• Title/Summary/Keyword: 세계반도체소자

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전력 반도체소자의 어제와 내일 - 전력전자 기술

  • 최연익
    • 전기의세계
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    • v.46 no.2
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    • pp.13-22
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    • 1997
  • 최근 메모리 산업의 침체로 인하여 비메모리 분야의 관심이 높아지고 있다. 비메모리 분야 하면 주로 ASIC(Application Specific IC)이 떠오르지만, 대부분이 소량 다품종의 디지탈 시스템이기 때문에 사업이 쉽지 않다. 새로이 개발되어 각광을 받고 있는 전력 MOS, IGBT, MCT 등은 작은 패턴의 셀이 칩 내부에서 병렬 연결되어 있기 때문에 메모리 제조공정과 유사하다. 전력반도체 기술을 선도하고 있는 일본, 미국, 유럽의 기업체도 국내의 메모리 생산기술이 세계적인 수준이라고 찬사를 보내고 있다. 따라서 메모리 기억용량이 증가하면 새로운 생산공정이 구축되고, 이때 밀려나게 된 장비를 전력소자 제작에 사용할 수 있다면, 감가 상각된 장비의 재활용을 통한 원가절감 등 여러가지 면에서 도움이 될 수 있으리라 사료된다.

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The Treatment Capacity of a Catalytic Scrubber for Semiconductor Gas (촉매를 이용한 반도체가스의 처리용량 측정연구)

  • 한상욱;이진홍;김진석;오상협;하문수
    • Proceedings of the Korea Air Pollution Research Association Conference
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    • 2000.11a
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    • pp.318-319
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    • 2000
  • 국내 반도체 산업의 비약적인 발전에 따라 국내 반도체 소자 산업은 제조에 있어서 이미 세계 최고 수준을 유지하고 있으며 생산량에 있어서도 세계 최고를 자랑하고 있다. 그러나 반도체의 Wafer 제조 공정에서 발생하는 폐 가스의 처리에 있어서는 아직까지 많은 연구가 이루어지지 않고 있으면 관심의 대상에서 외면당하고 있는 실정이다. 반도체 공정 중에 사용되고 있는 가스나, 공정 후 발생하는 가스들 대부분은 강력한 부식성이나 독성을 가지고 있을 뿐만 아니라 폭발성을 가지는 가스도 상당수 포함되어 있다. (중략)

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화합물 반도체 태양전지의 연구개발 동향

  • 임호빈;최병호
    • 전기의세계
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    • v.39 no.10
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    • pp.20-27
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    • 1990
  • 세계적으로 기술개발과 응용이 가장 치열한 반도체 및 신소재산업의 획기적인 개발에 힘입어 반도체소자가 기본 에너지원인 태양광발전 시스템이 대체에너지원으로 가장 주목을 받고 있다. "제1세대" 태양전지인 결정질규소 태양전지는 가격하락의 한계성에 부닺쳤으며, 이를 극복하기 위한 "제2세대" 태양전지로써 비정질 규소, CdTe 및 CuInSe$_{2}$등 화합물 반도체 태양전지에 연구가 집중되고 있다.체 태양전지에 연구가 집중되고 있다.

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III-Nitride Layer의 성장과 LED 발전 과정

  • 신종언;유태경
    • Electrical & Electronic Materials
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    • v.13 no.1
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    • pp.11-18
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    • 2000
  • 최근 10여년 사이에 III-nitride 화합물 반도체가 전 세계적으로 주목을 받고 있다. 이는 질화물의 조성에 따라 자외선 영역에서 가시 광선의 전 파장, 측 자색에서 적색 영역대의 광소자 및 고온 고출력 전자소자에 쓰일 수 있기 때문이다. 지금까지 고휘도의 청색, 녹색 LED(Light Emitting Diode)는 상용화되어 있어, UC LD(Ultra-Violet Laser Diode)는 10,000 시간 상온 연속 발진에 성공하여 상용화의 단계에 이르고 있다. 그러나 많은 연구 투입에 비례하여 얻어지는 결과물의 효율은 그리 높지 않은 분야로 LED를 수준 급으로 상용화하는 곳은 세계에서 5개정도로 국한되면, 그 기술이 전파됨이 그리 쉽지 않다. LD(laser Diode)의 경우 상용화 초기 단계로 보편적 신뢰성을 확보하기까지는 또 다른 breakthrough 확보가 필요하며, 궁극적인 기술 전개는 기판을 해결하는 것에서 올 수 있다. 본 논문에서는 이러한 III-nitride 반도체 소자 개발을 가능하게 한 MOCVD(Metaloganic Chemical Vapor Deposition) 결정 성장 방법과, 기존에 사용화 되어 있는 LED 소자 특성 및 국내외 개발 동향 및 향후 발전 방향을 소개하고자 한다.

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InGaZnO 산화물 박막 트랜지스터의 연구 현황과 향후 전망

  • Jeong, Jae-Gyeong
    • Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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    • 2009.05a
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    • pp.5.1-5.1
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    • 2009
  • 2004년 Nature지에 일본 동경공업대학의 호소노 교수팀이 상온에서도 이동도 10cm2/Vs 이상의 우수한 InGaZnO 박막트랜지스터 소자 제작을 보고한 이후, 전 세계적으로 산학연을 총망라하여 산화물 반도체 재료 및 TFT 소자에 대한 연구 및 개발이 매우 활발하다. 특히 HDTV용 대형 TFT 기판기술이 절실한 디스플레이 업계에서 차세대 TFT 기판으로 산화물 소자를 적용하기 위해 집중적인 개발이 진행 중인데, 본 발표에서는 산화물 TFT 관련 최신 연구동향과 기술적 이슈사항을 검토하고 이를 바탕으로 향후 재료공학적 관점에서의 연구방향에 대해 논의하고자 한다.

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