• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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• 2003.03a
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• pp.194-194
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• 2003

지르콘은 내침식성, 내마모성, 열 충격 저항성 및 기계적 물성이 우수하여 내화재료, 연마재료 등으로 다양하게 활용된다. 이러한 지르콘의 물성은 출발원료의 입도와 순도, 첨가제, 열처리 온도 등에 크게 의존한다. 본 연구에서는 출발 물질의 평균 입도를 각각 5$\mu\textrm{m}$와 3$\mu\textrm{m}$, l$\mu\textrm{m}$ 이하로 제어하였고, 시료의 열처리 온도를 135$0^{\circ}C$, 140$0^{\circ}C$, 145$0^{\circ}C$, 150$0^{\circ}C$, 155$0^{\circ}C$로 소결하였다. 각각의 지르콘 소결체는 미세 경도 측정, 결정상 분석, 밀도 측정, 미세구조 관찰을 통하여 특성 평가하였다. 미세경도 값은 140$0^{\circ}C$에서 소결된 지르콘의 가장 높았으며, 밀도는 150$0^{\circ}C$에서 소결된 지르콘이 가장 높으며, 155$0^{\circ}C$에서 소결된 지르콘은 과소결되어 전체적으로 물성이 저하되는 것을 관찰하였다.

• Proceedings of the International Microelectronics And Packaging Society Conference
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• 2002.11a
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• pp.59-63
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• 2002

Zinc-Magnesium borosilicate 유리에 CaF$_2$입자를 충진재로 첨가하여 혼합체의 소결거동, 결정화 거동 및 최종 소결체의 마이크로파 유전특성을 측정하였다. CaF$_2$첨가는 유리의 점도를 감소 시켜 결정화 및 수축개시온도를 감소시켰다. 이러한 CaF$_2$의 최대 첨가량은 주어진 유리조성에 있어서 15 vol. % 이었다. 이러한 소결성 및 결정화 개시온도의 변화는 모 유리와 CaF$_2$의 반응에 의한 결과로 보여지며 이 반응은 결정상의 변화나 이차상의 형성에는 영향을 미치지 않았다. 따라서 유전율 6.1에 품질계수가 40000GHz 인 CaF$_2$입자를 15 vol.% 첨가시 유전상수는 7.1에서 5.6로 품질계수는 2200에서 5000GHz로 유전특성이 향상되었고 소결온도는 75$0^{\circ}C$이었다.

• Journal of the Korean Ceramic Society
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• v.38 no.8
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• pp.710-715
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• 2001

반응소결공정(RSP : Reaction Sintering Process)을 이용하여 YF댸₃와 Fe₂O₃의 성분에 소결첨가재 Bi₂O₃를 첨가하여 YIG를 합성하였다. Bi₂O₃첨가량과 소결온도에 따른 YIG 소결체의 미세구조 및 자기적 특성변화에 대해 주사전자현미경, X-선 회절분석기 및 시료 진동형 자력계를 이용하여 조사하였다. 소량의 소결첨가재 Bi₂O₃첨가시 YIG 소결체의 격자상수는 12.387에서 12.420 Å으로 증가하였다. 이는 상대적으로 이온반경이 큰 Bi 이온이 12면체 Y 이온 자리로 치환되었기 때문인 것으로 여겨진다. Bi₂O₃를 1.0 wt% 첨가하였을 때 비교적 균질한 미세구조를 보였으며, 1350℃에서 소결한 YIG의 밀도가 이론밀도의 98% 이상의 치밀화를 보였다. Bi₂O₃가 0.0 wt%에서 1.5 wt%로 첨가량이 증가함에 따라 상온에서의 포화자화값(M/sub s/)은 조금씩 증가하는 경향을 보였으나 큰 변화는 없었다. 반응소결공정을 이용 YIG 소결시 소결첨가제 Bi₂O₃가 1.0 wt%이고, 소결온도 1350℃에서 비교적 우수한 소결특성과 자기특성을 가지는 YIG 소결체를 얻을 수 있었다.

• Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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• v.25 no.1
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• pp.6-12
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• 2015

Under rate-controlled sintering, furnace power is controlled to maintain a specific specimen contraction rate. This thermal processing method guarantees continuous process with a minimum thermal energy applied over time and makes it possible to control the density of the sintered body precisely. In this study, the rate-controlled sintering is applied to the sintering of $B_4C$ in order to investigate how rate-controlled sintering variables can affect the sintering behavior and/or grain growth behavior of $B_4C$ and how the results can be interpreted using sintering theories to draw an optimal sintering condition of the rate-controlled sintering. Further, the applicability of the rate-controlled sintering into the study for sintering of unknown materials is also considered.

• Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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• v.10 no.2
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• pp.134-139
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• 2000

Ternary system of 40PMN-30PT-30PMW was prepared by using different reaction process. The PMN-PT was synthesized firstly, then it reacted to $PbWO_4$ as PbO and $WO_3$ sources. The dielectric constants were dependent on the density of sintered body and decreased with sintering temperature above $950^{\circ}C$. The highest dielectric constant was 24,000 in a sample sintered at $950^{\circ}C$ with the dielectric loss of 3 %. The temperature dependence of the dielectric constant were decreased with the increase of sintering temperature due to the appearance of double peak maxima. The lowest change in dielectric constant was -37-0 % from -55 to $125^{\circ}C$in a sample sintered at $1150^{\circ}C$ with dielectric constant of 9,900 at room temperature.

