 전자현미경을 이용하여 미세구조를 분석하였다. Milling 과정동안 잠입된 $Al_2$O$_3$는 1$700^{\circ}C$ 이상의 소결온도에서 TiN 분말과 반응하여 부분적으로 액상을 형성하여 물질이동을 가속화함으로써 치밀화가 저온에서 시작하도록 함으로써 궁극적으로 결정립성장 제어에 기여하는 것으로 확인되었다. 이러한 현상은 굽어진 TiN 결정입계와 결정입계 삼중점에 존재하는 $Al_2$O$_3$를 포함하는 2차 결정상 cluster의 존재로 설명되어진다.