• 제목/요약/키워드: 세라믹 기판

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세라믹 패키지 내에서 비아에 따른 열적 거동에 관한 연구 (A Study on the Thermal Behaviour of Via Design in the Ceramic Package)

  • 이우성;고영우;유찬세;김경철;박종철
    • 마이크로전자및패키징학회지
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    • 제10권1호
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    • pp.39-43
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    • 2003

  • 열전달에 대해 고려하는 것은 LTCC와 같은 고밀도 회로기판을 설계하는데 매우 중요한 요소이다. 본 연구에서는 열전달 효과를 조사하기 위해서 LTCC 기판 내에 열 비아 및 패드를 위치시킨 기판을 제작하였다. 제작된 기판의 정확한 열적인 분석을 이해하기 위해서 Laser Flash Method에 의한 샘플의 열전도도 분석 및 수치해석을 수행하였다. 열비아 및 열방출을 위한 패드로 구성된 LTCC 기판의 열전도 특성은 순수 Ag재료의 44%인 103 W/mK 값을 초과하는 특성을 나타내었다. 수치해석에 의해서 LTCC 기판내의 비아 배열, 크기, 밀도 변화에 따른 열거동의 해석을 수행하였다.

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Cu 후막재료 (Cu Thick film Materials)

  • 손용배
    • 마이크로전자및패키징학회지
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    • 제3권1호
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    • pp.1-10
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    • 1996

  • 반도체 산업의 급속한 발전에따라서 모든 전자산업부품의 경박단소화와 신호처리 속도가 고속화되는 추세에 있다. 특히 중대형 컴퓨터의 연산 처리가 고속화 됨에 따라서 반 도체 실장 재료로서 널리 사용되었던 Al2O3/Mo계 세라믹 소재로는 요구조건을 만족시킬수 없게 되었다. 따라서 저 유전율 절연 재료와 고밀도 배선이 가능한 고전도성 도체 재료의 개발이 요구되고 있다. Cu는 높는 전도성 뿐만 아니라 내 migration 특성 미세패턴의 적합 성 및 고주파 특성 등이 우수하여 저온 소성용 세라믹 기판용 전극 재료로서 유망하다.

나노 데이터 스토로지 시스템의 적용을 위한 펄스 레이저 증착법에 의해 $SrRuO_3/SrTiO_3(100)$ 기판 위에 증착된 $Pb(Zr_{0.2}Ti_{0.8})O_3$ 박막의 이종에피탁셜 성장 (Heteroepitaxial Growth of $Pb(Zr_{0.2}Ti_{0.8})O_3$ Thin Films on $SrRuO_3/SrTiO_3(100)$ Substrates by Pulsed Laser Deposition for Nano-Data Storage Application)

  • 이우성;최규정;윤순길
    • 한국세라믹학회:학술대회논문집
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    • 한국세라믹학회 2004년도 추계총회 및 연구발표회 초록집
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    • pp.79.2-79.2
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    • 2004

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Plused Laser Depositon을 이용한 Nb doped SrTiO$_3$ 박막의 제작과 최적 조건 (Preparation of Nb doped SrTiO$_3$ Film by Pulsed Laser Deposition and Optimum Processing Conditions)

  • 안진용;;최승철
    • 한국세라믹학회지
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    • 제36권2호
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    • pp.116-121
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    • 1999

  • MgO 단결성 (100) 기판 위에 0.5 wt% Nb 첨가된 전기전도성의 SrTiO3 (Nb:STO) 박막을 Pulsed Laser Deposition 법으로 제조하였다. 산소압력, 타겟과 기판거리, 기판온도, 박막증착시간 등의 박막형성 조건을 다양하게 변화시켜 Nb:STO박막의 격자상수와 박막두께의 변화를 조사하였다. $700^{\circ}C$에서 제작한 0.5 wt% Nb doped SrTiO3 박막의 배향성은 산소분압변화에 따라(100), (110)과 (111)배향이 관찰되었고, 박막제조시의 산소분압이 79.8 Pa로 증가됨에 따라 격자상수는 감소하여 벌크값인 0.390 nm에 근접하였다. 증착시간증가에 따른 박막의 두께는 증착시간에 비례하여 증가하였고, 격자상수의 변화는 거의 없었다. 타겟과 기판사이의 거리가 멀어짐에 따라 박막의 두께는 감소하였으나, 격자상수에는 큰 변화가 없었고 박막두께분포의 균일성이 향상되었다.

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