• Journal of Sensor Science and Technology
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• v.6 no.6
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• pp.491-499
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• 1997

We fabricated the ceramic PLT tablet which was composed of 5, 10 and 15 mol% lanthanum concentration and thin film PLT to develope pyroelectric materials, and investigated their characteristics. Using TG/DTA, we determined calcination and sintering temperature to sinter the PLT completely and to prevent volatilization of the Pb components. The calcination and sintering temperature were $850^{\circ}C$, $1150^{\circ}C$ respectively, and there was a lot of mass loss at higher sintering temperature. By measuring temperature-dielectric constant characteristics of ceramic tablet we investigated dielectric constant characteristics depends on La concentration. The Curie point of PLT with 5, 10 and 15 mol% lanthanum concentration were $330^{\circ}C$, $269^{\circ}C$ and $210^{\circ}C$ respectively. Using PLT ceramic tablet we observed IR detection characteristics, and then deposited PLT thin film by rf magnetron sputtering. We verified that PLT thin film fabricated with completely sintered PLT target had the same structure to target by investigating lattice constant and optical transparency.

• Journal of the Korean Ceramic Society
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• v.36 no.3
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• pp.284-292
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• 1999

고체함량을 변화시킨 NiCuZn 페라이트 페이스트를 사용하여 스크린 인쇄법으로 7.7$\times$4.5$\times$1.0 nm 크기의 칩인덕터를 제조한 후, 페라이트 페이스트의 고체함량에 따른 수축률, 소결밀도, 미세구조, 계면반응 등의 물리적 특성 및 자기적 특성 변화를 분석하였다. 조온소결을 위하여 attrition milling 공정을 통하여 미세분말을 준비하였으며, 소결온도는 880~94$0^{\circ}C$로 변화시켰다. 90$0^{\circ}C$에서 2시간 열처리된 페라이트 후막의 소결밀도는 고체함량이 50,55,60%로 증가할수록 5.12,5.14,5.18g/㎤로 증가하였으며, 이에 따라 칩 인덕터 시편들의 주파수 10 MHz에서 L값이 2.1,2.3,2.5 $\mu$H로 커졌다.Q값은 소결밀도 증가에 의한 Q값 증가효과와 아울러 입자가 커짐에 따른 반대효과로 인하여 고체함량에 따라 87,90,94로 큰 변화가 없었다. 페라이트 페이\ulcorner의 고체함량 및 소결온도와 무관하게 Ag 성분의 페라이트 쪽으로의 확산현상은 나타나지 않았다.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2007.07a
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• pp.1355-1356
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• 2007

SMD type 압전레조네이터 제작을 위한 압전 조성물을 찾고자 PLT 세라믹스에 B-site Ti 자리에 Mn을 치환시키고 소결첨가제로서 CuO를 첨가하였다. $0{\sim}0.4wt%$ CuO를 첨가하여 1150, 1200, $1250^{\circ}C$로 각각 소결한 후 소결온도 및 CuO 첨가량에 따른 압전 및 유전특성을 관찰하였다. CuO 첨가량에 따라 1150, $1200^{\circ}C$ 소결시 밀도가 증가하였고, $1250^{\circ}C$ 소결시 기계적 품질계수가 증가하였다. 소결온도 $1250^{\circ}C$, 0.1wt% CuO 첨가시 밀도, 전기기계 결합계수(kp), 유전상수, 기계적 품질계수는 7.5[g/cm3], 0.1, 253, 1776을 각각 나타내었다.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2009.04b
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• pp.73-76
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• 2009

ZnBo이 첨가된 (Ba,Sr)$TiO_3$ 후막을 이용한 planner capacitor의 전기적 특성을 조사하였다. 후막은 알루미나 기판에 스크린 프린팅기법에 의해서 제작되었고 $1200^{\circ}C$의 온도에서 소결하였다. 출발 물질인 BST의 저온 소결을 위해서 ZnBO를 첨가하였다. ZnBO가 1, 3, 5 wt% 첨가된 경우 소결온도가 $1200^{\circ}C$의 낮은 온도에서 소결되는 것을 확인했으며 ZnBO의 첨가랑이 증가함에 따라서 유전율은 감소하고 유전손실는 증가 하는 현상이 나타났다. 1, 3, 5 wt%의 ZnBO가 첨가된 (Ba,Sr)$TiO_3$는 각각 756, 624, 554의 유전율를 보였다. 또한 ZnBO의 양이 증가함에 따라서 누설전류가 감소되는 것을 확인하였고, ZnBO의 첨가가 grain의 성장과 density가 증가되어 누설전류의 양이 감소하게 되는 것으로 분석되었다.

• Proceedings of the Membrane Society of Korea Conference
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• 1991.04a
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• pp.35-37
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• 1991

무기 분말과 고분자 용액을 함께 습식방사하여 제조된 중공사를 소결하여 이방성 구조를 갖는 Alumina 와 Alumina/Silica 중공사막을 제조 하였다. 중공사 제조 용액의 조성과 소결 온도에 따른 다공성 지지체막의 기공도 및 미세구조를 Mercury Porosimeter와 Surface Analyzer(Autosorb-1)를 이용하여 살펴 보았다. 무기 분말(Alumina, Silica)이 충진된 고분자 용액의 적정한 조성에 따라 소결 후에도 이방성 구조를 유지할 수 있었고 방사 조건에 따라서도 양쪽지상구조, 한쪽지상구조, 또는 망사구조를 가지고 있으며 제조시 소결 온도에 따라 기체 투과도가 감소 하였다. 다공도는 소결 온도가 증가함에 따라 급격히 줄어들고 있으나 평균 기공의 크기는 약간 증가 하였다. 전체적으로 투과 실험 조건하에서 기체 투과가 knudsen flow 특성을 나타내었다.